手机的二极管均是（）的黑色的硅管。A、块状B、片状C、长形D、方形

题目

手机的二极管均是（）的黑色的硅管。

  • A、块状
  • B、片状
  • C、长形
  • D、方形
相似考题

1.型号为2AK二极管是()二极管。A、锗开关B、锗普通C、硅普通D、硅开关

2.锗晶体二极管的()电压降比硅晶体二极管小。()电流比硅晶体二极管大。

3.二极管按使用的半导体材料不同分为锗二极管和硅二极管。（）

4.在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。

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  • 第1题：

    硅稳压二极管的（）特性曲线与普通二极管相同。


    正确答案:正向

  • 第2题：

    硅二极管的反向电流比锗二极管大。


    正确答案:错误

  • 第3题：

    2CW10表示（）

    • A、N型硅材料稳压二极管；
    • B、P型硅材料稳压二极管；
    • C、N型锗材料稳压二极管；
    • D、P型锗材料稳压二极管

    正确答案:A

  • 第4题：

    晶体管型号2CZ50表示（）。

    • A、50A的硅整流二极管
    • B、硅稳压管
    • C、50A的锗整流二极管
    • D、普通硅三极管

    正确答案:A

  • 第5题：

    扒房薯条是长方形（）的条。

    • A、块状
    • B、棍状
    • C、片状
    • D、波浪状

    正确答案:C

  • 第6题：

    晶体二极管按制造材料不同，分（）两种

    • A、硅二极管
    • B、锆二极管
    • C、锗二极管
    • D、镍二极管

    正确答案:A,C

  • 第7题：

    硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（）


    正确答案:正确

  • 第8题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第9题：

    硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）


    正确答案:大

  • 第10题：

    硅二极管的正向电阻（）锗二极管的正向电阻。

    • A、大于
    • B、小于
    • C、等于
    • D、无法确定

    正确答案:A

  • 第11题：

    多选题
    晶体二极管按制造材料不同，分（）两种
    A

    硅二极管

    B

    锆二极管

    C

    锗二极管

    D

    镍二极管


    正确答案： B,A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    交流发电机用硅二极管的引线为正极时，其外壳上印有黑色标记。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    硅电压开关二极管也是整流和检波用的二极管。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    半导体二极管按材料分为（）。

    • A、铝二极管
    • B、硅二极管
    • C、锗二极管
    • D、锌二极管

    正确答案:B,C

  • 第15题：

    2CZ54D是（）。

    • A、N型硅整流二极管
    • B、P型锗整流二极管
    • C、N型硅整流稳压二极管
    • D、P型锗整流开关二极管

    正确答案:A

  • 第16题：

    晶体二极管按制造材料不同，分为硅二极管和锗二极管。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。

    • A、0.4V
    • B、0.5V
    • C、0.6V
    • D、0.7V

    正确答案:D

  • 第18题：

    二极管按材料分锗二极管和硅二极管。


    正确答案:正确

  • 第19题：

    整流柜的核心器件是（）。

    • A、二极管
    • B、三极管
    • C、可控硅
    • D、双基二极管

    正确答案:A

  • 第20题：

    硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.5；0.1

  • 第21题：

    SCR是一种（）。

    • A、锗二极管
    • B、硅二极管
    • C、可控硅三极管
    • D、可控硅二极管

    正确答案:D

  • 第22题：

    问答题
    试比较硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线，说明它们的差异。

    正确答案： 比较硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线可知：当没有光辐射时，二者的伏安特性曲线是一样的；当有光辐射时，则硅光电二极管的全电流为负值，特性曲线向下平移，且向下平移的程度随辐照度的不同而变化。但是硅整流二极管的伏安特性曲线不受光照的影响。此外，正常工作状态下，硅光电二极管两端所加正向电压必须小于0.7V，否则不能产生光电效应。该值通常为负，即处于反偏状态；硅整流二极管两端所加偏压须为正，且要大于开启电压Uth值。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    检查硅二极管时，应注意硅二极管分为（）与（）管。

    正确答案： 正,负
    解析： 暂无解析

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