参考答案和解析
正确答案: 1.优点
1) 能获得全局平坦化。
2) 对于各种各样的硅片表面都能平坦化。
3) 可对多层材料进行平坦化。
4) 减小严重的表面起伏,使层间介质和金属层平坦,可以实现更小的设计图形,更多层的金属互连,提高电路的可靠性、速度和良品率。
5) 解决了铜布线难以刻蚀良好图形的问题。
6) 通过减薄表层材料,可以去掉表面缺陷。
7) CMP是湿法研磨,不使用干法刻蚀中常用的危险气体。
8) CMP可以实现设备自动化、大批量生产、高可靠性和关键参数控制。
2.缺点
1) 影响平坦化质量的工艺因素很多且不易控制。
2) CMP进行平坦化的同时也会引入新的缺陷。
3) 需要配套的设备、材料、工艺控制技术,这是一个需要开发、提高的系统工程。
4) 设备、技术、耗材、维护等十分昂贵。
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更多“简述CMP优点和缺点”相关问题
  • 第1题:

    简述拱桥的优点和缺点。


    正确答案:优点:
    1.跨越能力较大;
    2.能充分做到就地取材,与梁式桥相比可以省大量的钢材和水泥;
    3.耐久性好,而且养护和维修费用少;
    4.外形美观;
    5.构造较简单,尤其是圬工拱桥,技术容易被掌握,有利于广泛采用。
    缺点:
    1.自重较大,相应的水平推力也较大,增加的下部结构的工程量,对地基条件的要求较高;
    2.拱桥一般都采用,支架上施工的方法,修建随着跨径和桥高的增加,支架或其他附属设备的费用大大增加,建桥时间也较长;
    3.由于拱桥水平推力较大,在连续多孔的大、中桥梁中,为防止一孔破坏而影响全桥的安全需采用较复杂的措施或设置单向推力墩,增加了造价;
    4.与梁式桥相比,上承式拱桥的建筑高度较高,当用于城市立体交叉及平原区的桥梁时,因桥面标高提高,而使两岸接线的工程量增大,或使桥面纵坡增大,增大了造价,又对行车不利。

  • 第2题:

    问答题
    简述CMP技术的优点

    正确答案: 优点:
    (1)CMP可以将晶圆表面平坦化,可以允许高解析度的光刻技术。被平坦化的表面可以消除侧壁变薄引起金属导线高电阻和高迁移率问题,这种侧壁变薄与金属PVD工艺的阶梯覆盖有关。
    (2)CMP 平坦化不存在金属导线薄化问题。
    (3)被平坦化的表面也可以减小为了消除由于电介质阶梯形成的厚光刻胶引起的过度曝光和显影的需求。
    (4)平坦化的表面允许更均匀的薄膜淀积,减小过刻蚀所需的时间,并可以减小刻蚀技术中长时间过刻蚀有关的底切形成衬底损失。
    (5)只需很少的过刻蚀。
    解析: 暂无解析

  • 第3题:

    问答题
    简述CMP优点和缺点

    正确答案: 1.优点
    1) 能获得全局平坦化。
    2) 对于各种各样的硅片表面都能平坦化。
    3) 可对多层材料进行平坦化。
    4) 减小严重的表面起伏,使层间介质和金属层平坦,可以实现更小的设计图形,更多层的金属互连,提高电路的可靠性、速度和良品率。
    5) 解决了铜布线难以刻蚀良好图形的问题。
    6) 通过减薄表层材料,可以去掉表面缺陷。
    7) CMP是湿法研磨,不使用干法刻蚀中常用的危险气体。
    8) CMP可以实现设备自动化、大批量生产、高可靠性和关键参数控制。
    2.缺点
    1) 影响平坦化质量的工艺因素很多且不易控制。
    2) CMP进行平坦化的同时也会引入新的缺陷。
    3) 需要配套的设备、材料、工艺控制技术,这是一个需要开发、提高的系统工程。
    4) 设备、技术、耗材、维护等十分昂贵。
    解析: 暂无解析