对
错
第1题:
当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。
A对
B错
第2题:
当电容器的容量和其两端的电压值一定时,若电源的频率越高则电路的无功功率越小。
第3题:
当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。
第4题:
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。
第5题:
当电容器的电容值一定时,加在电容器两端的电压频率越大,容抗越小
第6题:
使用QS1型交流电桥测量tanØ时,试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内,随频率的增加,tanØ值增加。当超过某一频率f0时,tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。
第7题:
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成()。
第8题:
当绝缘介质一定,外加电压一定时,介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成()。
第9题:
当电介质一定,外加电压及频率一定时,介质损耗P与tgδ()
第10题:
反比
正比
U形曲线比例关系
第11题:
对
错
第12题:
对
错
第13题:
当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。
第14题:
当绝缘介质一定,外加电压一定时,介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成正比。
第15题:
M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P,则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。
第16题:
tanδ测试时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线,则试品属于()。
第17题:
测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值,电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比,其差值应在()范围内。
第18题:
介质损耗测试主要试验步骤有()。
第19题:
某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗正切值tanδ,采用的电压频率f=50Hz,电桥内的电阻R4取3184Ω,调节电阻R3及电容C4使检流计指零,此时电容C4的电容量为0.08μF,则介质损耗正切值tanδ为()。
第20题:
有n个试品的介质损耗因数分别为tanδl、tanδ2、tanδ3、…、tanδn,若将它们并联在一起测得的总tanδ值必为tanδl、…、tanδn中的()。
第21题:
0.02
0.08
0.3184
1
第22题:
对
错
第23题:
对
错
第24题:
对
错