对PIN光电二极管优点描述不正确的是（）。A、I区厚，提高了器件的响应率B、I区有电场，提高了响应速度C、耗尽区拉宽，结电容减小，有利于高频响应D、光电转换效率

题目

对PIN光电二极管优点描述不正确的是（）。

  • A、I区厚，提高了器件的响应率
  • B、I区有电场，提高了响应速度
  • C、耗尽区拉宽，结电容减小，有利于高频响应
  • D、光电转换效率
相似考题

1.光电二极管PIN和雪崩光电二极管APD在光通信中作为光检测器件对光进行检测。()此题为判断题(对，错)。

2.下列光电器件,哪种器件正常工作时需加100－200V的高反压()。A、Si光电二极管B、PIN光电二极管C、雪崩光电二极管D、光电三极管

3.光电二极管(PIN)具有雪崩效应。()此题为判断题(对，错)。

4.光电二极管(PIN)具有雪崩效应。A．错误B．正确

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  • 第1题：

    试比较PN结光电二极管、PIN光电二极管以及APD雪崩光电二极管的优缺点。


    参考答案：PN型 优点是暗电流小，一般情况下，响应速度较低。
    PIN型 缺点是暗电流大，因结容量低，故可获得快速响应。
    ADP型 响应速度非常快，因具有倍速作用，故可检测微弱光，缺点是电流噪声大。

  • 第2题：

    PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G<1C. G=1D. G=0

    PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()

    A. G>1

    B. G<1

    C. G=1

    D. G=0


    参考答案：C

  • 第3题：

    目前光纤通信常用的半导体光电检测器，如（）

    • A、PN结光电二极管
    • B、PIN光电二极管
    • C、APD雪崩光电二极管
    • D、电容

    正确答案:A,B,C

  • 第4题：

    不但具有光/电转换作用，而且具有内部放大作用的半导体光电检测器是（）。

    • A、PIN光电二极管
    • B、APD雪崩光电二极管

    正确答案:B

  • 第5题：

    利用半导体的自发辐射而制成的发光器件是（）。

    • A、半导体激光器
    • B、发光二极管
    • C、PIN光电二极管
    • D、雪崩光电二极管

    正确答案:B

  • 第6题：

    D光接收机中，PIN光电二极管引入的主要噪声有暗电流噪声和（）


    正确答案:光散弹噪声（量子噪声）

  • 第7题：

    光接收机中，PIN光电二极管引入的主要噪声有（）噪声和（）噪声。


    正确答案:暗电流；量子

  • 第8题：

    填空题
    硅光电池、PIN型光电二极管、和雪崩光电二极管，三者中时间常数最大的是（）。

    正确答案： 硅光电池
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    光电二极管（PIN）具有雪崩效应。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    PIN光电二极管，是在P型材料和N型材料之间加上一层（）。

    正确答案： 轻掺杂质的N型材料，I层
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    简述PIN型的光电二极管的结构？

    正确答案： 它的结构分三层，即P型半导体和N型半导体之间夹着较厚的本征半导体I层，它是用高阻N型硅片做I层，然后把它的两面抛光，再在两面分别作N+和P+杂质扩散，在两面制成欧姆接触而得到PIN光电二极管。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    PIN型光电二极管不仅提高了PN结光电二极管的时间响应，还能提高器件的光电灵敏度。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    PIN光电二极管,是在P型材料和N型材料之间加上一层()


    参考答案：轻掺杂质的N型材料，I层

  • 第14题：

    半导体光电检测器有()。

    A.PIN光电二极管
    B.APD雪崩光电二极管
    C.LED
    D.LD

    答案：A,B
    解析：

  • 第15题：

    光电二极管（PIN）具有雪崩效应。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    光电检测器的种类有PN结光电二极管和（）三种。

    • A、发光二极管、PIN光电二极管
    • B、APD雪崩光电二极管、双基极二极管
    • C、PIN光电二极管、APD雪崩光电二极管
    • D、双基极二极管、混频二极管

    正确答案:C

  • 第17题：

    常用的光电检测器有光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）两种。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    设PIN光电二极管的量子效率为80%，计算在1.3和1.55μm波长时的响应度，说明为什么在1.55μm光电二极管比较灵敏。


    正确答案: R=eηλ/hv=eηλ/hc
    在1.3和1.55处的响应度分别为0.838A/W，0.999A/W
    波长越长，频率越低，光子能量越低，对于同等的入射光功率则光子数量就越多，则电子-空穴对也就越多，那么光生电流也就越大。

  • 第19题：

    简述影响PIN光电二极管响应速度的主要因素。


    正确答案:影响响应速度的主要因素有：结电容和负载电阻的RC时问常数、载流子在耗尽区里的渡越时间及耗尽区外产生的载流子的扩散时间。

  • 第20题：

    问答题
    两种高速的光电二极管的结构特点和原理？（PIN、APD）

    正确答案： PIN光电二极管结构特点：P层和N层之间增加了一层很厚的高电阻率的本征半导I
    增加I区优点：（1）因为I区相对的P区和N区是高阻，在反偏的工作情况下，它承受极大部分电压降，使耗尽区增大，这样展宽了光电转换有效工作区，使灵敏度增大（2）又因为PIN结光电二极管的工作电压是很高的反偏电压，使PIN结的耗尽层加宽，电场强光生电流加速因而大幅度减少了载流子在结构内漂移时间元件的响应速度加快。
    电路特点：反偏电压高。
    APD光电二极管结构特点：在光照时P+层受光子能量激发的电子从所带电跃迁到导带，在高电场作用下，电子从高速通过P层产生碰撞电离，形成大量新生电子空穴对，并且它们也从电场中获得高能量与从P+层来的电子一起再次碰撞P区的其他原子，又产生大批新生电子。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    简述PIN光电二极管的工作原理。为什么PIN管比普通光电二极管好？

    正确答案： 当光照射p－n结，只要人射光子能量大于材料禁带宽度，就会在结区产生电子－空穴对。这些非平衡载流子在内建电场的作用下，空穴顺电场方向运动，电子逆电场方向运动，在开路状态，最后在n区边界积累光电子，p区积累光生空穴，产生一个与内建电场方向相反的光生电场。光电二极管在正偏置时，呈单向导电性，没有光电效应产生，只有在反偏置或零偏置时，才产生明显的光电效应。其基本结构就是一个p-n结，属于结型光生伏特效应。当光照射时，满足条件hv>Eg，则在结区产生的光生载流子将被内建电场拉开，于是在外电场的作用下形成了以少数载流子漂移为主的光电流，显然，光电流比无光照射时的反向饱和电流大的多，如果光照越强，表示在同样条件下产生的光生载流子越多，光电流就越大，反之，则光电流越小。对于PIN管，由于I层的存在，使扩散区不会到达基区，从而减少了或根本不存在少数载流子通过扩散区的扩散时间，而I层工作在反向，实际是一个强电场区，对少子起加速的作用。即使I层较厚，对少子的度越时间影响也不大，即提高了频率响应。同时，反偏下，耗尽层较无I层时要大的多，从而使结电容下降，也提高了频率响应。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    PIN结光电二极管增加了一层I区有什么优点？

    正确答案： （1）因为I区相对于P区的高阻，在反偏的工作情况下，它承受极大部分电压降使耗尽区增大，这样展宽了光电转换的有效工作区，使灵敏度增大（2）又因为PIN结光电二极管的工作电压是很高的反偏电压，使PIN结的耗尽层加宽电场强光生电流加速，因而大幅度减少了载流子在结构漂移时间，元件的响应速度加快。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    简述PIN型的光电二极管的工作原理？

    正确答案： 原理：层很厚，对光的吸收系数很小，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量的电子-空穴对，因而大幅度提供了光电转换效率，从而使灵敏度得以很高。两侧P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽层，因而光生电流中漂移分量占支配地位，从而大大提高了响应速度。
    解析： 暂无解析

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