炼钢过程中，硅与吹入的氧直接氧化反应表达式为（）。A、［Si］＋2[0]=（SiO2）B、［Si］＋｛O2｝＝（SiO2）C、［Si］＋2（FeO）＝（SiO2）＋2［Fe］

题目

炼钢过程中，硅与吹入的氧直接氧化反应表达式为（）。

  • A、［Si］＋2[0]=（SiO2）
  • B、［Si］＋｛O2｝＝（SiO2）
  • C、［Si］＋2（FeO）＝（SiO2）＋2［Fe］
相似考题

1.测定Si含量，称量形式是SiO2，其换算系数是多少?

2.硅的直接氧化反应式为：()和[Si]+2[O]=(SiO2)。

3.转炉炼钢中，硅的直接氧化反应方程式是：2(FeO)+[Si]=2[Fe]+(SiO2)。此题为判断题(对，错)。

4.炼钢中，Si+O2=SiO2是吸热反应。此题为判断题(对，错)。

更多“炼钢过程中，硅与吹入的氧直接氧化反应表达式为（）。A、［Si］＋2[0]=（SiO2）B、［Si］＋｛O2｝＝（SiO2）C、［Si］＋2（FeO）＝（SiO2）＋2［Fe］”相关问题

  • 第1题：

    全天生产75%硅铁50吨，消耗95吨硅石（SiO2=98%），硅微粉回收量10吨、SiO2=95%，炉渣量为铁量的3%，炉渣中SiO2＝30%，计算Si的回收率。


    正确答案: 硅石中含Si总量＝95×98%×28/60＝43.45t；
    硅微粉中含Si总量＝10×95%×28/60＝4.43t；
    炉渣中含Si总量＝50×3%×30%×28/60＝0.21t；
    Si回收率＝（43.45－4.43－0.21）/43.45×100%＝89.3%

  • 第2题：

    热生长SiO2 – Si系统中的电荷有哪些？


    正确答案:界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷。

  • 第3题：

    炼钢中[Si]+[O2]=（SiO2）是吸热反应。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    正确表达石灰加入量的表达式为（）。

    • A、2.14[%SiO2]/%CaO有效）×R×1000
    • B、2.14[%Si]/（%CaO石灰-R%SiO2石灰）]×R×1000
    • C、2.14[%Si]/%CaO）×R×1000

    正确答案:B

  • 第5题：

    炼钢中[Si]+2[O]＝(SiO2)是吸热反应。


    正确答案:错误

  • 第6题：

    渣中FeO和MnO在高温下以耦合反应的方式，将[Si]氧化成（SiO2）。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    硅的还原量与温度和SiO2的活度成正比；而增大[Si]的活度系数或CO气体的分压，都会使[Si]%下降。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    硅的还原顺序是SiO2→SiO→Si。


    正确答案:正确

  • 第9题：

    硅在大于1500℃的高炉内的还原顺序是按SiO2→（）→Si逐级进行的。


    正确答案:SiO（气）

  • 第10题：

    填空题
    由于O2在SiO2中的扩散率远（）于Si 在SiO2中的扩散率，所以氧化反应是由O2穿过SiO2层，在（）界面与Si原子反应。相同温度下，湿氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因为在SiO2中，H2O比O2有更（）的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很（），所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用（）法沉积Si3N4薄膜。

    正确答案： 高,Si-SiO2,高,高,低,PECVD
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    在实际的SiO2–Si系统中，存在几种电荷？

    正确答案： ①可动电荷： 指Na+、K+离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污等。
    ②固定电荷：指位于SiO2–Si界面2nm以内的过剩硅离子，可采用掺氯氧化降低。
    ③界面态：指界面陷阱电荷（缺陷、悬挂键），可以采用氢气退火降低。
    ④陷阱电荷：由辐射产生。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    网络外体（如Na2O）加到SiO2熔体中，使氧硅比增加，当O/Si≈2.5～3时，即达到形成玻璃的极限，O/Si>3时，则不能形成玻璃，为什么？

    正确答案： 在熔体结构中，O/Si比值对应着一定的聚集负离子团结构，如当O/Si比值为2时，熔体中含有大小不等的歪扭的[SiO2]n聚集团（即石英玻璃熔体）；随着O/Si比值的增加，硅氧负离子集团不断变小，当O/Si比值增至4时，硅-氧负离子集团全部拆散成为分立状的[SiO4]4-，这就很难形成玻璃。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    炼钢中，Si+O2＝SiO2是吸热反应。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    SiO2还原Si的开始温度为（）

    • A、1200～1400℃
    • B、1600～1700℃
    • C、1800～1900℃
    • D、1400～1600℃

    正确答案:B

  • 第15题：

    炉渣中重要的酸性氧化物SiO2，根据其O/Si值不同可以形成多种复杂的硅氧负离子，如SiO52-、Si4O116-等，磷和硅一样由于O/P值的不同形成磷氧负离子。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    随着钢液中硅含量的增加，脱氧产物将按下列顺序而变化：FeO+2FeO·SiO2→FeO·SiO2—FeO·SiO2→SiO2（s）。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    按照正常的吹炼过程，以下化合物的变化顺序正确的是：（）。

    • A、CaO·FeO·SiO2→2CaO·SiO2→2FeO·SiO2
    • B、2FeO·SiO2→CaO·FeO·SiO2→2CaO·SiO2
    • C、2CaO·SiO2→2FeO·SiO2→CaO·FeO·SiO2

    正确答案:B

  • 第18题：

    铁中的Si是从炉渣中SiO2和焦碳灰分中的SiO2还原出来的。


    正确答案:正确

  • 第19题：

    1500℃以上硅的还原顺序为SiO2→SiO→Si，到达风口时[Si]含量达到最大值。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    生铁中的五大元素是指（）。

    • A、Fe、FeO、S、C、Si
    • B、C、Si、Mn、S、P
    • C、SiO2、Fe、S、P、C

    正确答案:B

  • 第21题：

    C和Si都是ⅣA族元素，所以CO2和SiO2都是分子晶体。（　）


    正确答案:错误

  • 第22题：

    单选题
    化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。
    A

    1、2

    B

    2、4

    C

    1、4

    D

    1、2、4

    E

    1、2、3、4


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    在SiO2内和Si-SiO2界面存在有（）、（）、（）、（）等电荷。

    正确答案： 可动离子电荷,氧化层固定电荷,界面陷阱电荷,氧化层陷阱
    解析： 暂无解析

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