氧化型气体吸附到N型半导体上，将使载流子数目（），从而使材料的电阻率（）．

第1题：

第2题：

N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。

第3题：

N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。

第4题：

P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。

第5题：

半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。

第6题：

N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。

第7题：

N型半导体材料导电的载流子是空穴。

第8题：

N型半导体中空穴是（）载流子。

第9题：

由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。

第10题：

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。

第11题：

第12题：

第13题：

N型半导体中多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。

第14题：

N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。

• A、W型半导体
• B、U型半导体
• C、P型半导体
• D、N型半导体

第15题：

N型半导体的多数载流子是（），少数载流子是（）。

第16题：

P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的载流子为（）。

第17题：

对半导体而言，其正确的说法是（）

• A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电
• B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电
• C、P型半导体和N型半导体本身都不带电
• D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子

第18题：

当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。

• A、载流子数增加，电阻减小
• B、载流子数减少，电阻减小
• C、载流子数增加，电阻增大
• D、载流子数减少，电阻增大

第19题：

N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。

第20题：

N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。

第21题：

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。

• A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
• B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少
• C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
• D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加

第22题：

N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。

第23题：