为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。A、多晶硅B、单晶硅C、铝硅铜合金D、铜

题目

为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

  • A、多晶硅
  • B、单晶硅
  • C、铝硅铜合金
  • D、铜
相似考题

1.硅提纯及制备工艺流程正确的是()。A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

2.在灌注模型前应认真检查印模内是否残存唾液血和食物残渣，以下原因不正确的是( )。A、这些残留物会影响模型的凝固B、这些残留物会影响模型的精度C、会使接触印模的薄层石膏无法凝固D、这些残留物会导致一些疾病的传播E、这些残留物会影响石膏的硬度

3.158、铜母线接头表面搪锡是为了防止铜在高温下迅速氧化和电化腐蚀，以及避免接触电阻增加。（ ）

4.直接影响燃料油质量的成分是()。Ⅰ、硅、铝残留物Ⅱ、钒残留物Ⅲ、沥青质Ⅳ、硫分Ⅴ、馏分A、Ⅰ+ⅡB、Ⅰ~ⅣC、Ⅰ~ⅤD、Ⅰ+Ⅱ+Ⅲ+Ⅴ

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  • 第1题：

    79、铜母线接头表面搪锡是为了防止铜在高温下迅速氧化或电化腐蚀以及避免接触电阻的增加。（ ）


    答案：对
    解析：

  • 第2题：

    在焊接铝及铝合金时，为了保证焊接质量，焊前必须除去焊件表面的氧化膜，并防止在焊接过程中再氧化，这是铝和铝合金熔化焊的重要特点。


    正确答案:正确

  • 第3题：

    多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

    • A、二氧化硅
    • B、氮化硅
    • C、单晶硅
    • D、多晶硅

    正确答案:A

  • 第4题：

    硅钢经冷轧之后，其带钢表面将带有大量残留物，主要为油污、铁粉和松散杂质等。


    正确答案:正确

  • 第5题：

    在普通黄铜中再加入铅、锡、铝、锰、硅等元素的铜合金，称为（）

    • A、特殊铅铜
    • B、特殊锡铜
    • C、特殊铝铜
    • D、特殊黄铜

    正确答案:D

  • 第6题：

    哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。


    正确答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
    刻蚀多晶硅的三步工艺：
    1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
    2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
    3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。

  • 第7题：

    下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

    • A、二氧化硅氮化硅
    • B、多晶硅硅化金属
    • C、单晶硅多晶硅
    • D、铝铜
    • E、铝硅

    正确答案:A,E

  • 第8题：

    在结晶系中，多晶硅电池片的厚度为（）角，单晶硅电池片的厚度为（）角。


    正确答案:125mm；150mm

  • 第9题：

    多晶硅表面的结晶面是多重的，因此不能像单晶硅基片那样，使用（）的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。


    正确答案:氢氧化钾

  • 第10题：

    铜母线接头表面搪锡是为了防止铜在高温下迅速氧化或电化腐蚀以及避免接触电阻的增加。


    正确答案:正确

  • 第11题：

    问答题
    哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

    正确答案： 多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。刻蚀多晶硅的三步工艺：
    1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
    2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
    3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    直接影响燃料油质量的成分是（）。Ⅰ、硅、铝残留物Ⅱ、钒残留物Ⅲ、沥青质Ⅳ、硫分Ⅴ、馏分
    A

    Ⅰ+Ⅱ

    B

    Ⅰ~Ⅳ

    C

    Ⅰ~Ⅴ

    D

    Ⅰ+Ⅱ+Ⅲ+Ⅴ


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。

    • A、等离子体刻蚀
    • B、反应离子刻蚀
    • C、湿法刻蚀
    • D、溅射刻蚀

    正确答案:D

  • 第14题：

    在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

    • A、单晶硅刻蚀
    • B、多晶硅刻蚀
    • C、二氧化硅刻蚀
    • D、氮化硅刻蚀

    正确答案:A

  • 第15题：

    下列材料中电阻率最低的是（）。

    • A、铝
    • B、铜
    • C、多晶硅
    • D、金

    正确答案:D

  • 第16题：

    单晶硅、多晶硅、非晶硅和铜铟镓硒薄膜电池等是太阳能（）技术的最基本元件。

    • A、热能
    • B、光热发电
    • C、电磁辐射
    • D、光伏发电

    正确答案:D

  • 第17题：

    （）和等硅基光伏材料，理论光伏能量转化效率可以达到38％，当前商业转化效率在20%左右，未来还有很大的发展空间。

    • A、单晶硅
    • B、多晶硅
    • C、碲化镉
    • D、铜铟镓硒化物

    正确答案:A,B

  • 第18题：

    单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

    • A、氮化硅
    • B、二氧化硅
    • C、光刻胶
    • D、多晶硅

    正确答案:B

  • 第19题：

    在单晶硅表面制作绒面时，常用的各向异性腐蚀剂有有机腐蚀剂和（），并且被腐蚀的单晶硅表面为100晶面时，可形成金字塔方椎形状，腐蚀后方椎高度一般为3～6μm。


    正确答案:碱性腐蚀剂

  • 第20题：

    太阳能光伏发电的最基本元件有（）

    • A、太阳能电池（片）
    • B、单晶硅
    • C、多晶硅
    • D、非晶硅
    • E、铜铟镓硒薄膜电池

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第21题：

    铜母线接头表面搪锡是为了防止铜在高温下迅速氧化和电化腐蚀，以及避免接触电阻增加。


    正确答案:正确

  • 第22题：

    问答题
    单晶硅与多晶硅的区别？

    正确答案： 多晶硅是由多个单晶单元随机堆积形成的，多晶硅没有单晶所特有的特征，如各向异性、短程有序等。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    多选题
    （）和等硅基光伏材料，理论光伏能量转化效率可以达到38％，当前商业转化效率在20%左右，未来还有很大的发展空间。
    A

    单晶硅

    B

    多晶硅

    C

    碲化镉

    D

    铜铟镓硒化物


    正确答案： D,A
    解析： 暂无解析

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