填空题PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。

题目
填空题
PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
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1.PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成

2.当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子

3.对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子

4.PN结是()形成的。A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散

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  • 第1题：

    PN结的宽度稳定后（）。

    • A、载流子停止运动
    • B、只有多数载流子的扩散运动
    • C、扩散与漂移运动达到动态平衡

    正确答案:C

  • 第2题：

    N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。


    正确答案:电子；空穴

  • 第3题：

    当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。

    • A、不一定
    • B、少数载流子
    • C、既有多数载流子，又有少数载流子
    • D、多数载流子

    正确答案:D

  • 第4题：

    N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。

    • A、正离子
    • B、自由电子
    • C、空穴
    • D、负离子
    • E、质子
    • F、中子

    正确答案:B,C

  • 第5题：

    半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。


    正确答案:电子；空穴；空穴；电子；电子；空穴

  • 第6题：

    PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的（）运动和少数载流子的（）运动。


    正确答案:扩散；漂移

  • 第7题：

    N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。


    正确答案:电子；空穴

  • 第8题：

    对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）

    • A、多数载流子
    • B、少数载流子
    • C、既有多数载流子又有少数载流子

    正确答案:C

  • 第9题：

    为什么PN结具有单向导电性（）。

    • A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向一致，增强内电场作用，多数载流子顺利通过在电路中形成电流，正向导通
    • B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向相反，削弱内电场阻挡作用，使多数载流子顺利通过阻挡层，在电路中形成电流，正向导通
    • C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向相反，削弱内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用
    • D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向一致，增强内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用

    正确答案:B,D

  • 第10题：

    在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。


    正确答案:正确

  • 第11题：

    单选题
    简述光生伏特效应中正确的是（）
    A

    用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；

    B

    p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；

    C

    平衡载流子破坏原来的热平衡；

    D

    非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。

    正确答案： N,P
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）

    • A、少数载流子
    • B、多数载流子
    • C、既有少数载流子又有多数载流子
    • D、本征载流子

    正确答案:C

  • 第14题：

    N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。


    正确答案:错误

  • 第15题：

    PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。


    正确答案:空穴、电子

  • 第16题：

    P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。


    正确答案:空穴

  • 第17题：

    光生电流包括（）。

    • A、耗尽区内的光生载流子形成的电流
    • B、P区的光生载流子形成的电流
    • C、N区的光生载流子形成的电流
    • D、无外加电压和光子入射时，PN结输出电流

    正确答案:A,B,C

  • 第18题：

    当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。

    • A、多数载流子浓度增大
    • B、少数载流子浓度增大
    • C、多数载流子浓度减小
    • D、少数载流子浓度减小

    正确答案:B

  • 第19题：

    PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。


    正确答案:相同；宽

  • 第20题：

    N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。


    正确答案:自由电子；空穴

  • 第21题：

    PN结反向漏电流是由（）产生的。

    • A、电子
    • B、空穴
    • C、少数载流子
    • D、多数载流子

    正确答案:C

  • 第22题：

    N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。


    正确答案:错误

  • 第23题：

    填空题
    PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。

    正确答案： 空穴、电子
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。
    A

    不一定

    B

    少数载流子

    C

    既有多数载流子，又有少数载流子

    D

    多数载流子


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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