11根地址线可选()(或2KB)个存储单元,16KB存储单元需要()根地址线。
第1题:
若内存每个存储单元为16位,则______。
A.其地址线也为16位
B.其地址线与16无关
C.其地址线与16有关
D.其地址线也为32位
第2题:
DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的,通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片,能访问的存储单元数目是
A.29个
B.(29+29)个
C.(29×29)个
D.(9×9)个
第3题:
若主存每个存储单元为8位,则()。
A其地址线也为8位
B其地址线为16位
C其地址线与8无关
D其地址线与8有关
第4题:
若主存每个存储单元为16位,则()。
A其地址线也为16位
B其地址线与16无关
C其地址线为“位”
D其地址线与16有关
第5题:
设有14根地址线,它们的不同组合可选中()
第6题:
中断矢量就是中断服务子程序的(),在内存中占有()个存储单元,其中低地址存储单元存放的是(),高地址存储单元存放的是()。
第7题:
中断矢量就是中断服务子程序的入口地址,在内存中占有4个存储单元,其中低地址存储单元存放的是入口地址的偏移量,高地址存储单元存放的是()
第8题:
一个存储器芯片具有12根地址线,则它具有()个存储单元。
第9题:
13根地址线可选()个存储单元,64KB存储单元需要()根地址线。
第10题:
8KB存储单元需要()根地址线
第11题:
第12题:
对
错
第13题:
μPD424256的容量为256K×4bit,即芯片内部有256K个存储单元,每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中,正确的是( )。
A.芯片内部有256K个存储单元,因此芯片有18个地址引脚
B.芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新
C.芯片的数据线有4根,但为减少芯片的引脚数,它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的
D.DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外,有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息,有些存储8位信息
第14题:
第15题:
若主存每个存储单元存8位数据,则()。
A其地址线也为8位
B其地址线与8无关
C其地址线为16位
D其地址线与8有关
第16题:
伪地址表示法,需要3k个存储单元。
第17题:
有n条地址线的存储器,可以有()个基本存储单元(或字节)。
第18题:
RAM中每个存储单元为16位,则下面所述正确的是()。
第19题:
8086CPU使用()根地址线访问I/O端口,最多可访问()个字节端口,使用()根地址线访问存储单元,最多可访问()个字节单元。
第20题:
有一个容量为256×4位的RAM,该RAM有()个基本存储单元,该RAM每次访问()个基本存储单元,该RAM有()根地址线。
第21题:
2048×8位的存储芯片,地址线和数据线各有几位,有多少个基本存储单元?
第22题:
11根地址线可选()K字节的存储单元,16KB存储单元需要()根地址线。
第23题: