晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

题目

晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

相似考题

1.从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管和锗管有什么区别?

2.锗晶体二极管的()电压降比硅晶体二极管小。()电流比硅晶体二极管大。

3.晶体二极管的伏安特性是一条( )。A.直线B.曲线C.正弦线D.双曲线

4.二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

更多“晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的”相关问题

  • 第1题：

    光可控硅是利用光照强度触发的新型可控元件，其伏安特性与普通可控硅相似。


    正确答案:正确

  • 第2题：

    晶体二极管的伏安特性是一条（）。

    • A、直线
    • B、曲线
    • C、正弦线
    • D、双曲线

    正确答案:B

  • 第3题：

    稳压晶体二极管反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越大，稳压性能越好。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    根据电弧电流变化的快慢，其伏安特性由（）伏安特性和（）伏安特性之分。


    正确答案:静；动

  • 第5题：

    晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。


    正确答案:伏安；0.7V；0.3V

  • 第6题：

    晶体三极管发射结正偏、集电结反偏时，具有开关特性。


    正确答案:错误

  • 第7题：

    当硅晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）。

    • A、放大状态
    • B、饱和状态
    • C、截止状态
    • D、无能确定

    正确答案:D

  • 第8题：

    晶体二极管的伏安特性


    正确答案: 就是加到二极管两端的电压与流过二极管电流之间的关系曲线。

  • 第9题：

    单选题
    晶体二极管，晶体三极管和可控硅分别有（）外PN结。
    A

    1.2.3

    B

    1.3.2

    C

    1.3.3

    D

    1.2.2


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    名词解释题
    晶体二极管的伏安特性

    正确答案： 就是加到二极管两端的电压与流过二极管电流之间的关系曲线。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    稳压晶体二极管反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越大，稳压性能越好。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    试述光电管的简单结构及其光谱特性、伏安特性、光电特性、暗电流的特点。

    正确答案： 光电管由一个光电阴极和一个阳极封装在玻璃壳内组成。阴极用化学成分较复杂的阴极涂料制成，其结构基本有半圆筒形金属片和光电阴极材料覆盖在玻璃壳内壁上两种。
    光谱特性：光电管对入射光的光谱具有选择性。检测不同颜色的光需要选用光电阴极材料不同的光电管，以便使用光谱特性曲线中灵敏度较高的区段。
    伏安特性：随着阳极电压的增加，光电流也增加。当阳极电压达到某个数值后，光电流不再增加，进入饱和状态。随着光通量的增加，饱和阳极电压和饱和阳极电流也增加。它们的大小还与光电管结构及入射光光谱有关。
    光电特性：光电管上阳极电压足够大，使其工作在饱和电流条件下，正常情况下其光电特性是条直线。
    暗电流：暗电流随着光电管上阳极电压的升高而增加。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    硅稳压管是具有特殊（）特性的晶体二极管。

    • A、正向
    • B、反向
    • C、双向
    • D、多向

    正确答案:B

  • 第14题：

    晶体二极管，晶体三极管和可控硅分别有（）外PN结。

    • A、1.2.3
    • B、1.3.2
    • C、1.3.3
    • D、1.2.2

    正确答案:A

  • 第15题：

    当温度升高时，晶体二极管的伏安特性曲线将向（）。

    • A、下移动
    • B、右移动
    • C、不变
    • D、左移动

    正确答案:D

  • 第16题：

    二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。


    正确答案:正向导通；反向截止；0.7

  • 第17题：

    晶体三极管发射结加正偏压、集电结加正偏压时，工作在截止区，具有开关特性。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。


    正确答案:正反；反向；0.7V；0.2V

  • 第19题：

    所谓晶体二极管的伏安特性是指加到二极管两端的电压与流过二极管电流的特性曲线。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    晶体二极管的伏安特性是什么？


    正确答案: 晶体二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线。有三个特性：
    （1）正向特性；
    （2）反向特性；
    （3）反向击穿电压。

  • 第21题：

    问答题
    试比较硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线，说明它们的差异。

    正确答案： 比较硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线可知：当没有光辐射时，二者的伏安特性曲线是一样的；当有光辐射时，则硅光电二极管的全电流为负值，特性曲线向下平移，且向下平移的程度随辐照度的不同而变化。但是硅整流二极管的伏安特性曲线不受光照的影响。此外，正常工作状态下，硅光电二极管两端所加正向电压必须小于0.7V，否则不能产生光电效应。该值通常为负，即处于反偏状态；硅整流二极管两端所加偏压须为正，且要大于开启电压Uth值。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线不完全一致。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    当温度升高时，晶体二极管的伏安特性曲线将向（）。
    A

    下移动

    B

    右移动

    C

    不变

    D

    左移动


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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