大硅片上生长的()的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。A、薄膜厚度B、图形宽度C、图形长度D、图形间隔

题目

大硅片上生长的()的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。

  • A、薄膜厚度
  • B、图形宽度
  • C、图形长度
  • D、图形间隔

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  • 第1题:

    实现超微图形成像的()技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。

    • A、光刻
    • B、刻蚀
    • C、氧化
    • D、溅射

    正确答案:A

  • 第2题:

    双向拉伸薄膜的局部厚度不均匀时,会导致()。

    • A、断膜
    • B、套印不准
    • C、粘边
    • D、荷叶边

    正确答案:B,D

  • 第3题:

    当对处于不同图层上的两个图形执行成组命令后,两个图形会()

    • A、两个图形仍在各自的图层上
    • B、两个图形在一个新建的图层上
    • C、两个图形在原来位于下面的图层上
    • D、两个图形在原来位于上面的图层上

    正确答案:D

  • 第4题:

    下列关于Illusteator中图形位置关系描述正确的是()

    • A、在图形软件中,各个图形之间具有前后关系
    • B、在图形软件中,后画的图形位于先画的图形的前面
    • C、在图形软件中,图形移动的同时其前后关系也随之变动
    • D、在图形软件中,当图形重叠时,图形不存在前后关系

    正确答案:A,B

  • 第5题:

    由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

    • A、刻蚀速率
    • B、选择性
    • C、各向同性
    • D、各向异性

    正确答案:B

  • 第6题:

    在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。

    • A、刻蚀
    • B、氧化
    • C、淀积
    • D、光刻

    正确答案:D

  • 第7题:

    单选题
    当对处于不同图层上的两个图形执行成组命令后,两个图形会()
    A

    两个图形仍在各自的图层上

    B

    两个图形在一个新建的图层上

    C

    两个图形在原来位于下面的图层上

    D

    两个图形在原来位于上面的图层上


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    判断题
    不正确的刻蚀将导致硅片报废,给硅片制造公司带来损失。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    多选题
    PowerPoint 2003中选择幻灯片中多个图形的正确方法是()。
    A

    依次单击各个图形可以选择多个图形

    B

    按住Shift键,依次单击各个图形可以选择多个图形

    C

    按住Alt键,依次单击各个图形可以选择多个图形

    D

    按住Ctrl键,依次单击各个图形可以选择多个图形

    E

    在编辑区内拖动鼠标将各个图形圈起来


    正确答案: D,B
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    单选题
    下列关于选择图形的叙述中,不正确的是()。
    A

    单击图形或图片,只有选中图形或图片后,才能对其进行编辑操作

    B

    依次单击各个图形,可以选择多个图形

    C

    按住Shift键,依次单击各个图形,可以选择多个图形

    D

    单击“绘图”工具栏上的“选择图形”按钮,在文本区内单击鼠标并拖动一个范围,把将要选择的图形包括在内


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    判断题
    高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    多选题
    ()是AutoCAD用来表示图形实体的三维图形特征的两种重要形式。
    A

    长度

    B

    宽度

    C

    高度

    D

    厚度

    E

    面积


    正确答案: C,E
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    三主枝基本构图形式以三大主枝为主构成,其外部轮廓是不规整的,呈()状,花材分布不均匀。

    • A、对称
    • B、对等
    • C、同形
    • D、不对称

    正确答案:D

  • 第14题:

    ()是AutoCAD用来表示图形实体的三维图形特征的两种重要形式。

    • A、长度
    • B、宽度
    • C、高度
    • D、厚度
    • E、面积

    正确答案:C,D

  • 第15题:

    当对处于不同图层上两个图形执行成组命令后,两个图形会如何:()

    • A、两个图形仍在各自的图层上
    • B、两个图形在一个新建的图层上
    • C、两个图形在原来位于下面的图层上
    • D、两个图形在原来位于上面的图层上

    正确答案:D

  • 第16题:

    ()是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

    • A、刻蚀速率
    • B、刻蚀深度
    • C、移除速率
    • D、刻蚀时间

    正确答案:A

  • 第17题:

    刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

    • A、选择性
    • B、均匀性
    • C、轮廓
    • D、刻蚀图案

    正确答案:B

  • 第18题:

    PowerPoint 2003中选择幻灯片中多个图形的正确方法是()。

    • A、依次单击各个图形可以选择多个图形
    • B、按住Shift键,依次单击各个图形可以选择多个图形
    • C、按住Alt键,依次单击各个图形可以选择多个图形
    • D、按住Ctrl键,依次单击各个图形可以选择多个图形
    • E、在编辑区内拖动鼠标将各个图形圈起来

    正确答案:B,D,E

  • 第19题:

    单选题
    刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程,其基本目标是()。
    A

     有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状

    B

     在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形

    C

     变成刻蚀介质以形成一个凹槽

    D

     在大于3微米的情况下,混合发生化学作用与物理作用


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    判断题
    在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    单选题
    在文档中绘制了多个图形时,这些图形会相互重叠,导致下面的图形被遮盖,需要下方图形显示至上方所要进行的操作是()。
    A

    设置图形叠放层次

    B

    组合对象

    C

    设置图形样式

    D

    设置图形大小


    正确答案: B
    解析: 如果在文档中绘制了多个图形时,这些图形会互相重叠在一起,导致下面的图形被遮盖,不能正常显示,此时,就需要调整图形的叠放顺序。

  • 第22题:

    判断题
    在各向同性刻蚀时,薄膜的厚度应该大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果图形所要求的分辨率远小于薄膜厚度,则必须采用各向异性刻蚀。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    多选题
    下列关于Illusteator中图形位置关系描述正确的是()
    A

    在图形软件中,各个图形之间具有前后关系

    B

    在图形软件中,后画的图形位于先画的图形的前面

    C

    在图形软件中,图形移动的同时其前后关系也随之变动

    D

    在图形软件中,当图形重叠时,图形不存在前后关系


    正确答案: D,A
    解析: 暂无解析