参考答案和解析
正确答案:
在过饱和溶液中已有晶核形成或加入晶种后，以过饱和度为推动力，晶核或晶种将长大，这种现象。
更多“晶体生长”相关问题
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第1题：
影响晶体生长形态的外因？
正确答案: 温度、杂质、涡流、黏度、结晶速度、晶体析出先后次序、地质条件。 -
第2题：
除哪一项外都是釉基质蛋白在釉质发育中的作用（）
- A、启动釉质矿化
- B、作为晶体生长的支持相
- C、调节晶体生长
- D、形成釉柱
正确答案:D -
第3题：
在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。
- A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度
- B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度
- C、晶体生长速度等于晶核生成速度
- D、以上都不对
正确答案:A -
第4题：
在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）
- A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度
- B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度
- C、晶体生长速度等于晶核生成速度
- D、以上都不对
正确答案:A -
第5题：
成分过冷对晶体生长方式的影响是什么？
正确答案: （成分过冷由弱到强）界面生长方式：
1.平面状
2.胞状
3.胞状-树枝状
4.树枝状。
相应得到的晶体：
1.平面柱状晶
2.胞状晶
3.胞状枝晶与柱状枝晶
4.自由枝晶。 -
第6题：
晶体生长最后应被生长速度慢的晶面包围。
正确答案:正确 -
第7题：
在可见光区能直接观察到的晶体生长环境或生长纹，并能探讨缺位的方法有（）。
正确答案:阴极发光（阴极发光仪） -
第8题：
单选题在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A晶体生长速度大大超过晶核生成速度
B晶体生长速度大大低于过晶核生成速度
C晶体生长速度等于晶核生成速度
D以上都不对
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题固-液界面结构如何影响晶体生长方式和生长速度？正确答案： 固-液界面的结构不同，则其接纳液相中迁移过来的原子的能力也不同，从而使晶体生长方式和生长速度产生差异。根据固-液界面结构的不同，晶体有三种不同的生长机制，每种生长机制对应的生长速度也不同。
（1）粗糙界面的生长，这种长大机制称为连续长大机制。 其晶体长大速度很快，大部分金属晶体均以这种方式长大。
（2）完整平整界面的生长 ，这种长大机制称为二维晶核长大机制。由于二维晶核长大机制需要较大的过冷度，而且需要新的二维晶核不断的形成才能使晶核继续长大，因此这种生产方式的长大速度十分缓慢。
（3） 非完整平整界面的生长，这种长大机制称为螺型位错生长机制。由于这种因缺陷而产生的台阶使液相原子容易向上堆砌，而且这些缺陷提供了永远没有穷尽的台阶，因此长大速度比二维晶核长大速度快的多。-液界面的结构不同，则其接纳液相中迁移过来的原子的能力也不同，从而使晶体生长方式和生长速度产生差异。根据固-液界面结构的不同，晶体有三种不同的生长机制，每种生长机制对应的生长速度也不同。
（1）粗糙界面的生长，这种长大机制称为连续长大机制。 其晶体长大速度很快，大部分金属晶体均以这种方式长大。
（2）完整平整界面的生长 ，这种长大机制称为二维晶核长大机制。由于二维晶核长大机制需要较大的过冷度，而且需要新的二维晶核不断的形成才能使晶核继续长大，因此这种生产方式的长大速度十分缓慢。
（3） 非完整平整界面的生长，这种长大机制称为螺型位错生长机制。由于这种因缺陷而产生的台阶使液相原子容易向上堆砌，而且这些缺陷提供了永远没有穷尽的台阶，因此长大速度比二维晶核长大速度快的多。解析： 暂无解析 -
第10题：
单选题除哪一项外都是釉基质蛋白在釉质发育中的作用（）A启动釉质矿化
B作为晶体生长的支持相
C调节晶体生长
D形成釉柱
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第11题：
单选题在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A晶体生长速度大大超过晶核生成速度
B晶体生长速度大大低于过晶核生成速度
C晶体生长速度等于晶核生成速度
D以上都不对
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第12题：
名词解释题晶体生长正确答案： 在过饱和溶液中已有晶核形成或加入晶种后，以过饱和度为推动力，晶核或晶种将长大，这种现象。解析： 暂无解析 -
第13题：
分析晶体生长形态与温度梯度的关系？
正确答案:晶体生长的形态取决于固-液界面的微观结构和界面前沿液相中的温度分布情况。
（1）在正温度梯度条件下生长的界面形态一般为平面状界面
对于光滑界面，界面向前推移时，以二维或缺陷长大方式向液体中平行推进，长大台阶平面多为晶体学晶面，若无其它因素干扰，多成长为以密排晶面为表面的具有规则外形的晶体。
对于粗糙界面，晶体成长时界面只能随着液体的冷却而均匀一致地向液相推移，与散热方向垂直的每一个垂直长大的界面一旦局部偶有突出，便进入低于临界过冷度甚至熔点mT以上的温度区域，生长即刻停止。所以，液固界面也近似保持平行平面，使其具有平面状长大形态。
（2）在负温度梯度条件下生长的界面形态一般为枝晶界面
这种温度梯度条件下，由于界面前沿液体中的过冷度不断增大，成长时如果界面的某一局部发展较快而偶有突出，则其将伸入到过冷度更大的液体中，从而使生长速度加快。这样，晶体在生长时界面形态像树枝一样，先长出主晶轴（一次晶轴），再长出分枝晶轴（二次晶轴、三次晶轴）。每一个枝晶随着结晶和液体的补充最终长成一个晶粒，结晶完成后晶体一般不表现规则外形。
具有光滑界面的晶体物质在负温度梯度下的生长方式，也有树枝状结晶倾向，并与杰克逊因子有关：值不太大时，以枝晶为主，有时带有小平面特征；值较大时，则形成规则形状晶体的可能性大。 -
第14题：
试述杂质对晶体生长速率的影响途径。
正确答案:⑴通过改变溶液的组成或平衡饱和浓度，改变晶体与溶液之间界面上液层的特性，影响溶质长入晶面。
⑵杂质本身在晶面上吸附，产生阻挡作用。
⑶如结构与晶格有相似之处，杂质有可能长入晶体内；晶体生长过快产生晶体缺陷和位错时，晶格不同也可能产生吸藏现象。 -
第15题：
根据晶体生长扩散学说，晶体的生长包括（）、（）和（）三个过程。
正确答案:溶质借扩散作用从溶液中转移到晶体的表面；溶质长入晶面放出结晶热；结晶热传递回到溶液中 -
第16题：
晶体生长
正确答案: 在过饱和溶液中已有晶核形成或加入晶种后，以过饱和度为推动力，晶核或晶种将长大，这种现象。 -
第17题：
晶面条纹可以认为是晶体生长过程中各个（）叠合后留下的痕迹。
正确答案:小晶体 -
第18题：
晶体生长最后应被生长速度（）的晶面包围。
- A、快
- B、慢
- C、恒等
- D、A、B、C都不是
正确答案:B -
第19题：
问答题什么是晶体生长理论？正确答案： 从微观角度看，晶体生长过程可以看做一个基元过程。基元过程包括以下主要步骤：
（1）基元的形成。
（2）基元在生长界面的吸附。
（3）基元在界面的运动。
（4）基元在界面上的结晶或脱附。解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题简述成分过冷对晶体生长方式的影响？正确答案： 当稍有成分过冷时为胞状生长，随着成分过冷的增大，晶体由胞状晶变为柱状晶，柱状树枝晶和自由树枝晶，无成分过冷时，以平面方式或树枝晶方式生长。解析： 暂无解析 -
第21题：
单选题釉基质蛋白在釉质发育中的作用以下哪项正确？（）A启动釉质矿化
B作为晶体生长的支持相
C调节晶体生长
D以上都对
E以上都不对
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第22题：
判断题晶体生长的驱动力是固液两相的体积自由能差值。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题在晶体生长过程中维持其过饱和度的途径有哪些？正确答案： （1）据溶解度曲线，改变温度；——降温法
（2）采取各种方式（如蒸发、电解）移去溶剂，改变溶液成分；——蒸发法，电解溶剂法
（3）通过化学反应来控制过饱和度；——溶胶扩散法
（4）用亚稳相来控制过饱和度，即利用某些物质的稳定相和亚稳相的溶解度差别，控制一定的温度，使亚稳相不断溶解，稳定相不断生长。——亚稳相法.解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题影响晶体生长形态的外因？正确答案： 温度、杂质、涡流、黏度、结晶速度、晶体析出先后次序、地质条件。解析： 暂无解析