晶三级体管内部的两个PN结分别称为（）结和集电结。

第1题：

第2题：

晶体三级管的两个PN结分别称作（）极和（）极。

正确答案:集电；发射

第3题：

用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管（）。

• A、两个PN结均击穿
• B、两个PN结均开路
• C、发射结击穿，集电结正常
• D、发射结正常，集电结击穿

正确答案:A

第4题：

下列关于晶体三极管说法证确的是（）。

• A、发射区与基区交界处的PN结为发射结
• B、基区与集电区交界处的PN结为发射结
• C、发射区与基区交界处的PN结为集电结
• D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结

正确答案:A

第5题：

三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（）。

• A、发射结、集电结皆正偏
• B、发射结、集电结皆反偏
• C、发射结正偏，集电结反偏
• D、发射结反偏，集电结正偏

正确答案:C

第6题：

PN结位于发射区与基区之间被称为（）。

• A、基极
• B、发射结
• C、集电结
• D、以上选项均不正确

正确答案:B

第7题：

晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。

正确答案:错误

第8题：

半导体三极管内部有发射区、基区和集电区三部分，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。

• A、集中结
• B、集成结
• C、集电结
• D、集合结

正确答案:C

第9题：

用万用表测得三极管的任意两极间的电阻均很小，说明该管（）。

• A、二个PN结均击穿
• B、发射结击穿，集电结正常
• C、二个PN结均正常
• D、集电结击穿发射结正常

正确答案:A

第10题：

三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。

• A、集中结
• B、集成结
• C、集电结

正确答案:C

第11题：

三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏置是：发射结加正向电压，集电结加正向电压。

正确答案:正确

第12题：

第13题：

用万用表R×100的欧姆档测量一只晶体三极管各极间的正、反向电阻，若都呈现最小的阻值，则这只晶体管（）。

• A、两个PN结都被烧断
• B、两个PN结都被击穿
• C、只是发射结被击穿
• D、只是发射结被烧断
• E、只是集电结被烧断

正确答案:B

第14题：

三极管有两个PN结分别称为发射结和集电结

正确答案:正确

第15题：

单结晶体管有一个PN结，两个基极，因此称为单结三极管。（）

正确答案:错误

第16题：

三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（）

• A、发射结和集电结都处于正偏
• B、发射结处于正偏，集电结处于反偏
• C、发射结处于反偏，集电结处于正偏
• D、发射结和集电结都处于反偏

正确答案:B

第17题：

一个三极管有两个PN结，分别称为（）结和（）结。

正确答案:发射；集电

第18题：

晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）

• A、发射结正偏，集电结正偏
• B、发射结正偏，集电结反偏
• C、发射结反偏，集电结正偏
• D、发射结反偏，集电结反偏

正确答案:A

第19题：

半导体三级管是由两个PN结构成的（）元件。根据两个PN结的排列顺序，三级管分为PNP型和NPN型。

正确答案:三端半导体

第20题：

晶体三级管电流放大的偏置条件是（）。

• A、发射结反偏，集电结反偏
• B、发射结反偏，集电结正偏
• C、发射结正偏，集电结反偏
• D、发射结正偏，集电结正偏

正确答案:C

第21题：

三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。

• A、集中结
• B、集成结
• C、集电结
• D、集合结

正确答案:C

第22题：

半导体二极管和可控硅分别有一个PN结和三个PN结。

正确答案:正确

第23题：