简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。

题目

简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。

相似考题

1.关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是()。A.使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B.典型材料为非晶硒(a-Se)C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D.非晶硒层直接将X线转换成电信号E.与非晶硅探测器的工作原理相同

2.关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是（）A、使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B、典型材料为非晶硒（a-SE.C、每个薄膜晶体管（TFT）形成一个采集图像的最小单元D、非晶硒层直接将X线转换成电信号E、与非晶硅探测器的工作原理相同

3.用于太阳能电池的半导体材料有（）A、单晶硅B、多晶硅C、非晶硅D、微晶硅

4.简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。

更多“简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。”相关问题

  • 第1题：

    薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）所用的半导体材料中，目前使用最广泛、发展最成熟的是（）。

    • A、非晶硅
    • B、单晶硅
    • C、多晶硅

    正确答案:A

  • 第2题：

    简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。


    正确答案:1）高迁移率；
    2）容易p型和n型掺杂；
    3）自对准结构；
    4）抗光干扰能力强；
    5）抗电磁干扰能力强。

  • 第3题：

    简述MOSFET与薄膜晶体管工作原理上的不同。


    正确答案:1）关态不同。TFT源和漏极处没有形成pn结，关态电流是源漏之间的泄漏电流，主要是由非晶硅半导体的暗电导率引起的，关态电流大。而MOSFET的关态是pn结的零偏状态或反偏状态，关态电流小。
    2）源极和漏极没有正负之分。TFT源极和漏极，正常工作情况下没有正负之分；而MOSFET为保证pn的反向偏置，有严格的源漏电极正负之分。
    3）表面导电层状态不同。当栅极加正压达到一定程度时，TFT沟道积累电子形成n型导电沟道。源漏电极之间加上电压，就会有电流在源漏电极之间流动。因此，TFT是n型半导体能形成n型导电沟道，是积累层导电而不是反型层导电。MOSFET是反型层导电，n型衬底形成了p型导电沟道。

  • 第4题：

    非晶硅半导体有什么特点？非晶硅是哪种半导体？


    正确答案:非晶硅材料的特点：
    1）非晶硅材料长程无序，短程有序；
    2）配位数相同，非晶硅的键长和键角略有改变；
    3）非晶硅中存在一些缺陷。
    非晶硅是弱n型半导体。

  • 第5题：

    多选题
    DR使用过的平板探测器材质是（）
    A

    非晶硒

    B

    碘化铯非晶硅

    C

    氧化钆非晶硅


    正确答案： B,A
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    单选题
    Siemens Inspiration探测器的材质（）
    A

    非晶硅碘化铯

    B

    非晶硒

    C

    晶体硅碘化铯

    D

    非晶硅硫氧化钆


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    单选题
    下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是（　　）。
    A

    非晶硅-非晶硒-CCD

    B

    CCD-非晶硅-非晶硒

    C

    非晶硒-非晶硅-CCD

    D

    非晶硅-CCD-非晶硒

    E

    CCD-非晶硒-非晶硅


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    简述非晶硅的特性。

    正确答案： （1）在可见光谱区域内具有高的光吸收系数和光电导特性；
    （2）非晶硅薄膜的沉积生长温度低（180-250℃），能耗低，成本少；
    （3）非晶硅可形成禁带宽度各不相同的多种非晶合金，而且每种非晶合金的禁带宽度还可用调节成分的方法，在一定范围内进行调节，以满足各种器件的需要；
    （4）非晶硅及其合金可用掺杂的方法使之成为n型或P型，有利于器件的制造。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    Pristina探测器的材质（）
    A

    非晶硅碘化铯

    B

    非晶硒

    C

    晶体硅碘化铯

    D

    非晶硅硫氧化钆


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    集点矩阵层中包含的TFT是（　　）。
    A

    薄膜晶体管

    B

    发光晶体管

    C

    非晶硒

    D

    非晶硅

    E

    氢化非晶硅


    正确答案： E
    解析：
    集点矩阵层中包含TFT（thin film transistor，薄膜晶体管）、储能电容。

  • 第11题：

    单选题
    DiscoveryXR656和飞天V无线平板探测器材质是（）
    A

    非晶硒

    B

    碘化铯非晶硅

    C

    氧化钆非晶硅

    D

    CCD


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    DSA非晶硅平板探测器的构成。（）
    A

    碘化铯构成的闪烁体层

    B

    CCD层

    C

    信号读出电路

    D

    石英玻璃衬体

    E

    非晶硅薄膜晶体管阵列层


    正确答案： C,B
    解析： 非晶硅平板探测器由碘化铯构成的闪烁体层、非晶硅阵列层、信号读出电路和石英玻璃衬体等部分组成，是一种三层结构：表面一层为碘化铯闪烁体材料，其中碘化铯光柱达20μm，由连续排列的针状碘化铯晶体构成，针柱的直径约6μm，外表面由重元素铊包裹以形成可见光波导减少漫射；第二层是以非晶硅为材料的光电二极管电路；最底层为TFT（大面积薄膜晶体管阵列）电荷信号读出电路（即电荷收集阵列电路）。当然还有起支持作用的玻璃层。

  • 第13题：

    简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。


    正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
    2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
    3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
    4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。

  • 第14题：

    简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。


    正确答案:组成的CMOS驱动电路的优点：
    1）利用自对准工艺，寄生电容降到最低，响应速度很快；
    2）较高的迁移率以及沟道长度的微细化，有利于进一步提高响应速度；
    3）在周边驱动的CMOS电路中，利用p-Si TFT高开态电流和高迁移率特性，不受关态泄漏电流的影响，使得p-Si TFT非常适合制作周边驱动电路；
    4）沟道长度微细化后，TFT尺寸缩小，周边驱动电路的面积缩小，非常适合高精度、高清晰的显示；
    5）在考虑漏极的耐压极限后，常规的p-Si TFT的沟道长度设计为4μm。采用LDD结构后，耐压能力提高，沟道长度可以设计到1.5～2μm。

  • 第15题：

    简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用，以及工艺中需要采用的特殊技术？


    正确答案:金属Mo薄膜起到光热转换的作用，使薄膜晶化为微晶硅薄膜。晶化后进行金属MO层的光刻形成源漏电极。
    制作工艺流程是先进行有源岛位置处的Mo岛和Mo栅线的光刻，再溅射AlNd金属及光刻AlNd栅线。保证了金属线的低电阻率，又可以获得稳定、高结晶度的微晶硅薄膜，还能降低缺陷提高成品率。

  • 第16题：

    以下哪些是光伏发电的光伏材料？（）

    • A、单晶硅
    • B、多晶硅
    • C、非晶硅
    • D、微晶硅

    正确答案:A,B,C,D

  • 第17题：

    单选题
    悬吊DR无线平板探测器材质是（）
    A

    非晶硒

    B

    碘化铯非晶硅

    C

    氧化钆非晶硅

    D

    CCD


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    单选题
    关于非晶硅平板探测器及其工作原理的叙述，正确的是（　　）。
    A

    将入射的X线光子转换为可见光的是光电二极管

    B

    将可见光转换成电信号的是模/数转换器

    C

    主要分为碘化铯＋非晶硅、荧光体＋非晶硅两类

    D

    非晶硅平板探测器属于直接转换型平板探测器

    E

    在闪烁晶体上形成储存电荷


    正确答案： C
    解析：
    非晶硅平板探测器属于间接转换型平板探测器，主要分为碘化铯＋非晶硅、荧光体＋非晶硅两类。入射的X线光子转换为可见光的是非晶硅探测器，将入射的X线光子转换为可见光，在光电二极管自身的电容上形成存储电荷。

  • 第19题：

    问答题
    非晶硅的制作原理及特点？

    正确答案： 制作原理是：在较低温度下（约600℃）析出硅膜，在此过程中，充入大量的氢原子，破坏了硅晶体中原子排列的周期性，从而改变了硅材料的性质，其特性表现在：
    （1）有效带隙增大，约1.6eV左右（Si晶体为1.12eV）；
    （2）类似于直接带隙材料，吸收系数比Si大得多，厚度通常在um左右；
    （3）可以使用几乎所有的衬底材料，具有良好的使用灵活性。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    以下所列物质中哪种不是目前薄膜晶体管液晶显示器面板的TFT的半导体材料：（）。
    A

    非晶硅（a-Si）

    B

    低温多晶硅（LTPS）

    C

    金属氧化物（Oxide）

    D

    单晶硅（Si）


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    西门子乳腺机Fusion探测器材质（）
    A

    非晶硅碘化铯

    B

    非晶硒

    C

    晶体硅碘化铯

    D

    非晶硅硫氧化钆


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    Hologic Selenia Dimensions探测器的材质（）
    A

    非晶硅碘化铯

    B

    非晶硒

    C

    晶体硅碘化铯

    D

    非晶硅硫氧化钆


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    Crystal探测器材质（）
    A

    非晶硅碘化铯

    B

    非晶硒

    C

    晶体硅碘化铯

    D

    非晶硅硫氧化钆


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

相关内容