扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。A、埋层B、外延C、PN结D、扩散电阻E、隔离区

题目

扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。

  • A、埋层
  • B、外延
  • C、PN结
  • D、扩散电阻
  • E、隔离区
相似考题

1.集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

2.扩散工艺现在广泛应用于制作（）。A、晶振B、电容C、电感D、PN结

3.在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。

4.把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路

更多“扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。A、埋层B、外延C、PN结D、扩散电阻E、隔离区”相关问题

  • 第1题：

    按制造工艺集成电路分为（）。

    • A、半导体集成电路
    • B、TTL集成电路
    • C、厚膜集成电路
    • D、薄膜集成电路
    • E、CMOS集成电路

    正确答案:A,C,D

  • 第2题：

    根据集成电路制造工艺，最容易制作的元件是（）。

    • A、电感
    • B、变压器
    • C、大电容
    • D、交流电阻

    正确答案:D

  • 第3题：

    集成电路中元器件的特点是（）。

    • A、集成电路中元器件的性能比较一致，对称性好，适于作差动放大电路
    • B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片，且工艺简单，故集成电路中三极管用得多，电阻用得少
    • C、集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于100PF
    • D、集成电路中的三极管是低频小功率管
    • E、集成电路中的二极管是高性能管

    正确答案:A,B,C

  • 第4题：

    填空题
    半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。

    正确答案： 二极管
    解析： 暂无解析

  • 第5题：

    问答题
    影响扩散工艺中杂质分布的因素

    正确答案： 1、时间与温度，恒定表面源主要是时间。
    2、硅晶体中存在其他类型的点缺陷
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    问答题
    双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么？

    正确答案： 七次光刻：N+隐埋层扩散孔光刻； P+隔离扩散孔光刻；P型基区扩散孔光刻；N+发射区扩散孔光刻；引线接触孔光刻；金属化内连线光刻；压焊块光刻；
    四次扩散：隐埋层扩散；P型隔离扩散；P型基区扩散；N+发射区扩散
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    什么是扩散工艺？

    正确答案： 扩散是微电子工艺中最基本的工艺之一，是在约1000℃的高温、p型或n型杂质气氛中，使杂质向衬底硅片的确定区域内扩散，达到一定浓度，实现半导体定域、定量掺杂的一种工艺方法，也称为热扩散。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。

    正确答案： 抑制CMOS电路中闩锁效应（Latchup）的方法有：
    ①SOI衬底技术；
    ②大剂量离子注入形成深埋层；
    ③用离子注入产生倒掺杂阱；
    ④硅片表面外延层。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    离子注入工艺和扩散工艺相比的优点

    正确答案： 温度低，使用PR遮蔽层（扩散硬遮蔽层），非等向性掺杂轮廓，可独立控制掺杂浓度和结深，批量及单晶圆工艺（扩散为单晶圆工艺）
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    在双极集成电路和MOS集成电路工艺中，为什么都要用外延层？

    正确答案： 在双极集成电路工艺中，采用高阻的外延层可提高集电结的击穿电压，而其低阻的衬底（或埋层）可降低集电极的串联电阻。在MOS集成电路工艺中，采用高阻的外延层可减小pnpn寄生闸流管效应和降低漏电流。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）
    A

    双极性集成电路

    B

    TTL集成电路

    C

    CMOS集成电路

    D

    单极性集成电路


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    集成电路是微电子技术的核心，它是以先进的工艺和具体技术为基础的高科技，没有扩散工艺、平面工艺等的技术突破，集成电路是不可能成功的，第一块集成电路诞生于哪一年（）

    • A、1945年
    • B、1956年
    • C、1958年
    • D、1960年

    正确答案:C

  • 第14题：

    在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

    • A、600～750℃
    • B、900～1050℃
    • C、1100～1250℃
    • D、950～1100℃

    正确答案:B

  • 第15题：

    由于集成电路工艺不能制作大电容和高阻值电阻，因此各放大级之间均采用阻容耦合方式。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    单选题
    集成电路是微电子技术的核心，它是以先进的工艺和具体技术为基础的高科技，没有扩散工艺、平面工艺等的技术突破，集成电路是不可能成功的，第一块集成电路诞生于哪一年（）
    A

    1945年

    B

    1956年

    C

    1958年

    D

    1960年


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    问答题
    PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？

    正确答案： 需要六次光刻
    第一次—N+隐埋层扩散孔光刻；
    第二次—P+隔离扩散孔光刻；
    第三次—P型基区扩散孔光刻；
    第四次—N+发射区扩散孔光刻；
    第五次—引线接触孔光刻；
    第六次—金属化内连线光刻。
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    多选题
    以下哪几项是集成电路制作工艺的（）。
    A

    SOP

    B

    BCD

    C

    BMOS

    D

    CMOS

    E

    BiMOS

    F

    BCG


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？

    正确答案： ①外延：外延生长时控制气相反应中的杂质可以方便地形成不同导电类型、不同杂质浓度且杂质分布陡峭的外延层，满足某些特殊器件对材料结构和杂质分布的特殊要求。可以提高集电结击穿电压，而且比较好地解决了双极集成电路中的隔离问题。
    ②埋层：减小集电区串联电阻，改善其频率特性。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？

    正确答案： 如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高电场，电子在从源区向漏区移动的过程中，将受此电场加速成高能电子，它碰撞产生电子空穴对，热电子从电场获得能量，造成电性能上的问题，如被栅氧化层陷阱俘获，影响器件阈值电压控制。LDD注入在沟道边缘的界面区域产生复杂的横向和纵向杂质剖面。LDD降低的杂质浓度减小了结和沟道区间的电场，把结中的最大电场位置与沟道中的最大电流路径分离，从而防止热载流子产生。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    什么叫“结尖刺效应”，集成电路工艺中如何避免铝的结尖刺效应？

    正确答案： 硅可以溶解在铝中。在源/漏区，铝金属会与硅直接接触，硅会溶入铝中，而铝会扩散进入硅内形成铝尖凸物。铝的尖凸物可以穿透掺杂界面使源漏区，铝金属会与硅直接接触，铝的尖凸物可以穿透掺杂界面使源/漏与衬底形成短路，这将增加器件的漏电并引起可靠性问题，该效应称为结尖刺现象。
    硅在铝中的饱和溶解度为1%，所以增加大约1%的硅到铝中可以使硅在铝中达到饱和而有效防止硅进一步溶解在铝中避免形成结尖刺。400℃的热退火也会在铝硅界面形成合金，这样也可以预制铝硅相互扩散形成结尖刺现象。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？

    正确答案： 集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无侵蚀；与CMP兼容。
    解析： 暂无解析

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