单选题若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度（ ）。A 高20～30℃B 高10～20℃C 高10℃以内D 低10℃以内E 低10～20℃
题目
单选题
若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度（ ）。
A
高20～30℃
B
高10～20℃
C
高10℃以内
D
低10℃以内
E
低10～20℃
相似考题
参考答案和解析
正确答案：
E
解析：
暂无解析
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第1题：
自身釉烧结的温度是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
参考答案：B
-
第2题：
上釉的烧结温度是
A．低于体瓷温度5℃
B．低于体瓷温度10℃
C．低于体瓷温度20℃
D．高于体瓷温度5℃
E．高于体瓷温度10℃
正确答案：B
B -
第3题：
上釉的烧结温度是（）。
- A、低于体瓷烧结温度5℃
- B、低于体瓷烧结温度10℃
- C、高于体瓷烧结温度5℃
- D、高于体瓷烧结温度10℃
- E、以上均不正确
正确答案:B -
第4题：
单选题瓷熔附合金的熔化温度应比瓷的烧结温度和用于连接桥体的焊料温度（）A低
B稍低
C接近
D高
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第5题：
单选题若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度（ ）。A高20～30℃
B高10～20℃
C高10℃以内
D低10℃以内
E低10～20℃
正确答案： E解析： 暂无解析 -
第6题：
单选题上釉的烧结温度是（ ）。ABCDE正确答案： A解析： 暂无解析 -
第7题：
PFM冠上釉时的炉温是
A、与体瓷的烧结温度相同
B、低于体瓷烧结温度6～8℃
C、低于体瓷烧结温度10～20℃
D、高于体瓷烧结温度6～8℃
E、高于体瓷烧结温度10～20℃
参考答案：B
-
第8题：
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。
- A、低于体瓷烧结温度5℃
- B、低于体瓷烧结温度10℃
- C、高于体瓷烧结温度5℃
- D、高于体瓷烧结温度10℃
- E、以上均不正确
正确答案:D -
第9题：
PFM烧结过程，下列说法正确的有（）
- A、正式烧结之前应干燥5～7分钟，防止固瓷层内残留水分过多在加热烧结时形成气泡
- B、烧结温度应比遮色瓷烧结温度低10℃～20℃
- C、烧结程序结束时，应及时将烘烤盘移至圹掌平台之外
- D、烧结起始温度低，升温速度过慢，会延长烧结时间，易引起牙冠变形或颜色变浊
- E、烧结开始时应1～230L／分钟速度排气，以低于瓷熔点100℃以下温度升温
正确答案:A,B,D,E -
第10题：
单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（ ）。ABCDE正确答案： A解析： 暂无解析 -
第11题：
单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A低于体瓷烧结温度5℃
B低于体瓷烧结温度10℃
C高于体瓷烧结温度5℃
D高于体瓷烧结温度10℃
E以上均不正确
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第12题：
单选题PFM冠上釉时的炉温是（ ）。A与体瓷的烧结温度相同
B低于体瓷烧结温度6～8℃
C低于体瓷烧结温度10～20°C
D高于体瓷烧结温度6～8℃
E高于体瓷烧结温度10～20℃
正确答案： A解析：
低于体瓷烧结温度6～8℃，以保证体瓷不变形。