绝缘型;
IGBT型;
稳压型;
第1题:
A.绝缘型;
B.IGBT型;
C.稳压型;
第2题:
CMOS电路是指()。
第3题:
下列描述正确的是()
第4题:
结型场效应管的类型有()。
第5题:
结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。
第6题:
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
第7题:
场效应管按结构分为结型和()。
第8题:
当uGS=0时,漏源间存在导电沟道的称为()型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为()型场效应管。
第9题:
场效应管按结构分为结型和()两种类型。
第10题:
结型场效应管的栅、源极之间应加()电压。
第11题:
静电感应场效应管SIT是一种结型场效应管,属于()
第12题:
场效应管是电压控制电流元件
场效应管输入电阻较小
场效应管是双极型晶体管
第13题:
下列关于场效应管的说法中,错误的是:
第14题:
结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
第15题:
高压复合结型场效应管
第16题:
场效应管的类型有()。
第17题:
()具有不同的低频小信号电路模型。
第18题:
MOS场效应管的输入电阻比J型场效应管的输入电阻()得多。
第19题:
场效应管除了结型场效应管外,还有()型场效应管;
第20题:
增强型场效应管中,用Vt表示()电压。
第21题:
耗尽型场效应管中,用Vp表示()电压。
第22题:
更具结构不同,场效应管分为()
第23题:
根据结构的不同,场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。