对
错
第1题:
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。
第2题:
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的()。它随频率的增加、晶片直径的减小而()。
第3题:
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率增加、晶片直径减小而增大。
第4题:
探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。
第5题:
探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面探伤不利。
第6题:
探头晶片尺寸增加,近场区长度增加,对探伤不利。
第7题:
第8题:
对
错
第9题:
对
错
第10题:
第11题:
对
错
第12题:
对
错
第13题:
超声波探头的半扩散角近似与晶片直径成正比,与波长成反比。
第14题:
超声波探头的近场长度近似与晶片直径成正比,与波长成反比。
第15题:
探头晶片面积相同,高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。
第16题:
斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。
第17题:
说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?
第18题:
对
错
第19题:
对
错
第20题:
增大
不变
减小
都有可能
第21题:
对
错
第22题:
对
错
第23题:
增加
减小
不变