100~200nm
390~490nm
290~390nm
200~300nm
190~290nm
第1题:
CR成像板结构不包括:
A.表面保护层
B.光激励发光层
C.基板
D.反射层
E.背面保护层
第2题:
CR中文全称统一称为()
第3题:
限制CR影像读取时间的主要因素是()
第4题:
CR系统中PSL的含义是()
第5题:
近紫外光区的波长范围为(),可见光区的波长范围为(),中红外光区的波长范围为()。
第6题:
辉尽性荧光物质
光激励发光
光发光
发光体
被照体
第7题:
计算机X线摄影
存储荧光体成像
光激励存储荧光体成像
数字存储荧光体成像
数字化发光X线摄影
第8题:
X线照射到成像板的光激励荧光体时,其晶体结构中“陷阱”部位吸收并存储了X线能量
在光激励发光过程中,荧光体在附加的适当波长的激光能量的激励下,将俘获的能量释放出来
成像板上涂有一层“光激励存储荧光体”,选用的材料必须具有“光激励发光”的特性
曝光后的成像板由于吸收X线而发生电离,在光激励荧光体的晶体中产生电子/空穴对
曝光后的成像板在阅读器内,必须用高能量、高度聚焦的激光扫描
第9题:
成像板上涂有一层光激励存储荧光体,选用的材料不具有“光激励发光”的特性
微量的Eu2+混杂物加在光激励荧光体中,以改变它的结构和物理特性
曝光后的成像板在阅读器内,经过用低能量高度聚焦和放大的红色激光扫描
最常用的激光是He-Ne激光和“二极管”激光,光激励发光波长为390~490nm
影像读取完成后,IP的影像数据可通过施加强光照射来消除
第10题:
光激励发光强度
光激励发光方向
光激励发光的衰减时间
信号增幅放大程度
模数转换器工作效率
第11题:
第12题:
第13题:
下列称谓中与CR不相干的是()
第14题:
单色光为可见光中()
第15题:
光激励发光
第16题:
CR中光激励发光的波长为()
第17题:
单一波长的光
波长最短的光
波长最长的光
波长叠加的光
第18题:
防光晕层
表面保护层
基板层
背面保护层
光激励发光物质层
第19题:
X线量子噪声
光激励发光噪声
成像板结构噪声
增感屏结构噪声
电子噪声
第20题:
100~200nm
390~490nm
290~390nm
200~300nm
190~290nm
第21题:
把储存的高能射线通过光激励后以可见光的形式释放
它是在19世纪中期开始使用的
1895年伦琴发现X线,使用了光激励效应
储存荧光体技术比CR的历史长
通过全野或局域激励的方法,把不可见空间影像转换为可见状态
第22题:
计算机X线摄影
存储荧光体数字X线摄影
数字发光X线摄影
光激励发光X线摄影
直接数字X线摄影