杂质半导体（）A、自由电子和空穴的浓度不相等B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度无法确定

题目

杂质半导体（）

  • A、自由电子和空穴的浓度不相等
  • B、自由电子的浓度小于空穴的浓度
  • C、自由电子的浓度大于空穴的浓度
  • D、自由电子和空穴的浓度无法确定
相似考题

1.N型半导体中,自由电子的数目和空穴的数目()。A、自由电子数目多B、空穴的数目多C、相同D、不能确定

2.在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷E.空穴F.自由电子

3.P型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。A、大于B、小于C、等于D、大于或等于

4.下列关于P型半导体的说法正确的是()。A、自由电子`数大于空穴总数B、空穴总数远大于自由电子数C、自由电子成为多数载流子D、空穴成为少数载流子

参考答案和解析
正确答案:A
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  • 第1题：

    本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。

    • A、自由电子，空穴；扩散，飘移 
    • B、空穴，自由电子；漂移，扩散 
    • C、空穴，自由电子；扩散，漂移 
    • D、自由电子，空穴；漂移，扩散 
    • E、自由电子，空穴；扩散，扩散

    正确答案:C

  • 第2题：

    在纯净半导体内掺入适量的硼元素后，整个半导体（）。

    • A、空穴的浓度大大高于自由电子的浓度
    • B、自由电子的浓度大大高于空穴的浓度
    • C、空穴和自由电子的浓度不变

    正确答案:A

  • 第3题：

    在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

    • A、温度
    • B、掺杂工艺
    • C、杂质浓度
    • D、晶体缺陷
    • E、空穴
    • F、自由电子

    正确答案:A,C

  • 第4题：

    在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。


    正确答案:等于；小于；大于

  • 第5题：

    当环境温度升高时，本征半导体中（） 

    • A、自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变
    • B、自由电子的数量基本不变，而空穴的数量增加
    • C、自由电子和空穴的数量都增加
    • D、自由电子和空穴的数量都减少
    • E、自由电子和空穴的数量都不变

    正确答案:C

  • 第6题：

    温度升高后，在纯净的半导体中（）

    • A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同
    • B、空穴增多，自由电子数目不变
    • C、自由电子增多，空穴不变
    • D、自由电子和空穴数目都不变

    正确答案:A

  • 第7题：

    半导体中的载流子是指（）

    • A、自由电子
    • B、空穴
    • C、离子
    • D、自由电子和空穴

    正确答案:D

  • 第8题：

    本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。


    正确答案:等于；小于；大于

  • 第9题：

    半导体中空穴电流是由（）

    • A、价电子填补空穴所形成的；
    • B、自由电子填补空穴所形成的；
    • C、空穴填补自由电子所形成的；
    • D、自由电子定向运动所形成的。

    正确答案:A

  • 第10题：

    单选题
    N型半导体（）
    A

    自由电子和空穴的浓度相等

    B

    自由电子的浓度小于空穴的浓度

    C

    自由电子的浓度大于空穴的浓度

    D

    自由电子和空穴的浓度无法确定


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    自由空穴浓度大于自由电子浓度的半导体是（）型半导体

    正确答案： P
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    杂质半导体（）
    A

    自由电子和空穴的浓度不相等

    B

    自由电子的浓度小于空穴的浓度

    C

    自由电子的浓度大于空穴的浓度

    D

    自由电子和空穴的浓度无法确定


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    半导体中空穴电流是由（）

    • A、价电子填补空穴形成的
    • B、自由电子填补空穴形成的
    • C、空穴填补自由电子形成的
    • D、自由电子定向运动形成的

    正确答案:A

  • 第14题：

    P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。

    • A、空穴；空穴
    • B、空穴；自由电子
    • C、自由电子；空穴
    • D、自由电子；自由电子

    正确答案:B

  • 第15题：

    本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。

    • A、自由电子数目增加，空穴数目不变
    • B、空穴数目增多，自由电子数目不变
    • C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同
    • D、自由电子和空穴数目不变

    正确答案:C

  • 第16题：

    在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域，它（）。

    • A、有自由电子，没有空穴
    • B、没有自由电子，有空穴
    • C、有自由电子，有空穴
    • D、没有自由电子，没有空穴

    正确答案:D

  • 第17题：

    本征半导体载流子（）

    • A、自由电子和空穴的浓度无法确定
    • B、自由电子的浓度小于空穴的浓度
    • C、自由电子的浓度大于空穴的浓度
    • D、自由电子和空穴的浓度相等

    正确答案:D

  • 第18题：

    在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

    • A、大于
    • B、等于
    • C、小于

    正确答案:B

  • 第19题：

    本征半导体温度升高后（）。

    • A、自由电子数目增多，空穴数目基本不变
    • B、空穴数目增多，自由电子数目基本不变
    • C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同
    • D、自由电子和空穴数目不变

    正确答案:C

  • 第20题：

    温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。


    正确答案:错误

  • 第21题：

    P型半导体的特点是（）

    • A、自由电子浓度大于空穴的浓度
    • B、空穴的浓度大于自由电子的浓度
    • C、自由电子的浓度等于空穴的浓度

    正确答案:B

  • 第22题：

    单选题
    P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。
    A

    空穴；空穴

    B

    空穴；自由电子

    C

    自由电子；空穴

    D

    自由电子；自由电子


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    本征半导体载流子（）
    A

    自由电子和空穴的浓度无法确定

    B

    自由电子的浓度小于空穴的浓度

    C

    自由电子的浓度大于空穴的浓度

    D

    自由电子和空穴的浓度相等


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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