单选题在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是（　　）。A 31～40℃B 21～30℃C 10℃以内D 11～20℃E 5℃

题目
单选题
在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是（　　）。
A

31～40℃

B

21～30℃

C

10℃以内

D

11～20℃

E

5℃

相似考题

1.真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有2种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃B、21～30℃C、10℃以内D、11～20℃E、5℃在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败B、烤瓷失败，烤瓷件报废C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连D、炉膛报废E、发热体损坏真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

2.若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

3.真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括( )。A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是( )。A、31～40℃B、21～30℃C、10℃以内D、11～20℃E、5℃在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是( )。A、烤瓷失败B、烤瓷失败，烤瓷件报废C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连D、炉膛报废E、发热体损坏

4.上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

更多“在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数”相关问题

  • 第1题：

    用釉粉上釉的烧结温度是

    A.低于体瓷烧结温度6～8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案：A

  • 第2题：

    上釉的烧结温度是

    A．低于体瓷温度5℃

    B．低于体瓷温度10℃

    C．低于体瓷温度20℃

    D．高于体瓷温度5℃

    E．高于体瓷温度10℃


    正确答案：B
    B

  • 第3题：

    真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间

    B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

    在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃

    B、21～30℃

    C、10℃以内

    D、11～20℃

    E、5℃

    在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败

    B、烤瓷失败，烤瓷件报废

    C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连

    D、炉膛报废

    E、发热体损坏

    请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！


    问题 1 答案解析：D


    问题 2 答案解析：C


    问题 3 答案解析：C

  • 第4题：

    金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是 ( )

    A.代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉
    B.上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉
    C.代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉
    D.代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉
    E.上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉

    答案：A
    解析：

  • 第5题：

    若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。

    • A、低于体瓷烧结温度5℃
    • B、低于体瓷烧结温度10℃
    • C、高于体瓷烧结温度5℃
    • D、高于体瓷烧结温度10℃
    • E、以上均不正确

    正确答案:D

  • 第6题：

    以下关于金属烤瓷冠的描述中错误的是（）

    • A、瓷层越厚越好
    • B、镍铬合金基底冠较金合金强度好
    • C、避免多次烧结
    • D、体瓷要在真空中烧结
    • E、上釉在空气中完成

    正确答案:A

  • 第7题：

    单选题
    真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是（）。
    A

    31～40℃

    B

    21～30℃

    C

    10℃以内

    D

    11～20℃

    E

    5℃


    正确答案： C
    解析： 采用体瓷、透明瓷自身上釉，需将炉温升至高于体瓷烧结温度10℃以内。

  • 第8题：

    单选题
    金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是（　）
    A

    上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉

    B

    代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉

    C

    代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉

    D

    代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉

    E

    上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是（　　）。
    A

    31～40℃

    B

    21～30℃

    C

    10℃以内

    D

    11～20℃

    E

    5℃


    正确答案： B
    解析：
    一般以低于体瓷烧结温度6～8℃进行烧结，以保证体瓷不变形。采用体瓷、透明瓷自身上釉，需将炉温升至高于体瓷烧结温度10℃以内。

  • 第10题：

    单选题
    PFM冠上釉时的炉温是（　　）。
    A

    与体瓷的烧结温度相同

    B

    低于体瓷烧结温度6～8℃

    C

    低于体瓷烧结温度10～20°C

    D

    高于体瓷烧结温度6～8℃

    E

    高于体瓷烧结温度10～20℃


    正确答案： A
    解析：
    低于体瓷烧结温度6～8℃，以保证体瓷不变形。

  • 第11题：

    PFM冠上釉时的炉温是

    A、与体瓷的烧结温度相同

    B、低于体瓷烧结温度6～8℃

    C、低于体瓷烧结温度10～20℃

    D、高于体瓷烧结温度6～8℃

    E、高于体瓷烧结温度10～20℃


    参考答案：B

  • 第12题：

    以下关于金瓷冠的描述，错误的是

    A、瓷层越厚越好

    B、镍铬合金基底冠较金合金强度好

    C、避免多次烧结

    D、体瓷要在真空中烧结

    E、上釉在空气中完成


    参考答案：A

  • 第13题：

    在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是

    A．31～40℃

    B．21～30℃

    C．10℃以内

    D．11～20℃

    E．5℃


    正确答案：C

  • 第14题：

    陶瓷制作的基本工艺流程为（）。

    • A、淘泥、摞泥、捺水、拉坯、印坯、修坯、画坯、上釉、烧窑、成瓷
    • B、淘泥、摞泥、拉坯、印坯、修坯、捺水、画坯、上釉、烧窑、成瓷
    • C、摞泥、淘泥、印坯、拉坯、修坯、捺水、画坯、上釉、烧窑、成瓷
    • D、摞泥、淘泥、捺水、拉坯、印坯、修坯、画坯、上釉、烧窑、成瓷

    正确答案:B

  • 第15题：

    上釉的烧结温度是（）。

    • A、低于体瓷烧结温度5℃
    • B、低于体瓷烧结温度10℃
    • C、高于体瓷烧结温度5℃
    • D、高于体瓷烧结温度10℃
    • E、以上均不正确

    正确答案:B

  • 第16题：

    单选题
    瓷粉堆筑的基本顺序是（　　）。
    A

    体瓷—切瓷—遮色瓷—透明瓷—上釉

    B

    切瓷—体瓷一透明瓷一遮色瓷—上釉

    C

    遮色瓷—切瓷—透明瓷—体瓷—上釉

    D

    遮色瓷—体瓷—切瓷一透明瓷—上釉

    E

    透明瓷—遮色瓷—体瓷—切瓷—上釉


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    单选题
    若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（　　）。
    A

    B

    C

    D

    E


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    单选题
    若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。
    A

    低于体瓷烧结温度5℃

    B

    低于体瓷烧结温度10℃

    C

    高于体瓷烧结温度5℃

    D

    高于体瓷烧结温度10℃

    E

    以上均不正确


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    单选题
    以下关于金属烤瓷冠的描述中错误的是（　　）。
    A

    瓷层越厚越好

    B

    镍铬合金基底冠较金合金强度好

    C

    避免多次烧结

    D

    体瓷要在真空中烧结

    E

    上釉在空气中完成


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

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