叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。

题目

叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。

相似考题

1.硅提纯及制备工艺流程正确的是()。A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

2.宁东光伏电站的电池组件是（）材料。A、多晶硅B、单晶硅C、薄膜D、砷化钾

3.将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？

4.用于太阳能电池的半导体材料有（）A、单晶硅B、多晶硅C、非晶硅D、微晶硅

更多“叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。”相关问题

  • 第1题：

    以下哪些是光伏发电的光伏材料？（）

    • A、单晶硅
    • B、多晶硅
    • C、非晶硅
    • D、微晶硅

    正确答案:A,B,C,D

  • 第2题：

    将得到的多晶硅进行溶解，做成单晶硅，其方法有（）和浮游带熔融两种。


    正确答案:乔克莱尔斯基

  • 第3题：

    单晶硅太阳能和多晶硅太阳能电池的产量合计约占世界太阳能产量的（）左右。


    正确答案:80%

  • 第4题：

    铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。


    正确答案: 提纯材料：
    1.利用定向凝固过程中的杂质分凝现象，使杂质富集在多晶硅锭的两端。
    2.在真空中熔化，凝固，原料中杂质在表面挥发。
    3.在保护气体或熔体中添加能与杂质反应生成挥发性物质的气体，是杂质中熔硅分离。直熔法工艺流程：装料---加热---熔化---晶体生长---退火---冷却。
    直培法描述：硅原材料首先在坩埚中熔化，坩埚周围的加热器保持坩埚上部温度的同时，自坩埚的底部开始逐渐降温，从而使坩埚底部的熔体首先结晶，再通过保持固液界面在同一水平面上并逐渐上升，使得整个熔体结晶为晶锭。采用定向凝固法长晶。影响因素：纯度高，不产生杂质玷污；不与晶体粘连；热膨胀系数小；热导率小；坩埚形状（方形，内壁涂高纯氧化硅/氮化硅）

  • 第5题：

    在结晶系中，多晶硅电池片的厚度为（）角，单晶硅电池片的厚度为（）角。


    正确答案:125mm；150mm

  • 第6题：

    单晶硅太阳能电池组件的生产流程：（）硅棒（）（）太阳电池组件；多晶硅太阳能电池组件的生产流程：（）硅碇（）硅片太阳电池太阳电池组件。


    正确答案:高纯硅材料；硅片；太阳电池；高纯硅材料；硅块

  • 第7题：

    光伏电站的电池组件是（）材料。

    • A、多晶硅
    • B、单晶硅
    • C、薄膜
    • D、砷化钾

    正确答案:A

  • 第8题：

    单选题
    晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，也是（）的主流材料。
    A

    燃料电池

    B

    锂电池

    C

    太阳能电池

    D

    镍电池


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    多选题
    以下哪些是光伏发电的光伏材料？（）
    A

    单晶硅

    B

    多晶硅

    C

    非晶硅

    D

    微晶硅


    正确答案： C,D
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？

    正确答案： 整形处理，切片，磨片和倒角，刻蚀，抛光，清洗，硅片评估，包装。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅
    A

    ①②④

    B

    ①②③④

    C

    ②③④

    D

    ③④


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是（）.
    A

    汽-固

    B

    液-固

    C

    固-固

    D

    汽-液


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，也是（）的主流材料。

    • A、燃料电池
    • B、锂电池
    • C、太阳能电池

    正确答案:C

  • 第14题：

    （）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。

    • A、直拉法
    • B、铸锭法
    • C、西门子法
    • D、三氯氢硅还原法

    正确答案:A

  • 第15题：

    工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）


    正确答案:直拉单晶法（CZ法或切克劳斯基法）

  • 第16题：

    单晶硅锭的制备方法很多，目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，也是（）的主流材料。

    • A、燃料电池
    • B、锂电池
    • C、太阳能电池
    • D、镍电池

    正确答案:C

  • 第18题：

    目前，商品太阳能电池组件主要包括（）太阳能电池3种。

    • A、单晶硅
    • B、多晶硅
    • C、非晶硅
    • D、以上全不是

    正确答案:A,B,C

  • 第19题：

    最早用于制造太阳能电池的半导体材料是（）。

    • A、单晶硅
    • B、晶体硅
    • C、多晶硅

    正确答案:B

  • 第20题：

    问答题
    单晶硅与多晶硅的区别？

    正确答案： 多晶硅是由多个单晶单元随机堆积形成的，多晶硅没有单晶所特有的特征，如各向异性、短程有序等。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过（）、（）、（）等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。

    正确答案： 切片,研磨,抛光
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。

    正确答案： 融化了的半导体级硅液体,有正确晶向的,被掺杂成p型或n型
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    比较同等掺杂浓度多晶硅和单晶硅电阻率的大小？解释不同的原因。

    正确答案： 相同掺杂杂质即使浓度相同多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高。这是因为多晶硅石油晶粒和晶界组成，在晶粒内部的掺杂原子和在单晶硅中一样是占据替位，有电活性；而晶界上的硅原子是无序状态，掺杂原子多数是无电活性的，且晶粒/晶界之间的杂质分凝导致晶界上杂质浓度高于晶粒内部，因此，在相同掺杂浓度下，多晶硅中有电活性的杂质浓度低于单晶硅，导电能力也就低于单晶硅。另外，晶界上大量的缺陷和悬挂键是载流子陷阱，晶粒中的载流子若陷入晶界之中，对电导就不再起作用。同时晶界上的电荷积累还会造成晶粒边界周围形成载流子耗尽的区域，使其能带发生畸变，产生势垒，降低了多晶硅中载流子的有效迁移率，这也引起导电能力下降，电阻率升高。
    解析： 暂无解析

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