扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型

题目

扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

  • A、内部的杂质分布
  • B、表面的杂质分布
  • C、整个晶体的杂质分布
  • D、内部的导电类型
  • E、表面的导电类型
相似考题

1.在纯净半导体中掺入杂质或(),都会使半导体的导电性能增强。

2.杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。()

3.水的导电性能与水的密度、射流形式等有关。下列说法正确的是()。(A)杂质越少，直流射流，导电性能越大(B)杂质越少，开花射流，导电性能越大(C)杂质越多，直流射流，导电性能越大(D)杂质越多，开花射流，导电性能越大

4.纯净半导体中掺入微量的某种杂质,会使半导体的导电性能()。

参考答案和解析
正确答案:A,E
更多“扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型”相关问题

  • 第1题：

    恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）

    • A、高斯函数
    • B、余误差函数
    • C、指数函数
    • D、线性函数

    正确答案:B

  • 第2题：

    在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）


    正确答案:恒定表面源扩散

  • 第3题：

    钢坯内部化学成份和杂质分布不均匀的现象叫“偏析”。


    正确答案:正确

  • 第4题：

    钢锭内部的化学成分和杂质分布的不均匀性称为（）

    • A、负偏析
    • B、正偏析
    • C、偏析
    • D、相变

    正确答案:C

  • 第5题：

    铸坯内部化学成分和杂质分布不均匀的现象叫（）。


    正确答案:偏析

  • 第6题：

    杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？


    正确答案:半导体有P型半导体和N半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。

  • 第7题：

    填空题
    杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较复杂，但主要可分为两种机构：替位式扩散和（）式扩散。

    正确答案： 间隙
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    填空题
    SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。

    正确答案： 高温,杂质,氧化硅
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。

    正确答案： 高斯
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    绝缘材料中的杂质会使电阻率下降，这是因为（）
    A

    在电介质内部减少了导电离子

    B

    在电介质内部增加了导电离子

    C

    杂质使材料容易吸湿

    D

    使电介质内部产生气泡


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。

    正确答案： 余误差,高斯分布
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。

    • A、高斯
    • B、余误差
    • C、指数

    正确答案:B

  • 第14题：

    硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。

    • A、粒子的扩散
    • B、化学反应
    • C、从气体源通过强迫性的对流传送
    • D、被表面吸附

    正确答案:A

  • 第15题：

    绝缘材料中的杂质会使电阻率下降，这是因为（）

    • A、在电介质内部减少了导电离子
    • B、在电介质内部增加了导电离子
    • C、杂质使材料容易吸湿
    • D、使电介质内部产生气泡

    正确答案:B

  • 第16题：

    钢锭的偏析就是钢锭内部各部分化学成份和杂质分布不均匀的现象。


    正确答案:正确

  • 第17题：

    离子晶体导电也分本征导电和杂质导电两种。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。


    正确答案:错误

  • 第19题：

    问答题
    影响扩散工艺中杂质分布的因素

    正确答案： 1、时间与温度，恒定表面源主要是时间。
    2、硅晶体中存在其他类型的点缺陷
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    水的导电性能与水的密度、射流形式等有关。下列说法正确的是（　）。
    A

    杂质越少，直流射流，导电性能越大 

    B

    杂质越少，开花射流，导电性能越大 

    C

    杂质越多，直流射流，导电性能越大 

    D

    杂质越多，开花射流，导电性能越大


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。

    正确答案： 杂质浓度梯度、扩散温度、扩散时间,费克定律,预淀积,再分布扩散,余误差,高斯
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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