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集成电路制造工艺员
损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。A、能量淀积B、动量淀积C、能量振荡D、动量振荡
损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。A、能量淀积B、动量淀积C、能量振荡D、动量振荡
题目
损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。
A、能量淀积
B、动量淀积
C、能量振荡
D、动量振荡
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