下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。A、CF4B、BCl3C、Cl2D、F2E、CHF3

题目

下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。

  • A、CF4
  • B、BCl3
  • C、Cl2
  • D、F2
  • E、CHF3
相似考题

1.通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区

2.下列物质以共价键结合的是（）。A、NaClB、KBrC、Cl2D、MgCl2

3. 下列物质中，属于极性化合物的是（）。 A、NaO2B、H2SC、Cl2D、Fe

4.铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A、等离子体刻蚀B、反应离子刻蚀C、湿法刻蚀D、溅射刻蚀

更多“下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。A、CF4B、BCl3C、Cl2D、F2E、CHF3”相关问题

  • 第1题：

    在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

    • A、铜
    • B、铝
    • C、金
    • D、二氧化硅

    正确答案:D

  • 第2题：

    在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

    • A、气体
    • B、等离子体
    • C、固体
    • D、液体

    正确答案:B

  • 第3题：

    常用的变形铝合金有（）。

    • A、防锈铝合金
    • B、硬铝合金
    • C、超硬铝合
    • D、锻铝合金
    • E、硅铝合金

    正确答案:A,B,C,D

  • 第4题：

    下列铝合金中（）属于非热处理强化铝合金。

    • A、铝镁合金
    • B、硬铝合金
    • C、铝硅合金
    • D、锻铝合金

    正确答案:A

  • 第5题：

    盐酸+过氧化氢适合熔解（）

    • A、铝及铝合金
    • B、不锈钢、铜及合金
    • C、硅铁、硅钙合金等高硅物质
    • D、锰铁

    正确答案:B

  • 第6题：

    哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。


    正确答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
    刻蚀多晶硅的三步工艺：
    1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
    2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
    3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。

  • 第7题：

    （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

    • A、刻蚀速率
    • B、刻蚀深度
    • C、移除速率
    • D、刻蚀时间

    正确答案:A

  • 第8题：

    硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）

    • A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工
    • B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工
    • C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构

    正确答案:C

  • 第9题：

    在下列物质中（）是单质。

    • A、H2O
    • B、Na
    • C、Cl2
    • D、HCl

    正确答案:B,C

  • 第10题：

    问答题
    哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

    正确答案： 多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。刻蚀多晶硅的三步工艺：
    1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
    2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
    3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    实用的等离子体刻蚀工艺必须满足哪些条件？

    正确答案： 1.反应产物是挥发性的；
    2.选择比率高；
    3.刻蚀速率快；
    4.具有好的终点灵敏性；
    5.有好的各向异性刻蚀速率。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

    • A、单晶硅刻蚀
    • B、多晶硅刻蚀
    • C、二氧化硅刻蚀
    • D、氮化硅刻蚀

    正确答案:A

  • 第14题：

    多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

    • A、二氧化硅
    • B、氮化硅
    • C、单晶硅
    • D、多晶硅

    正确答案:A

  • 第15题：

    下列铝合金中（）属于热处理强化铝合金。

    • A、铝镁合金
    • B、硬铝合金
    • C、铝硅合金
    • D、铝锰合金

    正确答案:B

  • 第16题：

    下列铝合金中（）属于非热处理强化铝合金。

    • A、铝镁合金
    • B、硬铝合金
    • C、铝硅合金
    • D、铝锰合金
    • E、超硬铝合金

    正确答案:A,D

  • 第17题：

    下列物质中，偶极矩为零的是（）

    • A、HBr
    • B、BCl3
    • C、H2S
    • D、NH3

    正确答案:B

  • 第18题：

    为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

    • A、多晶硅
    • B、单晶硅
    • C、铝硅铜合金
    • D、铜

    正确答案:C

  • 第19题：

    下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

    • A、二氧化硅氮化硅
    • B、多晶硅硅化金属
    • C、单晶硅多晶硅
    • D、铝铜
    • E、铝硅

    正确答案:A,E

  • 第20题：

    可以用浓硫酸刻蚀晶硅表面。


    正确答案:错误

  • 第21题：

    下列物质熔点最高的是（）。

    • A、CF4
    • B、CCl4
    • C、CBr4
    • D、CI4

    正确答案:D

  • 第22题：

    问答题
    为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？

    正确答案： 传统的RIE系统等离子体离化率最大0.1%，因而需要较多的气体以产生足够的粒子。较高的气压使得粒子碰撞频繁，反应粒子很难进入小尺寸高深宽比图形，反应产物也很难排出。高密度等离子体的离化率达到10%，用于0.25微米以下的工艺。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。
    A

    a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；

    B

    b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；

    C

    c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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