单选题关于直接转换型平板探测器结构的描述，错误的是（　　）。A 玻璃基板B 集电矩阵C 非晶硒层D 半导体层E 顶层电极

题目
单选题
关于直接转换型平板探测器结构的描述，错误的是（　　）。
A

玻璃基板

B

集电矩阵

C

非晶硒层

D

半导体层

E

顶层电极

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1.关于非晶硅平板探测器的叙述，下列错误的是()。A.属于间接转换型平板探测器B.常见的多为碘化铯+非晶硅型C.碘化铯层的晶体直接生长在基板上D.碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影E.X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程

2.属于DR成像直接转换方式的部件是A.闪烁体+CCD摄像机阵列 B.非晶硒平板探测器 C.碘化铯+非晶硅探测器 D.半导体狭缝线阵探测器 E.多丝正比电离室

3.关于DR探测器的类型，错误的是A.非晶硒平板型探测器 B.非晶硅平板型探测器 C.碘化铯平板型探测器 D.多丝正比室扫描DR E.CCD摄像机型DR

4.关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是()。A.使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B.典型材料为非晶硒(a-Se)C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D.非晶硒层直接将X线转换成电信号E.与非晶硅探测器的工作原理相同

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  • 第1题：

    关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是（）

    • A、使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷
    • B、典型材料为非晶硒（a-SE.
    • C、每个薄膜晶体管（TFT）形成一个采集图像的最小单元
    • D、非晶硒层直接将X线转换成电信号
    • E、与非晶硅探测器的工作原理相同

    正确答案:E

  • 第2题：

    关于直接转换型平板探测器结构的描述，错误的是（）

    • A、玻璃基板
    • B、集电矩阵
    • C、非晶硒层
    • D、半导体层
    • E、顶层电极

    正确答案:D

  • 第3题：

    属于DR成像间接转换方式的部件是（）

    • A、增感屏
    • B、非晶硒平板探测器
    • C、碘化铯+非晶硅探测器
    • D、半导体狭缝线阵探测器
    • E、多丝正比电离室

    正确答案:C

  • 第4题：

    关于间接转换型平板探测器结构的描述，错误的是（）

    • A、表面电极
    • B、基板层
    • C、光电二极管
    • D、非晶硅TFT阵列
    • E、碘化铯晶体层

    正确答案:B

  • 第5题：

    单选题
    非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的区别在于（　　）。
    A

    信号读出

    B

    荧光材料层和探测元阵列层的不同

    C

    A/D转换

    D

    信号输出

    E

    信号放大


    正确答案： B
    解析：
    非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器，其信号读出、放大、A/D转换和输出等部分基本相同。二者的区别在于荧光材料层和探测元阵列层的不同。

  • 第6题：

    多选题
    关于间接转换型平板探测器结构的叙述，正确的是（　　）。
    A

    碘化铯晶体层

    B

    非晶硅TFT阵列

    C

    光电二极管

    D

    行驱动电路

    E

    表面电极


    正确答案： B,D
    解析：
    非晶硅平板探测器其基本结构为碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路以及图像信号读取电路四部分。

  • 第7题：

    单选题
    属于DR成像间接转换方式的部件是（）
    A

    增感屏

    B

    非晶硒平板探测器

    C

    碘化铯+非晶硅探测器

    D

    半导体狭缝线阵探测器

    E

    多丝正比电离室


    正确答案： C
    解析： DR成像间接转换方式的部件是碘化铯+非晶硅探测器，X线照射碘化铯，X线光子转换为可见光，可见光激发非晶硅光电二极管阵列产生电信号。

  • 第8题：

    单选题
    关于间接转换型平板探测器结构的描述，错误的是（　　）。
    A

    表面电极

    B

    基板层

    C

    光电二极管

    D

    非晶硅TFT阵列

    E

    碘化铯晶体层


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    间接转换型平板探测器的组成不包括（　　）。
    A

    基板层

    B

    光电二极管

    C

    非晶硅TFT阵列

    D

    碘化铯晶体层

    E

    集电矩阵


    正确答案： A
    解析：
    间接转换型平板探测器由基板层、光电二极管、非晶硅TFT阵列、碘化铯晶体层等组成。

  • 第10题：

    单选题
    集点矩阵层中包含的TFT是（　　）。
    A

    薄膜晶体管

    B

    发光晶体管

    C

    非晶硒

    D

    非晶硅

    E

    氢化非晶硅


    正确答案： E
    解析：
    集点矩阵层中包含TFT（thin film transistor，薄膜晶体管）、储能电容。

  • 第11题：

    单选题
    下列属于DR成像间接转换方式的部件是（　　）。
    A

    闪烁体

    B

    非晶硒平板探测器

    C

    CCD摄像机阵列

    D

    碘化铯＋非晶硅探测器

    E

    半导体狭缝线阵列探测器


    正确答案： B
    解析：
    DR成像的转换方式：①直接转换方式包括：直接转换平板探测器（非晶硒）；多丝正比电离室狭缝扫描方式或半导体狭缝扫描方式。②间接转换方式包括：间接转换平板探测器（碘化铯＋非晶硅，或使用硫氧化钆/铽）；闪烁体＋CCD摄像机阵列。

  • 第12题：

    多选题
    DSA非晶硅平板探测器的构成。（）
    A

    碘化铯构成的闪烁体层

    B

    CCD层

    C

    信号读出电路

    D

    石英玻璃衬体

    E

    非晶硅薄膜晶体管阵列层


    正确答案： C,B
    解析： 非晶硅平板探测器由碘化铯构成的闪烁体层、非晶硅阵列层、信号读出电路和石英玻璃衬体等部分组成，是一种三层结构：表面一层为碘化铯闪烁体材料，其中碘化铯光柱达20μm，由连续排列的针状碘化铯晶体构成，针柱的直径约6μm，外表面由重元素铊包裹以形成可见光波导减少漫射；第二层是以非晶硅为材料的光电二极管电路；最底层为TFT（大面积薄膜晶体管阵列）电荷信号读出电路（即电荷收集阵列电路）。当然还有起支持作用的玻璃层。

  • 第13题：

    关于非晶硅平板探测器的叙述，下列错误的是（）

    • A、属于间接转换型平板探测器
    • B、常见的多为碘化铯+非晶硅型
    • C、碘化铯层的晶体直接生长在基板上
    • D、碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影
    • E、X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程

    正确答案:D

  • 第14题：

    属于DR成像直接转换方式的部件是（）

    • A、闪烁体+CCD摄像机阵列
    • B、非晶硒平板探测器
    • C、碘化铯+非晶硅探测器
    • D、半导体狭缝线阵探测器
    • E、多丝正比电离室

    正确答案:B

  • 第15题：

    关于直接转换型平板探测器工作原理的描述，错误的是（）

    • A、入射X线光子在硒层中产生电子-空穴对
    • B、电子和空穴向相顶层电极移动
    • C、信号电流被相应检测单元的接收电极所收集
    • D、储能电容中电荷量与入射X线强度成正比
    • E、采集单元储能电容中积聚的电荷被依次读出

    正确答案:B

  • 第16题：

    单选题
    关于直接转换型平板探测器结构的描述，错误的是（　　）。
    A

    玻璃基板

    B

    集电矩阵

    C

    非晶硒层

    D

    半导体层

    E

    顶层电极


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    单选题
    非晶硅平板探测器基本结构为（　　）。
    A

    碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路

    B

    碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路

    C

    硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路

    D

    非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路

    E

    碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路


    正确答案： C
    解析：
    非晶硅平板探测器基本结构为：碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路。

  • 第18题：

    单选题
    直接转换型平板探测器中，存储电流信号的元件是（　　）。
    A

    极间电容

    B

    光电二极管

    C

    场效应管

    D

    模数转换器

    E

    非晶硒层


    正确答案： A
    解析：
    直接转换型平板探测器中，电流信号被存储在薄膜晶体管（TFT）的极间电容上。

  • 第19题：

    单选题
    属于DR成像直接转换方式的部件是（）
    A

    闪烁体+CCD摄像机阵列

    B

    非晶硒平板探测器

    C

    碘化铯+非晶硅探测器

    D

    半导体狭缝线阵探测器

    E

    多丝正比电离室


    正确答案： B
    解析： DR成像直接转换方式的部件为非晶硒平板探测器，X线光子可直接转换为电信号。

  • 第20题：

    单选题
    关于探测器说法，不正确的是（　　）。
    A

    非晶硒平板探测器的非晶硒层直接将X线转换成电信号

    B

    太厚的非晶硒会导致其他伪影的产生

    C

    伪影的程度取决于X线被吸收前在非晶硒内前行的距离

    D

    探测器的设计在X线捕获和电子信号之间不产生折中

    E

    图像持留时间限制了图像的采集速度，这对全自动曝光技术带来了负面效应


    正确答案： D
    解析：
    探测器的设计必须在X线捕获和电子信号产生之间折中。

  • 第21题：

    单选题
    关于直接转换型平板探测器工作原理的描述，错误的是（　　）。
    A

    入射X线光子在硒层中产生电子-空穴对

    B

    电子和空穴向相顶层电极移动

    C

    信号电流被相应检测单元的接收电极所收集

    D

    储能电容中电荷量与入射X线强度成正比

    E

    采集单元储能电容中积聚的电荷被依次读出


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    关于非晶硅平板探测器的叙述，下列错误的是（）
    A

    属于间接转换型平板探测器

    B

    常见的多为碘化铯+非晶硅型

    C

    碘化铯层的晶体直接生长在基板上

    D

    碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影

    E

    X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    DR探测器的主要结构为（　　）。
    A

    导电层和保护层

    B

    顶层电极、电介层和高压电源

    C

    硒层和集点矩阵层

    D

    玻璃衬底层和输入/输出电路

    E

    硒层和高压电源


    正确答案： B
    解析：
    探测器主要由导电层、电介层、硒层、顶层电极和集点矩阵层、玻璃衬底层、保护层以及高压电源和输入/输出电路所组成，其中硒层和集点矩阵层是主要结构。

  • 第24题：

    单选题
    关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是（）
    A

    使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷

    B

    典型材料为非晶硒（a-SE.

    C

    每个薄膜晶体管（TFT）形成一个采集图像的最小单元

    D

    非晶硒层直接将X线转换成电信号

    E

    与非晶硅探测器的工作原理相同


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

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