为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求，金属材料应该满足（）。A、低电阻率B、易与p或n型硅形成欧姆接触C、可与硅或二氧化硅反应D、易于光刻E、便于进行键合

题目

为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求，金属材料应该满足（）。

  • A、低电阻率
  • B、易与p或n型硅形成欧姆接触
  • C、可与硅或二氧化硅反应
  • D、易于光刻
  • E、便于进行键合
相似考题

1.在纯净的半导体硅中加人少量的三价元素,形成()。A.P型半导体B.N型半导体C.绝缘体D.导体

2.根据焊接材料的选用原则，对低碳钢、低合金钢进行焊接，应选用的焊剂为（　）。A、无锰、无硅型焊剂B、低锰、低硅型焊剂C、中锰、中硅型焊剂D、高锰、高硅型焊剂

3.选择围堰类型时，必须根据当时当地具体条件，在满足()的原则下进行。A、具有良好的技术经济指标 B、安全可靠，能满足稳定、抗渗、抗冲要求 C、结构简单，施工方便，易于拆除 D、充分考虑材料回收利用 E、堰基易于处理，堰体便于与岸坡或已有建筑物连接

4.硅太阳能电池是以n型硅半导体作基体，再用掺杂的方法在其表面制作一层薄的×××型硅半导体构成。

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  • 第1题：

    由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。

    • A、“M”型
    • B、“N”型
    • C、“L”型
    • D、“P”型
    • E、“F”型

    正确答案:D

  • 第2题：

    可采取下列方法降低接地电阻：（）。

    • A、将垂直接地体深埋到低电阻率的土壤中或扩大接地体与土壤的接触面积
    • B、置换成低电阻率的土壤
    • C、采用降阻剂或新型接地材料
    • D、采用多根导体外引

    正确答案:A,B,C,D

  • 第3题：

    可控硅是一种按P—N—P—N型次序排列的四层硅半导体器件。（）


    正确答案:正确

  • 第4题：

    在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。

    • A、三价
    • B、四价
    • C、五价

    正确答案:C

  • 第5题：

    将硼元素掺进硅晶体内，则成为何种半导体？（）

    • A、N型
    • B、P型
    • C、本质型半导体
    • D、NPN型

    正确答案:B

  • 第6题：

    在纯净的半导体硅中加入少量的三价元素，形成（）。

    • A、P型半导体
    • B、N型半导体
    • C、绝缘体
    • D、导体

    正确答案:A

  • 第7题：

    在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    金属材料其价电子数越高，则参与导电的电子数越多，电阻率越低。


    正确答案:错误

  • 第9题：

    填空题
    肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电阻可以低到10-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现（），所以，源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于（）。

    正确答案： 二极管特性,金属功函数和半导体表面功函数,线性,欧姆接触,1020/cm3
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    硅光电二极管与硅光电池比较，后者（）。
    A

    掺杂浓度低

    B

    电阻率低

    C

    反偏工作

    D

    光敏面积小


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    可采取下列方法降低接地电阻：（）。
    A

    将垂直接地体深埋到低电阻率的土壤中或扩大接地体与土壤的接触面积

    B

    置换成低电阻率的土壤

    C

    采用降阻剂或新型接地材料

    D

    采用多根导体外引


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    属于铝的性质有（）。

    • A、电阻低
    • B、抗电迁移特性好
    • C、对硅氧化物有很好的黏合性
    • D、有很高的纯度
    • E、易于光刻

    正确答案:A,C,D,E

  • 第14题：

    由自由电子参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。

    • A、“M”型
    • B、“N”型
    • C、“L”型
    • D、“P”型
    • E、“F”型

    正确答案:B

  • 第15题：

    在纯净的半导体硅中加人少量的三价元素，形成（）。 

    • A、P型半导体
    • B、N型半导体
    • C、绝缘体

    正确答案:A

  • 第16题：

    在本征硅（或锗）中掺入微量的（）价元素，便可形成N型半导体。

    • A、五
    • B、四
    • C、三
    • D、二

    正确答案:A

  • 第17题：

    非晶硅太阳能电池的基本构造是下列的哪种？（）

    • A、梳状电极→减反膜→n型硅→p型硅→反电极
    • B、梳状电极→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SS
    • C、梳状电极→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→导电玻璃
    • D、梳状电极→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS

    正确答案:B

  • 第18题：

    为了增大霍尔元件的灵敏度，霍尔元件多选用（）制作。

    • A、金属材料
    • B、绝缘材料
    • C、N型半导体
    • D、P型半导体

    正确答案:C

  • 第19题：

    电阻器是利用金属或非金属材料的电阻特性制成的器件。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    单选题
    在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。
    A

    三价

    B

    四价

    C

    五价


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。
    A

    “M”型

    B

    “N”型

    C

    “L”型

    D

    “P”型

    E

    “F”型


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    电阻器是利用金属或非金属材料的电阻特性制成的器件。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    相同掺杂浓度下，多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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