MOS种类分为？（）A、P沟道场管B、Q沟道场管C、D沟道场管D、N沟道场管

题目

MOS种类分为？（）

  • A、P沟道场管
  • B、Q沟道场管
  • C、D沟道场管
  • D、N沟道场管
相似考题

1.VoLTE的语音质量MOS评估体系为()A.PESQB.POLQAC.PSQMD.MOS-LQO

2.下面对于语音质量主观评定“MOS分”方法描述正确的是()。A.MOS得分为5，表示可完全放松，不需要注意力B.MOS得分为4，表示中等程度的注意力C.MOS得分为1，表示即使努力去听，也很难听懂D.MOS得分为3，表示需要注意，但不需明显集中注意力。

3.按照存取速度不同，存储器可以分为（）。A、SRAM和DRAMB、ROM和RAMC、MOS和TTLD、TTL和STTL

4.MOS评分为5分表示BER为()A.<0.2%B.0.2-0.4%C.0.4-0.8%D.0.8-1.6%E.1.6-3.2%

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  • 第1题：

    单极型集成电路不包含（）.

    • A、普通晶体管（NPN管或PNP管）
    • B、P沟道MOS管
    • C、N沟道MOS管
    • D、互补型MOS（即CMOS）

    正确答案:A

  • 第2题：

    MOS型半导体随机存储器可分为哪两种？


    正确答案:可分为SRAM和DRAM两种。

  • 第3题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第4题：

    下面对于语音质量主观评定“MOS分”方法描述正确的是（）。

    • A、MOS得分为5，表示可完全放松，不需要注意力
    • B、MOS得分为4，表示中等程度的注意力
    • C、MOS得分为1，表示即使努力去听，也很难听懂
    • D、MOS得分为3，表示需要注意，但不需明显集中注意力。

    正确答案:A,C

  • 第5题：

    MOS评分为5分表示BER为（）

    • A、<0.2%
    • B、0.2-0.4%
    • C、0.4-0.8%
    • D、0.8-1.6%
    • E、1.6-3.2%

    正确答案:A

  • 第6题：

    数字集成电路从器件特性可分为TTL和MOS两大系列。（）


    正确答案:正确

  • 第7题：

    MOS场效应管按导电沟道划分为N和（）两大类。


    正确答案:P

  • 第8题：

    问答题
    在CMOS电路里，MOS管一般采用何种类型？

    正确答案： 增强型
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    根据阈值电压不同，常把MOS器件分为几种？

    正确答案： 增强型和耗尽型
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。

    正确答案： CMOS
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？

    正确答案： 耗尽型：在VGS=0时导电沟道已经存在
    增强型：当VGS正到一定程度才会导通
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    根据形成导电沟道载流子类型的不同，MOS管有几种类型？

    正确答案： NMOS和PMOS
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    MOS RAM可分为（）和（）。


    正确答案:静态RAM；动态RAM

  • 第14题：

    静态MOS存储元、动态MOS存储元各有什么特点？


    正确答案:在MOS半导体存储器中，根据存储信息机构的原理不同，又分为静态MOS存储器（SRAM）和动态MOS存储器（DRAM），前者利用双稳态触发器来保存信息，只要不断电，信息不会丢失，后者利用MOS电容存储电荷来保存信息，使用时需不断给电容充电才能使信息保持。

  • 第15题：

    MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。


    正确答案:耗尽型

  • 第16题：

    话音质量通常用MOS分来衡量，影响系统MOS分的因数通常有哪些？


    正确答案: 背景噪声、系统提供的静音抑止功能、低比特率的声码器、系统的误帧率。

  • 第17题：

    三极管按内部结构的不同，分为（）型。

    • A、TTL
    • B、CMOS
    • C、NPN
    • D、PNP
    • E、MOS

    正确答案:C,D

  • 第18题：

    衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。


    正确答案:错误

  • 第19题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第20题：

    问答题
    一个MOS管的正常导电特性可分为几个区域？

    正确答案： 夹断、线性、饱和
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    多选题
    关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）
    A

    高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。

    B

    高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。

    C

    高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。

    D

    高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    静态MOS存储元、动态MOS存储元各有什么特点？

    正确答案： 在MOS半导体存储器中，根据存储信息机构的原理不同，又分为静态MOS存储器（SRAM）和动态MOS存储器（DRAM），前者利用双稳态触发器来保存信息，只要不断电，信息不会丢失，后者利用MOS电容存储电荷来保存信息，使用时需不断给电容充电才能使信息保持。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    MOS场效应晶体管分为四种基本类型：（）、（）、P沟增强型、P沟耗尽型。

    正确答案： N沟增强型,N沟耗尽型
    解析： 暂无解析

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