0.1
0.3
0.5
0.7
第1题:
第2题:
A.0.1
B.0.3
C.0.5
D.0.7
第3题:
二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。
第4题:
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。
第5题:
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
第6题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
第7题:
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
第8题:
在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第9题:
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
第10题:
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
第11题:
0.5V
0.7V
0.1V
0.3V
第12题:
1V
0.2V
0.6V
第13题:
第14题:
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为()。
第15题:
二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。
第16题:
在二极管两端加上正向电压时,电流与电压的关系正向特性。通常硅管为()V。
第17题:
硅二极管的正向导通压降约为()
第18题:
硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。
第19题:
在常温下,硅二极管的开启电压是()V,导通后在较大电流下时正向压降约()V。
第20题:
在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。
第21题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第22题:
常温下,硅二极管的正向导通压降为()。
第23题: