将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。A、10B、20C、5D、15
题目
将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。
- A、10
- B、20
- C、5
- D、15
相似考题
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第1题：
将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？
正确答案:整形处理，切片，磨片和倒角，刻蚀，抛光，清洗，硅片评估，包装。 -
第2题：
在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。
- A、耐热陶瓷器皿
- B、金属器皿
- C、石英舟
- D、玻璃器皿
正确答案:C -
第3题：
下列不是硅片主要切片方法的是（）。
- A、外圆切割
- B、内圆切割
- C、多线切割
- D、单线切割
正确答案:D -
第4题：
太阳能光伏产业链中包括多晶硅、硅片、电池片、组件及系统。
正确答案:正确 -
第5题：
单选题硅片制备主要工艺流程是（）A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第6题：
判断题不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？正确答案： 包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？正确答案： 整形处理，切片，磨片和倒角，刻蚀，抛光，清洗，硅片评估，包装。解析： 暂无解析 -
第9题：
判断题暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第10题：
判断题多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题什么是外延层，为什么在硅片上使用它？正确答案： 在某种情况下，需要硅片有非常纯的与衬底有相同晶体结构的硅表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，这要通过在硅表面沉积一个外延层来达到。
原因是外延层在优化pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件速度。外延在CMOS集成电路中变得重要起来，因为随着器件尺寸不断缩小它将闩锁效应降到最低。外延层通常是没有玷污的。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什么？正确答案： 自然氧化层：如果曝露于室温下的空气或含溶解氧的去离子水中，硅片的表面将被氧化。这一薄氧化层称为自然氧化层。硅片上最初的自然氧化层生长始于潮湿，当硅片表面暴露在空气中时，一秒钟内就有几十层水分子吸附在硅片上并渗透到硅表面，这引起硅表面甚至在室温下就发生氧化。自然氧化层引起的问题是：
①将妨碍其他工艺步骤，如硅片上单晶薄膜的生长和超薄氧化层的生长。
②另一个问题在于金属导体的接触区，如果有氧化层的存在，将增加接触电阻，减少甚至可能阻止电流流过。
③对半导体性能和可靠性有很大的影响解析： 暂无解析 -
第13题：
什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什么？
正确答案:自然氧化层：如果曝露于室温下的空气或含溶解氧的去离子水中，硅片的表面将被氧化。这一薄氧化层称为自然氧化层。硅片上最初的自然氧化层生长始于潮湿，当硅片表面暴露在空气中时，一秒钟内就有几十层水分子吸附在硅片上并渗透到硅表面，这引起硅表面甚至在室温下就发生氧化。
自然氧化层引起的问题是：
①将妨碍其他工艺步骤，如硅片上单晶薄膜的生长和超薄氧化层的生长。
②另一个问题在于金属导体的接触区，如果有氧化层的存在，将增加接触电阻，减少甚至可能阻止电流流过。
③对半导体性能和可靠性有很大的影响 -
第14题：
通过使用烙制好的金属连线将晶体管直接嵌入到硅层或硅片中，集成电路就诞生了，这是由（）发明的。
- A、仙童公司
- B、IBM
- C、贝尔实验室
- D、Apple公司
正确答案:A -
第15题：
汽车硅整流发电机定子铁心是用厚度为（）mm硅片叠成。
- A、0.25～0.5
- B、0.5～1.0
- C、1.0～1.5
- D、1.5～2.0
正确答案:B -
第16题：
判断题太阳能光伏产业链中包括多晶硅、硅片、电池片、组件及系统。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第17题：
判断题离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？正确答案： 外延层是指在硅的外延中以硅基片为籽晶生长一薄膜层，新的外延层会复制硅片的晶体结构，并且结构比原硅片更加规则。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廓，而这些因素与硅片衬底无关的，这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。外延层还可以减少CMOS器件中的闩锁效应。解析： 暂无解析 -
第19题：
判断题表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第20题：
填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。正确答案： 硅衬底,微芯片,芯片解析： 暂无解析 -
第21题：
单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
D单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。正确答案： 全局平坦化,磨料,压力解析： 暂无解析 -
第23题：
填空题1：1型粘土矿物是由1层硅片和1层铝片结合而成，代表矿物是（）；2：1型粘土矿物由2层硅片和1层铝片结合而成，胀缩型如蒙脱，非胀缩型如（）。正确答案： 高岭石;伊利石解析： 暂无解析