由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4V B、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2V C、电位降落的方向和内电场方向相反 D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V

题目

由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。

  • A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4V 
  • B、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2V 
  • C、电位降落的方向和内电场方向相反 
  • D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V
相似考题

1.半导体二极管和可控硅分别有一个PN结和三个PN结。()此题为判断题(对，错)。

2.PN结加正向电压，则（）A、内电场增强B、PN结电阻呈现无穷大C、PN结变厚D、有利于多子的扩散

3.当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时，它呈___状态，当外加电压与内电场的方向相同时，它将呈___状态，即___具有单向导电性。A、PN结；导通，截止；PN结 B、晶体管；截止，导通；PN结 C、晶体管；导通，截止；晶体管 D、PN结；截止，导通；晶体管 E、晶体管；截止，导通；晶体管

4.锗材料PN结的结压降为（）。A、0.7VB、0.3VC、1VD、2V

参考答案和解析
正确答案:D
更多“由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4VB、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2VC、电位降落的方向和内电场方向相反D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V”相关问题

  • 第1题：

    加在PN结两端的正向电压必须（）内电场电压，才能使PN结导通。

    • A、大于
    • B、等于
    • C、小于等于
    • D、小于

    正确答案:A

  • 第2题：

    硅材料PN结的结压降为（）V。

    • A、0.3
    • B、1
    • C、0.7
    • D、2

    正确答案:C

  • 第3题：

    硅材料的PN结压降为（）。

    • A、0.7V
    • B、0.3V
    • C、1V
    • D、2V

    正确答案:A

  • 第4题：

    PN结内电场方向为P→N。


    正确答案:错误

  • 第5题：

    一个三极管有两个PN结，分别称为（）结和（）结。


    正确答案:发射；集电

  • 第6题：

    PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。


    正确答案:错误

  • 第7题：

    由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    晶体管的PN结的正向压降为（）。

    • A、锗管为0.3V左右
    • B、锗管为0.7V左右
    • C、硅管为0.3V左右
    • D、硅管为0.7V左右

    正确答案:A,D

  • 第9题：

    锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度（）。

    • A、高
    • B、低
    • C、相等
    • D、不定

    正确答案:B

  • 第10题：

    三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。

    • A、集中结
    • B、集成结
    • C、集电结
    • D、集合结

    正确答案:C

  • 第11题：

    半导体二极管和可控硅分别有一个PN结和三个PN结。


    正确答案:正确

  • 第12题：

    多选题
    晶体管的PN结的正向压降为（）。
    A

    锗管为0.3V左右

    B

    锗管为0.7V左右

    C

    硅管为0.3V左右

    D

    硅管为0.7V左右


    正确答案： B,D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。

    • A、PN结的反向击穿特性
    • B、PN结的单向导电特性
    • C、PN结的正向导通特性
    • D、PN结的反向截止特性

    正确答案:B

  • 第14题：

    利用万用表测量晶体二极管内PN结的（）电阻值，可以大致判别出晶体极管的（）、（）和PN结的材料。


    正确答案:正反向；好坏；极性

  • 第15题：

    可控硅有（）个PN结。


    正确答案:3

  • 第16题：

    常温下，锗材料PN结正向导通电压为（）左右。

    • A、0V
    • B、0.3V
    • C、0.7V
    • D、1.5V

    正确答案:B

  • 第17题：

    PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。


    正确答案:相同；宽

  • 第19题：

    PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。


    正确答案:增强；具有单向导电

  • 第20题：

    为什么PN结具有单向导电性（）。

    • A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向一致，增强内电场作用，多数载流子顺利通过在电路中形成电流，正向导通
    • B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向相反，削弱内电场阻挡作用，使多数载流子顺利通过阻挡层，在电路中形成电流，正向导通
    • C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向相反，削弱内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用
    • D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向一致，增强内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用

    正确答案:B,D

  • 第21题：

    PN结正向导电时，外电场和内电场的方向（）

    • A、相同
    • B、相反
    • C、外电场加强了内电场

    正确答案:B

  • 第22题：

    三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。

    • A、集中结
    • B、集成结
    • C、集电结

    正确答案:C

  • 第23题：

    填空题
    在N型材料的PN结光伏效应中，光生电动势与内建电场的方向（）。

    正确答案： 相反
    解析： 暂无解析

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