名词解释题空穴效应

题目
名词解释题
空穴效应
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1.在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴

2.超声的作用不包括()。A、电效应B、微机械效应C、空穴现象相关效应D、热效应

3.利用装药一端的空穴提高局部破坏作用的效应称为()。

4.场效应管靠()导电。A、一种载流子B、两种载流子C、电子D、空穴

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  • 第1题：

    P型半导体中,电子数与空穴数相比()。

    A、电子数多于空穴数

    B、电子数少于空穴数

    C、电子数等于空穴数

    D、电子数与空穴数之比为2:3


    参考答案：B

  • 第2题：

    场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。


    参考答案：电子 空穴

  • 第3题：

    光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫()

    A、内光电效应

    B、外光电现象

    C、热电效应

    D、光生伏特效应


    参考答案：A

  • 第4题：

    电力晶体管GTR内部电流是由（）形成的。

    • A、电子
    • B、空穴
    • C、电子和空穴
    • D、有电子但无空穴

    正确答案:C

  • 第5题：

    本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。

    • A、自由电子数目增加，空穴数目不变
    • B、空穴数目增多，自由电子数目不变
    • C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同
    • D、自由电子和空穴数目不变

    正确答案:C

  • 第6题：

    空穴效应


    正确答案: 这种靠空穴闭合产生冲击、高压，并将能量集中起来，在一定方向上形成较高能流密度的聚能流效应。能形成聚能流的装药称为聚能装药，借以聚能流的空穴称为聚能穴。

  • 第7题：

    N沟道结型场效应管中的载流子是（）

    • A、自由电子
    • B、空穴
    • C、电子和空穴
    • D、带电离子

    正确答案:A

  • 第8题：

    判断题
    光敏电阻的前列效应是由于被光照过后所产生的光生电子与空穴的复合需要很长的时间，而且，随着复合的进行，光生电子与空穴的浓度与复合几率不断减小，使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很长时间这一特性的描述。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。
    A

    P区；

    B

    N区；

    C

    结区；

    D

    中间区。


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    D沟道型场效应管中的载流子是（）
    A

    自由电子

    B

    空穴

    C

    电子和空穴

    D

    带电离子


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    利用装药一端的空穴提高局部破坏作用的效应称为（）。

    正确答案： 聚能效应
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    场效应管参与导电的载流子是（）。
    A

    电子

    B

    空穴

    C

    多数载流子

    D

    少数载流子


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。

    A、电子数多于空穴数

    B、电子数少于空穴数

    C、电子数等于空穴数

    D、电子数与空穴数之比为2:3


    参考答案：A

  • 第14题：

    在N型半导体中()。

    A、只有自由电子

    B、只有空穴

    C、有空穴也有电子

    D、没有空穴也没有自由电子


    参考答案：C

  • 第15题：

    半导体中空穴电流是由（）

    • A、价电子填补空穴形成的
    • B、自由电子填补空穴形成的
    • C、空穴填补自由电子形成的
    • D、自由电子定向运动形成的

    正确答案:A

  • 第16题：

    电力晶闸管GTR内部电流是由（）形成的。

    • A、电子
    • B、空穴
    • C、电子和空穴
    • D、有电子但无空穴

    正确答案:D

  • 第17题：

    本征半导体载流子（）

    • A、自由电子和空穴的浓度无法确定
    • B、自由电子的浓度小于空穴的浓度
    • C、自由电子的浓度大于空穴的浓度
    • D、自由电子和空穴的浓度相等

    正确答案:D

  • 第18题：

    温度升高后，在纯净的半导体中（）

    • A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同
    • B、空穴增多，自由电子数目不变
    • C、自由电子增多，空穴不变
    • D、自由电子和空穴数目都不变

    正确答案:A

  • 第19题：

    单选题
    简述光生伏特效应中正确的是（）
    A

    用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；

    B

    p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；

    C

    平衡载流子破坏原来的热平衡；

    D

    非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    重空穴指的是（）。
    A

    质量较大的原子形成的半导体产生的空穴

    B

    价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴

    C

    价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴

    D

    自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    什么是“空穴”？简述空穴的属性？

    正确答案： 空穴：空缺一个状态的能带的电流犹如由一个带正电荷e，具有空缺态电子的速度的“粒子”对电流的贡献。这一粒子称为“空穴”
    空穴的属性：带正电荷e速度为缺失状态电子的速度，有效质量为正，数值等于该电子有效质量的绝对值。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）
    A

    电子、空穴

    B

    空穴、电子

    C

    电子、电子

    D

    空穴、空穴


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。
    A

    空穴；空穴

    B

    空穴；自由电子

    C

    自由电子；空穴

    D

    自由电子；自由电子


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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