随着温度的升高,陶瓷半导体电子空穴的浓度按()规律增加。A、线性B、指数C、对数D、阶跃

题目

随着温度的升高,陶瓷半导体电子空穴的浓度按()规律增加。

  • A、线性
  • B、指数
  • C、对数
  • D、阶跃

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  • 第1题:

    在纯净半导体内掺入适量的硼元素后,整个半导体()。

    • A、空穴的浓度大大高于自由电子的浓度
    • B、自由电子的浓度大大高于空穴的浓度
    • C、空穴和自由电子的浓度不变

    正确答案:A

  • 第2题:

    本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是()。

    • A、自由电子数目增加,空穴数目不变
    • B、空穴数目增多,自由电子数目不变
    • C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同
    • D、自由电子和空穴数目不变

    正确答案:C

  • 第3题:

    当环境温度升高时,本征半导体中() 

    • A、自由电子的数量增加,而空穴的数量基本不变
    • B、自由电子的数量基本不变,而空穴的数量增加
    • C、自由电子和空穴的数量都增加
    • D、自由电子和空穴的数量都减少
    • E、自由电子和空穴的数量都不变

    正确答案:C

  • 第4题:

    本征半导体温度升高以后()。

    • A、自由电子增多,空穴数基本不变
    • B、空穴数增多,自由电子数基本不变
    • C、自由电子数和空穴数都增多,且数目相同

    正确答案:C

  • 第5题:

    当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量()

    • A、增加
    • B、减少
    • C、不变

    正确答案:A

  • 第6题:

    本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。


    正确答案:等于;小于;大于

  • 第7题:

    温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。


    正确答案:错误

  • 第8题:

    P型半导体的特点是()

    • A、自由电子浓度大于空穴的浓度
    • B、空穴的浓度大于自由电子的浓度
    • C、自由电子的浓度等于空穴的浓度

    正确答案:B

  • 第9题:

    单选题
    杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()
    A

    温度

    B

    杂质浓度

    C

    电子空穴对数目

    D

    都不是


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    单选题
    在非线性元件的伏安特性研究中,N型半导体和P型半导体中,多数载流子分别是()
    A

    电子、空穴

    B

    空穴、电子

    C

    电子、电子

    D

    空穴、空穴


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    填空题
    自由空穴浓度大于自由电子浓度的半导体是()型半导体

    正确答案: P
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    半导体的电导率随温度升高而()
    A

    按一定规增大

    B

    呈线性减小

    C

    按指数规律减小

    D

    不变化


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    半导体的电导率随温度升高而()

    • A、按一定规增大
    • B、呈线性减小
    • C、按指数规律减小
    • D、不变化

    正确答案:A

  • 第14题:

    在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。


    正确答案:等于;小于;大于

  • 第15题:

    本征半导体载流子()

    • A、自由电子和空穴的浓度无法确定
    • B、自由电子的浓度小于空穴的浓度
    • C、自由电子的浓度大于空穴的浓度
    • D、自由电子和空穴的浓度相等

    正确答案:D

  • 第16题:

    温度升高后,在纯净的半导体中()

    • A、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同
    • B、空穴增多,自由电子数目不变
    • C、自由电子增多,空穴不变
    • D、自由电子和空穴数目都不变

    正确答案:A

  • 第17题:

    本征半导体温度升高后()。

    • A、自由电子数目增多,空穴数目基本不变
    • B、空穴数目增多,自由电子数目基本不变
    • C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同
    • D、自由电子和空穴数目不变

    正确答案:C

  • 第18题:

    杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()

    • A、温度
    • B、杂质浓度
    • C、电子空穴对数目
    • D、都不是

    正确答案:B

  • 第19题:

    半导体的电导率随温度升高而()。

    • A、按一定规律增大;
    • B、呈线性减小;
    • C、按指数规律减小;
    • D、不变化。

    正确答案:A

  • 第20题:

    单选题
    N型半导体()
    A

    自由电子和空穴的浓度相等

    B

    自由电子的浓度小于空穴的浓度

    C

    自由电子的浓度大于空穴的浓度

    D

    自由电子和空穴的浓度无法确定


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    单选题
    晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加,其变化规律是()。
    A

    线性增加

    B

    呈指数规律增加

    C

    无规律

    D

    线性减少


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    单选题
    随着温度的升高,陶瓷半导体电子空穴的浓度按()规律增加。
    A

    线性

    B

    指数

    C

    对数

    D

    阶跃


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    本征半导体载流子()
    A

    自由电子和空穴的浓度无法确定

    B

    自由电子的浓度小于空穴的浓度

    C

    自由电子的浓度大于空穴的浓度

    D

    自由电子和空穴的浓度相等


    正确答案: A
    解析: 暂无解析