刻蚀工艺会影响光伏池片电学参数中的（）。A、开路电压B、并联电阻C、短路电流D、串联电阻

题目

刻蚀工艺会影响光伏池片电学参数中的（）。

  • A、开路电压
  • B、并联电阻
  • C、短路电流
  • D、串联电阻
相似考题

1.光声光谱的分析原理是()A.光学B.光声池C.声学D.电学

2.抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）

3.影响光伏窗的年得热因素的参数有（）A、朝向B、电池覆盖率C、电池效率D、模板厚度

4.分布式光伏与建筑结合时如何满足建筑隔热隔音的要求？是否会影响室内采光？

参考答案和解析
正确答案:B
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  • 第1题：

    光伏电源接入配电网对接入变电站备自投装置会产生哪些影响？


    正确答案:当一台主变失电，母线失去系统电源，如光伏电源尚未切除，则由于线路侧光伏电源的存在，母线仍有电压，不满足备自投条件，自投失败。

  • 第2题：

    试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。


    正确答案:1）刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔，需要刻蚀钝化层P-SiNx约为2500Å，能形成良好的接触环，并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候，ITO会把Al还原，所以刻蚀时间不能太长。
    2）刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时，需要刻蚀钝化层和绝缘层两层SiNx，钝化层的P-SiNx约2500Å，绝缘层SiNx约3500Å共6500Å，为保证刻蚀干净，刻蚀时间不能太短。因此，刻蚀条件的控制非常关键。

  • 第3题：

    简述计算机X线摄影读取系统的光、电学特性对影像质量的影响。


    正确答案: １.光束的直径和波长激光以点扫描完成影像读取，点的直径直接影响到读取影像的信息量。点直径越小则相对读取的影像信息量就越多，得到的影像质量越好。波长为400nm时可以取得最大的激起效果。
    2.光、电及传动系统的噪声在读取过程中，外来光、辉尽性荧光及读取光的反射光的干扰，光学系统的噪声，电流的稳定程度，机械传导系统的稳定程度都直接影响影像质量。
    3.数字化过程的影响理论上讲，尽量将所有的信号数据化越充分越好。然而，同时也带来价格昂贵和难以处理的庞大数据，而且人眼的辨别力和荧光屏的显示也有限度，所以应将数据化的程度控制在能充分反映人眼及荧光屏能辨别的程度最为合适。

  • 第4题：

    光声光谱的分析原理是（）

    • A、光学
    • B、光声池
    • C、声学
    • D、电学

    正确答案:B

  • 第5题：

    （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

    • A、刻蚀速率
    • B、刻蚀深度
    • C、移除速率
    • D、刻蚀时间

    正确答案:A

  • 第6题：

    光伏电站发电功率超短期预测建模中可视为非预报参数的影响因子包括（）。

    • A、云层
    • B、水汽
    • C、臭氧
    • D、二氧化碳

    正确答案:B,C,D

  • 第7题：

    光伏电池组件电学特性测试中不必用到的设备是（）。

    • A、气压表
    • B、电流表
    • C、电压表
    • D、滑动变阻器

    正确答案:A

  • 第8题：

    单选题
    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
    A

    a.离子束刻蚀、激光刻蚀

    B

    b.干法刻蚀、湿法刻蚀

    C

    c.溅射加工、直写加工


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？

    正确答案： ①STI etch（刻蚀）的角度；
    ②STI etch 的深度；
    ③STI etch 后的CD尺寸大小控制。
    （CD control， CD=critical dimension）
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    多选题
    影响光伏窗的年得热因素的参数有（）
    A

    朝向

    B

    电池覆盖率

    C

    电池效率

    D

    模板厚度


    正确答案： B,C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能？（）
    A

    并联电阻

    B

    开路电压

    C

    短路电流

    D

    串联电阻


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    CMOS集成电路版图设计中，什么是有比例设计和无比例设计，对电学参数有哪些影响？

    正确答案： 用电路分别实现二输入与非门：两个N管为串联，两个P管为并联；假设电路开关特性要求对称，即：上升时间Tr等于下降时间Tf，则版图结构是不对称的，通常称为有比例的版图设计。这就要求NMOS与PMOS的W/L成一定比例，从而影响其沟道电阻和源漏电流。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。


    正确答案:刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀。
    干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应（或这两种反应），从而去掉曝露的表面材料，一般用于亚微米尺寸。
    湿法刻蚀中，液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面的材料，一般用于尺寸较大的情况下（大于3微米）。

  • 第14题：

    刻蚀工艺会影响光伏池片电学参数中的（）。

    • A、开路电压
    • B、并联电阻
    • C、短路电流
    • D、串联电阻

    正确答案:B

  • 第15题：

    刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能？（）

    • A、并联电阻
    • B、开路电压
    • C、短路电流
    • D、串联电阻

    正确答案:A

  • 第16题：

    微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

    • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
    • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
    • C、溅射加工、直写加工
    • D、以上都可以

    正确答案:A

  • 第17题：

    在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

    • A、刻蚀
    • B、氧化
    • C、淀积
    • D、光刻

    正确答案:D

  • 第18题：

    测试结果文档内容应包括以下哪些信息？（）

    • A、由受检单位提供的被测光伏电站的规格参数
    • B、现场测试环境参数
    • C、各项测试条件下被测光伏电站测试结果
    • D、由受检单位提供的被测光伏电站的规格参数

    正确答案:A,B,C,D

  • 第19题：

    以下（）参数的波动会影响澄清池的处理效率。

    • A、水质
    • B、水量
    • C、温度
    • D、加药量

    正确答案:A,B,C,D

  • 第20题：

    单选题
    无刻蚀镀铁是为了（）而出现的镀铁新工艺。Ⅰ.提高镀铁质量；Ⅱ.发展镀铁工艺；Ⅲ.克服刻蚀处理的缺点；Ⅳ.提高镀铁效率；Ⅴ.简化工艺。
    A

    Ⅰ＋Ⅲ＋Ⅴ

    B

    Ⅰ＋Ⅳ＋Ⅴ

    C

    Ⅱ＋Ⅲ＋Ⅴ

    D

    Ⅱ＋Ⅳ＋Ⅴ


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。

    正确答案： 方向性差，刻蚀速率慢，过刻蚀性能好,去胶,方向性好，刻蚀速率高,SiO2、Al、Si3N4,多晶硅
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    简述IC芯片工艺过程中包括的刻蚀工艺过程

    正确答案： （1）图形化和整面全*区刻蚀。
    （2）单晶硅刻蚀用于浅槽隔离。
    （3）多晶硅刻蚀用于界定栅和局部互连线。
    （4）氧化物刻蚀界定接触窗和金属层间接触孔。
    （5）金属刻蚀形成金属互连线。
    （6）氧化层CMP停止在氮化硅层后的氮化硅剥除工艺。
    （7）电介质的非等向性回刻蚀形成侧壁空间层。
    （8）钛金属硅化物形成合金之后的钛剥离。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类？

    正确答案： 干法刻蚀和湿法刻蚀
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    刻蚀有哪些参数？

    正确答案： ①刻蚀速率；
    ②刻蚀偏差；
    ③选择比；
    ④均匀性；
    ⑤刻蚀剖面。
    解析： 暂无解析

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