简述a-Si：H TFT驱动OLED面临的困难，实现a-Si：H TFT驱动的解决办法？

第1题：

第2题：

简述AMOLED驱动的最关键的TFT性能要求。

正确答案:关键的TFT性能要求是：
1）更高的迁移率。对AMOLED显示，要求阵列基板的驱动TFT有较大的电流流过的能力，也就是要求TFT具有更高的开态电流。在适合的开关比下，要有更高的载流子迁移率，一般需要≥1cm²/Vs，最好达到5cm²/Vs以上；
2）更高的均匀性和稳定性。为保证显示效果，需要控制流过每一个OLED器件电流的均匀性和稳定性。因此，要求阵列基板上不同区域内的TFT特性具有更高的均匀性和稳定性。稳定性一般要求阈值电压的偏移△V_TH<1V。

第3题：

TFT-LCD采用了（）的方式来驱动。

• A、“主动式矩阵”
• B、“被动式矩阵”
• C、“主动式驱动”
• D、“被动式驱动”

正确答案:A

第4题：

简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。

正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。

第5题：

简述TFT在液晶显示器中的作用。

正确答案:TFT在液晶显示器中起着开关的作用，器件性能的优劣直接影响图像显示的质量。

第6题：

简述TFT制作中的各种薄膜采用的成膜方法。

正确答案:栅电极、源漏电极的金属材料：Al、MoW、AlNd/Mo、AlNd/MoN_x、Mo/Al/Mo等采用溅射；像素电极ITO透明氧化物材料采用溅射；栅极绝缘膜SiN_x、SiO_x采用PECVD；半导体层a-Si：H、欧姆接触层n⁺a-Si材料采用PECVD；保护膜（钝化膜）SiN_x材料采用PECVD。

第7题：

简述氧化物薄膜晶体管驱动OLED的优势，以及当前的研究热点？

正确答案:优点是载流子迁移率为10cm²/Vs左右，阈值电压的变化与LTPS相当，可以采用溅射方法制作，不受基板尺寸限制，对现在的TFT LCD生产线不需要较大改动。
研究热点在于：1）由于载流子有氧空位，制造过程和工作状态下易受到影响，TFT特性稳定性和工艺重复性差，成为量产前急需解决的一个关键技术难题。通过在成膜后施加热处理，有望改善；
2）在相同体系中其他半导体材料的研发，减少贵金属材料的使用，降低材料成本；
3）更为便宜的制造工艺的研发，如涂布和喷印技术。

第8题：

TFT-LCD

正确答案: 薄膜晶体管液晶显示器，是一种有源矩阵类型液晶显示器（AM-LCD.，具有超薄体形、低功耗、低辐射、无闪烁、完全物理平面、低反光、清晰的字符显示等优点。

第9题：

a-Si：H作为四面体结合的非晶体，是由（）束缚结构构成的，为了缓和坚固的电路内部应力，易引发不可见光能带等的结构缺陷。

正确答案:过剩

第10题：

具有更轻、更薄，可视角度大，并且显著节省电能的终端显示屏类型为（）

• A、TFT屏幕
• B、TFD屏幕
• C、UFB屏幕
• D、OLED屏幕

正确答案:D

第11题：

第12题：

第13题：

简述TFT-LCD的工作原理。

正确答案:TFT液晶显示器是普通TN型工作方式。在下基板上要光刻出行扫描和列寻址线，构成一个矩阵，在其交点上制作出TFT有源器件和像素电极。同一行中与各像素串连的场效应管（FET）的栅极是连在一起的。而信号电极Y将同一行中各FET的漏极连在一起。而FET的源极则与液晶的像素电极相连。为了增加液晶像素的驰豫时间，还对液晶像素并联上一个合适电容。
当扫描到某一行时，扫描脉冲使该行上的全部FET导通。同时各列将信号电压施加到液晶像素上，即对并联电容器充电。这一行扫描过后，各FET处于开路状态，不管以后列上信号如何变化，对未扫描行上的像素都无影响，即信号电压可在液晶上保持接近一帧时间，使占空比达到百分之百，而与扫描行数无关。

第14题：

TFT-060／B型调节组件是如何实现双向无扰切换的？

正确答案: TFT-060／B型调节组件是通过本机上的自动／手动切换电路及操作器（如TFC-060／B）型来实现双向无扰切换的。
当调节组件切换开关在自动位置时，继电器K1、K2、K3激励，调节组件处于自动状态，按PID调节规律输出自动信号。
当调节组件切换开关在手动位置时，虽然继电器K1、K2、K3失电，但由于积分电路的保持电容C6上贮存着电压，保持了切换前调节组件的输出电压，故切换是无扰的。
当调节系统通过操作器进行手动操作时，继电器K1激励，手动信号通过电阻R26对集成运算放大器AJ进行积分式的增加或减小，调节组件输出电压随手动信号的大小变化，实现了调节组件的输出跟踪手动信号。
当操作器由手动转向自动位置，使调节组件由手动转向自动位置时，由于积分电路的保持作用，调节组件输出不会发生变化，切换也是无扰的。

第15题：

什么叫TFT技术？TFT技术的主要特点是什么？

正确答案: TFT技术是20世纪90年代发展起来的、采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制技术，是液晶（LC.、无机和有机薄膜电致发光（EL和OEL）平板显示器的基础。
TFT技术的主要特点有：
①大面积。自十几年前第一代大面积玻璃基板（300mm×400mm）TFTLCD生产线投产，到近年来投入运行的产品，玻璃基板的面积已经扩大到（950mm×1200mm），原则上面积的限制已经不是问题。
②高集成度。用于液晶投影的1.3inTFT芯片的分辨率为XGA，含有百万个像素。分辨率为SXGA（1280×1024）的16.1英寸的TFT阵列非晶体硅的膜厚只有50nm，包括TABONGLASS和SYSTEMONGLASS技术在内，其IC的集成度、对设备和供应技术的要求，难度都超过传统的LSI。
③功能强大。TFT最早作为矩阵选址电路，改善了液晶的光阀特性。对于高分辨率显示器，通过0~6V范围的电压调节（典型值0.2~4V），实现了对像素的精确控制，从而使LCD实现高质量、高分辨率显示成为可能。TFTLCD是人类历史上第一种在显示质量上超过CRT的平板显示器。现在，已经开始把驱动IC集成到玻璃基板上，整个TFT的功能将更加强大，这是传统的大规模半导体集成电路所无法比拟的。
④低成本。玻璃基板和塑料基板从根本上解决了大规模半导体集成电路的成本问题，为推广应用开拓了广阔的空间。
⑤工艺灵活。除了采用溅射、CVD（化学气相沉积）和MCVD（分子化学气相沉积）等传统工艺成膜以外，激光退火技术也开始应用，既可以制作非晶膜、多晶膜，也可以制造单晶膜。不仅可以制作硅膜，也可以制作其他Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜。
⑥应用领域广泛。以TFT技术为基础的液晶平板显示器是信息社会的支柱产业，其技术可应用到正在迅速成长中的薄膜晶体管有机电致发光（TFT-OLED.平板显示器中。

第16题：

分析n沟道2T1C驱动电路的缺点？并解释为什么a-Si：H TFT驱动OLED会有困难？

正确答案:n沟道2T1C驱动电路中，T₂管的栅源电压V_GS由信号电压和OLED电压决定。该电路有两个缺点：
1）一部分信号电压施加到了OLED上，而不是全部施加到驱动TFT的栅极上。要获得同p沟道相同的像素电流，需要更高的信号电压；
2）驱动TFT的栅源电压要受到OLED性质的影响，可能会随着制造工艺中OLED器件的不同而变化，也可能随着OLED工作时间而变化。
a.Si：H TFT是n沟道的薄膜晶体管，不能制作出p沟道的TFT，要驱动OLED有一定的困难。而LPTS TFT可以制作成p沟道或者n沟道TFT，驱动OLED比较容易。底发射型OLED是传统的结构，对OLED制备工艺的难度要求较低，OLED的性能好。

第17题：

简述OLED产业化的面临的问题？你认为有什么解决办法？

正确答案:面临的问题主要有：1）材料稳定性和寿命问题；2）驱动技术问题；3）成本问题；4）设备制造问题。另外，喷墨打印技术、彩色化技术还需进一步研究，设备也需要进一步改进。

第18题：

简述3T1C、6T1C驱动电路中各个TFT的作用。

正确答案:3T1C驱动电路3个TFT的作用分别是：
1）T₁是开关TFT，当某一行被选通后，负责将信号电压写入像素电路；
2）T₂是开关TFT，在检测T₃阈值电压时，负责将T₃的栅极跟漏极短路，形成二极管接法。
3）T₃是驱动TFT，工作在饱和区，根据所给的信号电压控制流过OLED电流的大小，实现像素发光显示。
6T1C驱动电路每个TFT的作用是：
1）T₁是开关TFT，像素选择后，将信号电压写入像素；
2）T₂是短路TFT，在探测TFT的阈值电压V_TH时，将T₆的栅极跟漏极短路，形成二极管接法；
3）T₃短路TFT，在探测TFT的阈值电压V_TH时，避免Cs读取到信号电压；
4）T₄是开关TFT，用于决定是否有电流流过OLED，控制OLED的发光；
5）T₅是短路TFT，避免在发光时，下一帧的信号电压影响流过OLED的电流；
6）T₆是驱动TFT，根据所给的电压来控制流过OLED电流的大小，工作在饱和区。

第19题：

a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。

正确答案:等离子CVD

第20题：

太阳能电池基片的厚度GaAs为（），a-Si为（）。

正确答案:2μm；1μm

第21题：

在a-Si：H太阳能电池中，此低光吸收和（），可以作为电极或者窗口一侧的结合层来利用。

正确答案:高光导电率

第22题：

第23题：