10
30
50
70
90
第1题:
钨靶X线管产生特征X线的最低管电压是
A.35kV
B.50kV
C.70kV
D.85kV
E.90kV
第2题:
对于钨靶X线管,产生特征X线的最低管电压是
A.35kV
B.50kV
C.70kV
D.85kV
E.90kV
第3题:
钨靶X线机,产生特征X线的最低管电压是
A、35kVp
B、50kVp
C、70kVp
D、85kVp
E、90kVp
第4题:
A、管电压升高,连续射线量比例增加
B、管电压升高,特征射线比例减少
C、是连续射线与标识射线的叠加线谱
D、70kVp以上不产生特征X线
E、80~150kVp特征X线占50%
第5题:
第6题:
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。下列叙述错误的是()
第7题:
μ与z的四次方成正比
当管电压在25kv时脂肪与腺体组织之间的对比度是管电压在35kv时的5倍
在40kv下,钼靶能产生K系列特征辐射
而钨靶只产生L系列特征辐射
L系列特征辐射的平均能量为20kev,这种X线的能量较低。
第8题:
高速电子与靶物质轨道电子作用的结果
特征X线的质取决于高速电子的能量
特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定
靶物质原子序数较高特性X线的能量大
70kVp以下钨不产生K系特征X线
第9题:
特征放射又称标识放射
是高速电子击脱靶物质原子的外层轨道电子产生的
它的X线光子能量与冲击靶物质的高速电子能量有关
只服从于靶物质的原子特性
管电压在70kVp钨靶才能产生特征X线
第10题:
高速电子的动能
靶面物质
管电压
阴极加热电流
有效焦点大小
第11题:
钼靶产生X线的效率比钨靶高
软组织摄片时,主要利用钼产生的连续X线
相同灯丝加热电流和相同管电压下,钼靶管比钨靶管获得管电流小
钼靶X线管的极间距离比钨靶管的小
钼靶产生的X线主要对密度高
第12题:
高速电子与靶物质轨道电子作用的结果
X线的质与高速电子的能量有关
X线的波长由跃迁的电子能量差决定
靶物质原子序数较高的X线的能量大
70kVp以下钨靶不产生
第13题:
对于钨靶X线管,产生特征X线的最低管电压是
A、35kVp
B、50kVp
C、70kVp
D、85kVp
E、90kVp
第14题:
钨靶X线机,产生特征X线的最低管电压是
A.35kV
B.50kVp
C.70kVp
D.85kVp
E.90kV
第15题:
有关特征X线的解释,错误的是
A.是高速电子与靶物质原子的内层轨道电子相互作用的结果
B.特征放射产生的X线的质与高速电子的能量有关
C.其波长,由跃迁的电子能量差所决定
D.靶物质原子序数较高时,特征X线的能量就大
E.钨靶在70kVp以下不产生K系特征X线
第16题:
关于X线谱的叙述,正确的是
A.管电压升高,连续射线量比例增加
B.管电压升高,特征射线比例减少
C.是连续射线与标识射线的叠加线谱
D.70kVp以上不产生特征X线
E.80~150kVp特征X线占50%
第17题:
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。 有关特征X线的解释,错误的是()
第18题:
对钼靶X线管,叙述正确的是( )
第19题:
35kV
50kV
70kV
85kV
90kV
第20题:
特征放射又称标识放射
是高速电子击脱靶物质原子的外层轨道电子产生的
它的X线光子能量与冲击靶物质的高速电子能量有关
只服从于靶物质的原子特性
管电压在70kVp以上钨靶才能产生特征X线
第21题:
是高速电子冲击靶物质内层轨道电子而产生的
L层电子比K层电子的能量少
70keV以下不产生钨的特性X线
150kVp以上,特性X线减少
特性X线能量与靶物质的原子序数有关
第22题:
无线电波
微波
超声波
红外线
γ射线
第23题:
是高速电子与靶物质原子的内层轨道电子相互作用的结果
特征放射产生的X线的质与高速电子的能量有关
其波长,由跃迁的电子能量差所决定
靶物质原子序数较高时,特征X线的能量就大
钨靶在70kVp以下不产生K系特征X线