对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。A、入射离子的能量B、入射离子的质量C、入射离子的原子序数D、靶原子的质量、原子序数、原子密度E、注入离子的总剂量

题目

对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。

  • A、入射离子的能量
  • B、入射离子的质量
  • C、入射离子的原子序数
  • D、靶原子的质量、原子序数、原子密度
  • E、注入离子的总剂量
相似考题

1.关于电子对效应的发生几率正确的是( )A.与物质的原子序数的平方成正比，与入射光子能量的对数成正比B.与物质的原子序数的平方成反比，与入射光子能量的对数成正比C.与物质的原子序数的平方成正比，与入射光子能量成正比D.与物质的原子序数的平方成反比，与入射光子能量成正比E.与物质的原子序数的平成正比，与入射光子能量的对数成反比

2.卢瑟福背散射分析中，入射离子与靶原子碰撞的运动学因子、（）和（）是背散射分析中的三个主要参量。

3.Χ射线管中轰击靶产生Χ射线的高速电子的数量取决于（）A、阳极靶材料的原子序数B、阴极靶材料的原子序数C、灯丝材料的原子序数D、灯丝的加热温度

4.关于电子对效应的发生几率正确的是A.与物质的原子序数的平方成正比 B.与入射光子的能量成正比 C.与入射光子的波长成正比 D.与物质的原子序数的平方成反比 E.与单位体积内的原子个数成反比

参考答案和解析
正确答案:A,B,C,D,E
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  • 第1题：

    离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。

    • A、能量
    • B、剂量

    正确答案:B

  • 第2题：

    （）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。

    • A、溅射率
    • B、溅射系数
    • C、溅射效率
    • D、溅射比

    正确答案:A

  • 第3题：

    对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。

    • A、入射离子的能量
    • B、入射离子的质量
    • C、入射离子的原子序数
    • D、靶原子的质量、原子序数、原子密度
    • E、注入离子的总剂量

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第4题：

    关于电子的质量辐射阻止本领，不正确的是（）

    • A、SI单位是JKg-1m-2
    • B、描述单位质量厚度的辐射能量损失
    • C、与入射电子的能量成正比
    • D、与靶原子的原子序数成反比
    • E、与靶物质的每克电子数无关

    正确答案:D

  • 第5题：

    发生光电效应的几率取决于入射伽马光子射出的能量和地层元素的原子序数，对于已知能量的伽马射线，当元素的原子序数增大时，光电吸收系数（）。

    • A、减小
    • B、增大
    • C、不变
    • D、成倍减小

    正确答案:B

  • 第6题：

    晶体类型相同而化学组成不同的矿物，其相对密度主要取决于（）。

    • A、所含元素的相对原子质量
    • B、所含元素的离子半径
    • C、所含元素的原子半径
    • D、所含元素的相对原子质量及其原子或离子的半径

    正确答案:D

  • 第7题：

    关于电子对效应的发生几率正确的是（）.

    • A、与物质的原子序数的平方成正比
    • B、与物质的原子序数的平方成反比
    • C、与入射光子的能量成正比
    • D、与入射光子的波长成正比
    • E、与单位体积内的原子个数成反比

    正确答案:A

  • 第8题：

    多选题
    影响物质的线衰减的因素有哪些（）
    A

    材料的原子序数

    B

    入射能量

    C

    材料厚度

    D

    材料的密度

    E

    材料熔点


    正确答案： B,A
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导，高于临界能量时电子阻止本领占主导。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    X射线管的发射效率主要取决于（）。
    A

    原子序数

    B

    靶材料原子序数和管电压

    C

    靶材料原子序数和管电流

    D

    管电压和管电流


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    关于电子对效应的发生几率正确的是（）
    A

    与物质的原子序数的平方成正比

    B

    与物质的原子序数的平方成反比

    C

    与入射光子的能量成正比

    D

    与入射光子的波长成正比

    E

    与单位体积内的原子个数成反比


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

    • A、能量
    • B、剂量

    正确答案:A

  • 第14题：

    下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。

    • A、注入离子的质量
    • B、靶的种类
    • C、注入温度
    • D、注入速度
    • E、注入剂量

    正确答案:A,B,C,D

  • 第15题：

    影响物质的线衰减的因素有哪些（）

    • A、材料的原子序数
    • B、入射能量
    • C、材料厚度
    • D、材料的密度
    • E、材料熔点

    正确答案:A,B,D

  • 第16题：

    以下有关特征X射线的描述，错误的是（）

    • A、电子与靶原子内层轨道电子作用的结果
    • B、是连续能量的X射线
    • C、反映了原子内部的壳层结构
    • D、光子能量小于入射电子能量
    • E、发生几率与靶原子序数有关

    正确答案:B

  • 第17题：

    X射线管的发射效率主要取决于（）。

    • A、 原子序数
    • B、 靶材料原子序数和管电压
    • C、 靶材料原子序数和管电流
    • D、 管电压和管电流

    正确答案:B

  • 第18题：

    强酸性阳离子交换树脂对于水中常见金属阳离子的交换能力下面说明正确的是（）

    • A、离子价越大，被交换的能力越强
    • B、离子价越小，被交换的能力越强
    • C、原子序数越小，离子水合半径越大，其被交换的能力越强
    • D、原子序数越大，离子水合半径越小，其被交换的能力越强

    正确答案:A,D

  • 第19题：

    已知Co的原子序数为27，实验测定配离子[Co（en）2Cl2]的磁距为0，则可知其中心离子采取（）杂化，属于（）轨型配离子，其中心离子配位数是（），配位原子是（）。


    正确答案: d2sp3；内；6；N和Cl

  • 第20题：

    填空题
    卢瑟福背散射分析中，入射离子与靶原子碰撞的运动学因子、（）和（）是背散射分析中的三个主要参量。

    正确答案： 散射截面,能量损失因子
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    Χ射线管中轰击靶产生Χ射线的高速电子的数量取决于（）。
    A

    阳极靶材料的原子序数；

    B

    阴极靶材料的原子序数；

    C

    灯丝材料的原子序数；

    D

    灯丝的加热温度。


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    背散射电子特征是（）
    A

    其能量与入射电子的能量相近，运动方向受收集极电场的影响

    B

    背散射电子发射量随元素表面原子的原子序数的增加而增加

    C

    背散射电子不随元素表面原子的原子序数的变化而变化

    D

    背散射电子能量与入射电子的能量相差很大


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。
    A

     电活性

    B

     晶格损伤

    C

     横向效应

    D

     沟道效应


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    判断题
    PSD是利用位置离子注入技术制成的一种对入射到光敏面上的光点位置敏感的光电器件。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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