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  • 第1题:

    扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作()。

    • A、埋层
    • B、外延
    • C、PN结
    • D、扩散电阻
    • E、隔离区

    正确答案:A,C,D

  • 第2题:

    有水炮泥配料工艺简单,加工制作容易,原料成本低,因此大多数()高炉仍采用。


    正确答案:小型常压

  • 第3题:

    集成电路中的元件是用()的工艺在同一块硅片上大批制造的,所以其性能比较一致。

    • A、特殊
    • B、专用
    • C、相同
    • D、不同

    正确答案:C

  • 第4题:

    根据集成电路制造工艺,最容易制作的元件是()。

    • A、电感
    • B、变压器
    • C、大电容
    • D、交流电阻

    正确答案:D

  • 第5题:

    第三代电子计算机主要采用超大规模集成电路元件制造成功。


    正确答案:错误

  • 第6题:

    装备制造行业要提高基础工艺、()研发和系统集成水平,推荐装备产品智能化。

    • A、基础材料
    • B、基础原理
    • C、基础元件
    • D、基础产品
    • E、基础设施

    正确答案:A,C

  • 第7题:

    集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。

    • A、可获得很大的放大倍数
    • B、集成工艺难于制造大容量电容
    • C、可使温漂减小
    • D、没有其他耦合方式

    正确答案:B

  • 第8题:

    POWER6与POWER55+相比集成度更高,POWER5+采用()纳米CPU制造工艺,而POWER6采用()纳米CPU制造工艺。  

    • A、130,90
    • B、90,60
    • C、90,50
    • D、60,45

    正确答案:B

  • 第9题:

    多选题
    以下哪几项是集成电路制作工艺的()。
    A

    SOP

    B

    BCD

    C

    BMOS

    D

    CMOS

    E

    BiMOS

    F

    BCG


    正确答案: A,E
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    问答题
    在双极集成电路制造中,为什么要采用外延和埋层工艺?

    正确答案: ①外延:外延生长时控制气相反应中的杂质可以方便地形成不同导电类型、不同杂质浓度且杂质分布陡峭的外延层,满足某些特殊器件对材料结构和杂质分布的特殊要求。可以提高集电结击穿电压,而且比较好地解决了双极集成电路中的隔离问题。
    ②埋层:减小集电区串联电阻,改善其频率特性。
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    填空题
    半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、()、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。

    正确答案: 二极管
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    判断题
    双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    在大规模集成电路的制造中,更多采用的是MOS工艺集成电路,而不是双极型集成电路。


    正确答案:正确

  • 第14题:

    第三代电子计算机主要采用超大规模集成电路元件制造成。


    正确答案:错误

  • 第15题:

    第四代电子计算机主要采用中、小规模集成电路元件制造成功。


    正确答案:错误

  • 第16题:

    在集成电路中,最容易制造的元件是()

    • A、大电阻
    • B、大电容
    • C、电感
    • D、晶体管

    正确答案:D

  • 第17题:

    集成霍尔传感器是利用硅集成电路工艺将霍尔元件和测量线路集成在一起的霍尔传感器。


    正确答案:正确

  • 第18题:

    由于集成电路工艺不能制作大电容和高阻值电阻,因此各放大级之间均采用阻容耦合方式。


    正确答案:错误

  • 第19题:

    气敏电阻元件种类很多,按制造工艺分为()。


    正确答案:烧结型、薄膜型、厚膜型

  • 第20题:

    液压系统的集成连接是由()或以标准参数制造的元件。

    • A、标准元件
    • B、执行元件
    • C、非标元件
    • D、动力元件

    正确答案:A

  • 第21题:

    填空题
    常规集成电路平面制造工艺主要由()、()、()、()、()等工艺手段组成。

    正确答案: 光刻,氧化,扩散,刻蚀,离子注入(外延、CVD、PVD)
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    单选题
    在集成电路加工制造中,通常所指前道工艺为()
    A

    集成电路制造(晶圆加工)

    B

    集成电路封装

    C

    集成电路测试

    D

    集成电路设计


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    多选题
    装备制造行业要提高基础工艺、()研发和系统集成水平,推荐装备产品智能化。
    A

    基础材料

    B

    基础原理

    C

    基础元件

    D

    基础产品

    E

    基础设施


    正确答案: E,A
    解析: 暂无解析