在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A、晶圆顶层的保护层B、多层金属的介质层C、多晶硅与金属之间的绝缘层D、掺杂阻挡层E、晶圆片上器件之间的隔离
题目
在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。
- A、晶圆顶层的保护层
- B、多层金属的介质层
- C、多晶硅与金属之间的绝缘层
- D、掺杂阻挡层
- E、晶圆片上器件之间的隔离
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第1题：
高压电缆最内层的结构是A.保护层
B.半导体层
C.金属屏蔽层
D.高压绝缘层
E.导电芯线答案：E解析：高压电缆其结构由内到外有以下几层：导电芯线、高压绝缘层、半导体层、金属屏蔽层、保护层。 -
第2题：
同轴式高压电缆由内向外排列正确的是A.芯线→绝缘层→屏蔽层→半导体层→保护层
B.芯线→屏蔽层→绝缘层→半导体层→保护层
C.芯线→半导体层→绝缘层→屏蔽层→保护层
D.芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层
E.芯线→绝缘层→半导体层→保护层→屏蔽层答案：D解析：同轴式高压电缆由内向外排列是芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层。 -
第3题：
气焊时，被连接的金属与焊缝金属之间的结合是（）。
- A、晶间结合
- B、晶内结合
- C、机械结合
- D、化合
正确答案:B -
第4题：
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
- A、n型掺杂区
- B、P型掺杂区
- C、栅氧化层
- D、场氧化层
正确答案:C -
第5题：
在陶瓷与金属连接的通用工艺流程中，在陶瓷件金属化和装架之间，为了增加与钎料的润湿度，往往在金属化层上电镀或涂一层（）。
正确答案:镍粉（层） -
第6题：
以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。
- A、单晶硅
- B、多晶硅
- C、硅化金属
- D、二氧化硅
- E、氮化硅
正确答案:B,C -
第7题：
在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。
- A、MOS栅极
- B、保护性元件
- C、电容器极板
- D、制造只读存储器PROM
- E、晶圆背面电镀
正确答案:B,D -
第8题：
高压电缆结构从内到外分（）
- A、芯线、绝缘层、保护层
- B、芯线、保护层、半导体层、金属网层、绝缘层
- C、芯线、绝缘层、半导体层、金属网层、保护层
- D、芯线、半导体层、绝缘层、金属网层、保护层
- E、芯线、半导体层、绝缘层、保护层、金属网层
正确答案:C -
第9题：
单选题集成电路的主要制造流程是（）A硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试
B硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路
C晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路
D硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。正确答案： Wafer。
（1）单晶硅生长：晶体生长是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。生长后的单晶硅被称为硅锭。可用CZ法或区熔法。
（2）整型。去掉两端，径向研磨，硅片定位边或定位槽。
（3）切片。对200mm及以上硅片而言，一般使用内圆切割机；对300mm硅片来讲都使用线锯。
（4）磨片和倒角。切片完成后，传统上要进行双面的机械磨片以去除切片时留下的损伤，达到硅片两面高度的平行及平坦。硅片边缘抛光修整，又叫倒角，可使硅片边缘获得平滑的半径周线。
（5）刻蚀。在刻蚀工艺中，通常要腐蚀掉硅片表面约20微米的硅以保证所有的损伤都被去掉。
（6）抛光。也叫化学机械平坦化（CMP），它的目标是高平整度的光滑表面。抛光分为单面抛光和双面抛光。
（7）清洗。半导体硅片必须被清洗使得在发给芯片制造厂之前达到超净的洁净状态。
（8）硅片评估。
（9）包装。解析： 暂无解析 -
第11题：
单选题高压电缆的主要绝缘层是（）A保护层
B金属屏蔽层
C半导体层
D高压绝缘层
E心线层
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第12题：
高压电缆的结构从内到外分为A.导电芯线、高压绝缘层、保护层
B.导电芯线、高压绝缘层、半导体层
C.导电芯线、保护层、金属屏蔽层
D.导电芯线、高压绝缘层、半导体层、金属屏蔽层、保护层
E.导电芯线、高压绝缘层、保护层、金属屏蔽层、半导体层答案：D解析：高压电缆的结构从内到外分为导电芯线、高压绝缘层、半导体层、金属屏蔽层和保护层。 -
第13题：
同轴式高压电缆的结构从内向外排列，正确的是（）
- A、芯线、绝缘层、屏蔽层、半导体层、保护层
- B、芯线、绝缘层、半导体层、屏蔽层、保护层
- C、芯线、半导体层、绝缘层、屏蔽层、保护层
- D、芯线、屏蔽层、半导体层、绝缘层、保护层
- E、芯线、绝缘层、半导体层、保护层、屏蔽层
正确答案:B -
第14题：
介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。
- A、多晶硅
- B、氮化硅
- C、二氧化硅
正确答案:C -
第15题：
（）的单位景层之间结合力微弱，水分子和水溶液中的离子或其他极性分子容易进入单位晶层与单位晶层之间。
正确答案:蒙脱石 -
第16题：
集成电路的主要制造流程是（）
- A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试
- B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路
- C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路
- D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
正确答案:A -
第17题：
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
- A、二氧化硅氮化硅
- B、多晶硅硅化金属
- C、单晶硅多晶硅
- D、铝铜
- E、铝硅
正确答案:A,E -
第18题：
高压电缆的主要绝缘层是（）
- A、保护层
- B、金属屏蔽层
- C、半导体层
- D、高压绝缘层
- E、心线层
正确答案:D -
第19题：
同轴高压电缆由内向外排列正确的是（ ）
- A、芯线→绝缘层→屏蔽层→半导体层→保护层
- B、芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层
- C、芯线→半导体层→绝缘层→屏蔽层→保护层
- D、芯线→屏蔽层→绝缘层→半导体层→保护层
- E、芯线→绝缘层→半导体层→保护层→屏蔽层
正确答案:B -
第20题：
多选题高压电缆结构包括（）。A导电芯线
B高压绝缘层
C半导体层
D金属屏蔽层
E保护层
正确答案： B,D解析： 导电芯线、高压绝缘层、半导体层、金属屏蔽层和保护层都是高压电缆结构。 -
第21题：
单选题高压电缆最内层的结构是（ ）。A保护层
B半导体层
C金属屏蔽层
D高压绝缘层
E导电芯线
正确答案： A解析：
高压电缆的结构由外向内依次为：保护层，金属屏蔽层，半导体层，主绝缘层，芯线间绝缘层，芯线。 -
第22题：
单选题同轴式高压电缆由内向外排列正确的是（）A芯线→绝缘层→屏蔽层→半导体层→保护层
B芯线→屏蔽层→绝缘层→半导体层→保护层
C芯线→半导体层→绝缘层→屏蔽层→保护层
D芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层
E芯线→绝缘层→半导体层→保护层→屏蔽层
正确答案： B解析： 同轴式高压电缆由内向外排列是芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层。