有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？

题目

有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？

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1.现有存储器SRAM、DRAM、Cache以及寄存器、磁盘、磁带和光盘,存储容量由大到小,存取速度由快到慢的顺序为()。A.寄存器，Cache，SRAM，DRAM，磁盘，光盘，磁带B.Cache，寄存器，SRAM，DRAM，磁盘，光盘，磁带C.寄存器，Cache，DRAM，SRAM,磁盘，光盘，磁带D.寄存器，Cache，SRAM，DRAM，磁带,磁盘，光盘

2.有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?

3.某半导体存储器容量8K×8位,可选用的RAM芯片容量为2K×4位,回答以下问题。(1)该存储系统要采用什么形式的扩展方式?(2)总共需要多少个RAM芯片?(3)如果有一个16K×16位的存储器,用1K×4位的DRAM芯片构成,那么总共需要多少DRAM芯片?

4.下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是：A．SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

更多“有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成”相关问题

  • 第1题：

    CPU执行指令需要从存储器读取数据时,数据搜索的顺序是()。

    A、cache、DRAM和硬盘

    B、DRAM、cache和硬盘

    C、硬盘、DRAM和cache

    D、DRAM、硬盘和cache


    参考答案：A

  • 第2题：

    计算机的(6)通常由动态RAM(DRAM)构成。

    A．CMOS参数存储器

    B．Cache

    C．外存储器

    D．主存储器


    正确答案：D
    解析：半导体存储器按存取方式分为只读存储器ROM和随机存取存储器RAM。其中，RAM根据存储器件能否长期保存信息而分为静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)和非易失RAM(NVRAM)。动态RAM采用结电容存储信息。由于电容放电，存储的信息会丢失。因此每隔一定时间需要刷新。由于DRAM具有集成度较高、容量大、价格低、功耗小等特性，因此计算机的主存通常采用DRAM。SRAM的集成度低、功耗较大，但存取速度比DRAM高。通常，计算机的Cache的存储器件采用SRAM。

  • 第3题：

    构成计算机系统内存的主要存储器件是（ ）。

    A.SRAM B.DRAM C.PROM D.EPROM


    正确答案：B

  • 第4题：

    以下说法中错误的是()。

    A.与DRAM相比，SRAM的集成度低，存取速度快
    B.PC机的主存储器常由DRAM构成
    C.RAM需要刷新，且断电后信息会丢失
    D.ROM是一种非易失性存储器，断电后仍可保持记忆

    答案：C
    解析：
    RAM又可分为SRAM和DRAM，其中，DRAM需要刷新，而SRAM不用。

  • 第5题：

    用MOS器件构成的随机存取存储器RAM分为SRAM和DRAM两种，其中DRAM以电容来存储信息，需要定期进行（）


    正确答案:刷新

  • 第6题：

    DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？


    正确答案: DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷，并保持原单元的内容，所以读出过程就是再生过程。
    常用的刷新方式由三种：集中式、分散式、异步式。

  • 第7题：

    存储器的存储容量通常是用字节来表示的1mB的含义是（）

    • A、1000个字节
    • B、1024k个汉字
    • C、1000k字节
    • D、1024k字节

    正确答案:D

  • 第8题：

    若主存DRAM的的存取周期为70ns，Cache的存取周期为5ns，有它们构成的存储器的平均存取周期是多少？


    正确答案:平均存取周期约为70×0.1ns+5×0.9ns=11.5ns。

  • 第9题：

    衡量存储器的容量时，1MB的含义是（）

    • A、1000K个汉字
    • B、1024K字节
    • C、1000K个字节
    • D、1024K汉字

    正确答案:B

  • 第10题：

    单选题
    某容量为256M的存储器，由若干4M*8位的DRAM芯片构成，该DRAM芯片的地址引脚和数据引脚总数是：（）
    A

    19

    B

    22

    C

    30

    D

    36


    正确答案： A
    解析：

  • 第11题：

    问答题
    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？

    正确答案： 1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    若主存DRAM的的存取周期为70ns，Cache的存取周期为5ns，有它们构成的存储器的平均存取周期是多少？

    正确答案： 平均存取周期约为70×0.1ns+5×0.9ns=11.5ns。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    由 DRAM 构成的存储器所存储的信息不需要定时刷新。()

    此题为判断题(对，错)。


    正确答案:正确

  • 第14题：

    有一个1024K位的存储器，它由四个存储体组成，每个存储体为8K字，试问每个字的字长是【 】位。


    正确答案：32
    32 解析：该题的算法为1024÷4÷8＝每个字的长。所以每个字的字长是32位。

  • 第15题：

    下列关于DRAM的叙述，正确的是

    A.DRAM是一种随机存储器

    B.DRAM是一种易失性存储器，断电则丢失存储信息

    C.DRAM需要刷新操作，不定时刷新，数据会丢失

    D.DRAM是一种半导体存储器

    E.DRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配


    正确答案：ABCD

  • 第16题：

    下面关于DRAM存储器描述错误的是（）

    • A、DRAM存储器需要对存储内容定时刷新
    • B、DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点
    • C、DRAM存储器属于非易失的存储器
    • D、DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息

    正确答案:C

  • 第17题：

    SRAM和DRAM均为RAM存储器，二者的容量与读写速度为（）

    • A、SRAM有极高的读写速度及大容量
    • B、DRAM有极高的读写速度及大容量
    • C、SRAM有极高的读写速度，DRAM有更大的容量
    • D、DRAM有极高的读写速度，SRAM有更大的容量

    正确答案:C

  • 第18题：

    SRAM存储器的存储元是（），DRAM存储器的存储元是（）。


    正确答案:触发器；MOS 晶体管和电容器

  • 第19题：

    半导体存储器有哪些优点？SRAM、DRAM各自有何特点？


    正确答案: 特点是容量大、存取速度快、体积小、功耗低、集成度高、价格便宜。
    SRAM存放的信息在不停电的情况下能长时间保留不变，只要不掉电所保存的信息就不会丢失。而DRAM保存的内容即使在不掉电的情况下隔一定时间后也会自动消失，因此要定时对其进行刷新。

  • 第20题：

    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？


    正确答案:1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs

  • 第21题：

    DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？


    正确答案: DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
    ①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
    ②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
    ③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

  • 第22题：

    问答题
    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？

    正确答案： （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？

    正确答案： DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
    ①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
    ②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
    ③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。
    解析： 暂无解析

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