应变片与电阻丝（敏感栅）的灵敏系数有何不同？为什么？
题目
应变片与电阻丝（敏感栅）的灵敏系数有何不同？为什么？
相似考题
更多“应变片与电阻丝（敏感栅）的灵敏系数有何不同？为什么？”相关问题
-
第1题：
应变片的灵敏系数与电阻丝（敏感栅）的灵敏系数有何不同？为什么？
正确答案:（1）一般情况下，应变片的灵敏系数小于电阻丝的灵敏系数。
（2）原因是：当应变片粘贴于弹性体表面或者直接将应变片粘贴于被测试件上时，由于基底和粘结剂的弹性模量与敏感栅的弹性模量之间有差别等原因，弹性体或试件的变形不可能全部均匀地传递到敏感栅。另外丝栅转角及接线的影响。 -
第2题：
金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化，这种现象称（）效应。直线的电阻丝绕成敏感栅后长度相同但应变不同，圆弧部分使灵敏度K下降了，这种现象称为（）效应。
正确答案:应变；横向 -
第3题：
应变片的几何尺寸有敏感栅的（）和（），以及应变片的（）和（）。
正确答案:基长；宽度；基底基长；基底宽度 -
第4题：
金属电阻丝应变片与半导体应变片在工作原理上有何区别？各有何特点？
正确答案: 前者是利用导体形变引起阻值变化，后者是利用半导体电阻率变化引起阻值变化。金属电阻丝应变片稳定性和温度特性好，但灵敏度系数小。
半导体应变片应变灵敏度大；体积小；能制成具有一定应变电阻的元件，但温度稳定性和可重复性不如金属应变片。 -
第5题：
电阻丝应变片与半导体应变片在工作原理上有何区别？
正确答案: 电阻丝应变片主要利用形变效应，而半导体应变片主要利用压阻效应。 -
第6题：
直线电阻丝绕成敏感栅后，虽然长度相同，但应变不同，圆弧部分使灵敏度下降，这种现象称为横向效应。敏感栅越窄，基片越长的应变片，横向效应越小。
正确答案:正确 -
第7题：
产生应变温度误差的主要原因有（）。
- A、电阻丝有温度系数
- B、试件与电阻丝的线膨胀系数相同
- C、电阻丝承受应力不同
- D、电阻丝与试件材料不同
正确答案:A -
第8题：
请解释金属应变片灵敏系数与金属丝灵敏系数的区别。
正确答案:应变片一般做成丝栅状，测量应变时，将应变片贴在试件表面上，试件的变形很容易传到应变片上。金属应变片的灵敏系数与金属丝灵敏系数是不同的。第一，零件的变形是通过剪力传到金属丝上的。第二，丝沿长度方向承受应变时，应变片弯角部分也承受应变，其截面积变大，则应变片直线部分电阻增加时，弯角部分的电阻值减少，也使变化的灵敏度下降。因此，应变片的灵敏系数比金属丝灵敏系数低。 -
第9题：
金属应变计与半导体应变计在工作原理上有何异同？试比较应变计各种灵敏系数（指材料的和应变片的）概念的不同物理意义。
正确答案: 相同点，两者都由外力作用产生形变而使得电阻变化。不同点，金属材料的应变效应以机械形变为主；而半导体材料的应变效应以机械形变导致的电阻率的相对变化为主。
对于金属材料，灵敏系数Ko=Km=（1+2μ）+C（1-2μ）。前部分为受力后金属几何尺寸变化，一般μ≈0.3，因此（1+2μ）=1.6；后部分为电阻率随应变而变的部分。对于半导体材料，灵敏系数Ko=Ks=（1+2μ）+ πE。前部分同样为尺寸变化，后部分为半导体材料的压阻效应所致，而πE ≥（1+2μ），因此Ko=Ks=πE。 -
第10题：
单选题产生应变片温度误差的主要原因有（）。A电阻丝有温度系数
B试件与电阻丝的线膨胀系数相同
C电阻丝承受应力方向不同
D电阻丝与试件材料不同
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题电阻丝式应变片与半导体应变片在工作原理上有何不同？各有何优缺点？正确答案： 金属电阻应变片是利用电阻应变效应；半导体应变片是利用压阻效应。电阻丝应变片利用导体形变引起电阻变化，半导体应变片利用半导体电阻率变化引起电阻变化。通常半导体应变片比电阻丝应变片灵敏度高，但分散性大，温度效应也比较大。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题说明电阻丝应变片和半导体应变片的异同点，各有何优点？正确答案： 相同之处在于：都是将被测量的变化转换为电阻的变化，且dR/R=（1+2H）ε+λEε，其中H为材料的泊桑比，E为材料的弹性模量，（1+2H）ε是由几何尺寸变化引起的阻值变化，λEε是由电阻率的变化引起的阻值变化。
不同的是，电阻应变片是利用导体形变引起的阻值变化，所以dR/R≈（1+2H）ε，S≈1+2H；而半导体应变片是利用半导体材料的压阻效应使电阻率发生变化引起电阻变化。所以dR/R=λEε，S≈λE。
各自的优点分别为：
电阻丝应变片具有相当高的适应性；半导体应变片的灵敏度高，一般为电阻丝应变片的50-70倍。解析： 暂无解析 -
第13题：
（）是采用真空蒸发或真空沉积等方法，将电阻材料在基底上制成一层各种形式敏感栅而形成应变片。这种应变片灵敏系数高，易实现工业化生产，是一种很有前途的新型应变片。
- A、箔式应变片
- B、半导体应变片
- C、沉积膜应变片
- D、薄膜应变片
正确答案:D -
第14题：
电阻丝式应变片与半导体应变片在工作原理上有何不同？
正确答案:金属电阻应变片是利用电阻应变效应；半导体应变片是利用压阻效应。电阻丝应变片利用导体形变引起电阻变化，半导体应变片利用半导体电阻率变化引起电阻变化。通常半导体应变片比电阻丝应变片灵敏度高，但分散性大，温度效应也比较大。 -
第15题：
金属电阻丝应变片与半导体应变片在工作原理上有何区别？各有何特点？在用应变仪测量机构的应力，应变时，如何消除由于温度变化所产生的影响？
正确答案:前者利用导体形变引起电阻的变化，后者利用半导体电阻率变化引起电阻的变化。采取相应的温度补偿措施。 -
第16题：
电阻丝应变片与半导体应变片在工作原理上有何区别？各有何优缺点？应如何针对具体情况来选用？
正确答案: 电阻丝应变片主要利用形变效应，而半导体应变片主要利用压阻效应。
电阻丝应变片主要优点是性能稳定，现行较好；主要缺点是灵敏度低，横向效应大。
半导体应变片主要优点是灵敏度高、机械滞后小、横向效应小；主要缺点是温度稳定性差、灵敏度离散度大、非线性大。
选用时要根据测量精度要求、现场条件、灵敏度要求等来选择。 -
第17题：
说明电阻丝应变片和半导体应变片的异同点，各有何优点？
正确答案: 相同之处在于：都是将被测量的变化转换为电阻的变化，且dR/R=（1+2H）ε+λEε，其中H为材料的泊桑比，E为材料的弹性模量，（1+2H）ε是由几何尺寸变化引起的阻值变化，λEε是由电阻率的变化引起的阻值变化。
不同的是，电阻应变片是利用导体形变引起的阻值变化，所以dR/R≈（1+2H）ε，S≈1+2H；而半导体应变片是利用半导体材料的压阻效应使电阻率发生变化引起电阻变化。所以dR/R=λEε，S≈λE。
各自的优点分别为：
电阻丝应变片具有相当高的适应性；半导体应变片的灵敏度高，一般为电阻丝应变片的50-70倍。 -
第18题：
电阻丝应变片结构中的敏感栅能把感受到的应变转换为应变片本身（）变化.
- A、电阻
- B、体积
- C、质量
- D、密度
正确答案:A -
第19题：
产生应变片温度误差的主要原因有（）。
- A、电阻丝有温度系数
- B、试件与电阻丝的线膨胀系数相同
- C、电阻丝承受应力方向不同
- D、电阻丝与试件材料不同
正确答案:A -
第20题：
电阻应变片中，电阻丝（）的灵敏系数小于其（）的灵敏系数的现象，称为应变片的横向灵敏系数。
正确答案:弯曲；拉伸 -
第21题：
问答题金属应变计与半导体应变计在工作原理上有何异同？试比较应变计各种灵敏系数（指材料的和应变片的）概念的不同物理意义。正确答案： 相同点，两者都由外力作用产生形变而使得电阻变化。不同点，金属材料的应变效应以机械形变为主；而半导体材料的应变效应以机械形变导致的电阻率的相对变化为主。
对于金属材料，灵敏系数Ko=Km=（1+2μ）+C（1-2μ）。前部分为受力后金属几何尺寸变化，一般μ≈0.3，因此（1+2μ）=1.6；后部分为电阻率随应变而变的部分。对于半导体材料，灵敏系数Ko=Ks=（1+2μ）+ πE。前部分同样为尺寸变化，后部分为半导体材料的压阻效应所致，而πE ≥（1+2μ），因此Ko=Ks=πE。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题电阻丝应变片与半导体应变片在工作原理上有何区别？正确答案： 电阻丝应变片主要利用形变效应，而半导体应变片主要利用压阻效应。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题金属电阻丝应变片与半导体应变片在工作原理上有何区别？各有何特点？正确答案： 前者是利用导体形变引起阻值变化，后者是利用半导体电阻率变化引起阻值变化。金属电阻丝应变片稳定性和温度特性好，但灵敏度系数小。
半导体应变片应变灵敏度大；体积小；能制成具有一定应变电阻的元件，但温度稳定性和可重复性不如金属应变片。解析： 暂无解析