填空题西林电桥测试ta118时采用（）时适用于试品整体与地隔离时的测量。

题目
填空题
西林电桥测试ta118时采用（）时适用于试品整体与地隔离时的测量。
相似考题

1.在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )

2.QSl型西林电桥正接线适用于被试品一端接地的情况。( )

3.西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错

4.用QSl型西林电桥进行实际测量时，消除磁场干扰的办法有：将电桥移到磁场干扰以外;在检流计极性转换开关处于两种不同位置时，调节电桥平衡，求得每次平衡时的试品tgδ值和电容值，然后再求取两次的平均值，以消除磁场干扰的影响。( )

参考答案和解析
正确答案： 正接线
解析： 暂无解析
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  • 第1题：

    采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。


    正确答案:错误

  • 第2题：

    西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。


    正确答案:错误

  • 第3题：

    西林电桥采用正接线时，电桥处于低电压，操作比较安全，电桥内部不受（）影响，但被试品对地必须绝缘。

    • A、大电流
    • B、高电压
    • C、强电场
    • D、磁场

    正确答案:C

  • 第4题：

    为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？


    正确答案: 小电容（小于500pF）试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时，其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
    按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳（垫绝缘）的介质损耗因数，测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉（电桥正接线测量时，接地点是电桥的屏蔽点）。为了在现场测试方便，可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数，便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷，而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小，而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大，也就对测量结果（反接线测量的综合介质损耗因数）有较大的影响。
    由于正接线具有良好的抗电场干扰，测量误差较小的特点，一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。

  • 第5题：

    数字式绝缘电阻表进行测量时，应先将测试线与试品相连接，再开电源将电压升至额定值进行测量，结束时先将电源关闭，再将测试线脱离试品。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    用电桥法测量直流电阻，当被试电阻在10以上时，一般采用（）测量。

    • A、单臂电桥
    • B、双臂电桥
    • C、西林电桥
    • D、兆欧表

    正确答案:A

  • 第7题：

    电磁式电压互感器直流电阻测试时，以下正确的是（）。

    • A、测试时，温度范围为－10℃～25℃，相对湿度小于80％
    • B、当需要测量大于或等于10Ω电阻时，应采用单臂电桥进行测量
    • C、小于10Ω电阻，采用双臂电桥进行测量
    • D、测量是应准确测量环境温度，将电阻值校正到参考温度与计算值比较

    正确答案:B,C,D

  • 第8题：

    用电桥法测量直流电阻，当被测试电阻在10Ω以上时，一般采用（）法测量。

    • A、单臂电桥
    • B、双臂电桥
    • C、西林电桥
    • D、都不对

    正确答案:A

  • 第9题：

    单选题
    用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用反接法（）。
    A

    可以试品一端接地

    B

    试品设在高压端

    C

    不适用于现场试验

    D

    操作方便


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品整体与地隔离时的测量。

  • 第11题：

    单选题
    用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用正接法（）。
    A

    需要试品两端对地绝缘

    B

    试品设在低压端

    C

    适用于现场试验

    D

    需要注意操作人员安全


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    用电桥法测量直流电阻，当被测试电阻在10Ω以上时，一般采用（）法测量。

    • A、单臂电桥
    • B、双臂电桥
    • C、西林电桥

    正确答案:A

  • 第14题：

    在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。


    正确答案:错误

  • 第15题：

    适用QSI型西林电桥测量试品tg∮，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在中间位置。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    用电桥法测量直流电阻，当被试电阻在10Ω以上时，一般采用（）测量。

    • A、单臂电桥
    • B、双臂电桥
    • C、西林电桥

    正确答案:A

  • 第18题：

    用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？


    正确答案: QS1型西林电桥分流器位置由被试品电容量决定：分流器位置在0.01档时，Cx一般在3000pF以下；分流器位置在0.025档时，Cx一般在8000pF以下；分流器位置在0.06档时，Cx一般在19400pF以下，分流器在0.15档时，Cx一般在48000pF以下；分流器位置在1.25档时，Cx一般在400000pF以下。
    此被试品电容量为4000pF，则一般应选择在0.025档。

  • 第19题：

    用电桥法测量直流电阻，当被测试电阻在10Ω以上时，一般采用（）法测量。

    • A、单臂电桥
    • B、双臂电桥
    • C、西林电桥
    • D、以上都不对

    正确答案:A

  • 第20题：

    判断题
    适用QSI型西林电桥测量试品tg∮，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在中间位置。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    试品电容量约为15000pF，当用10kVQS1型西林电桥测量其tgδ及C时，电桥分流器档位宜设置在（）档
    A

    0.01

    B

    0.025

    C

    0.06

    D

    0.15


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置
    A

    0.01

    B

    0.025

    C

    0.06

    D

    0.15


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
    A

    正接线

    B

    反接线

    C

    交叉接线


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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