简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
题目
简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
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第1题：
制剂的杂质检查主要是检查A.制剂中的一般杂质
B.制剂中的特殊杂质
C.在制剂的制备过程中产生的特殊杂质
D.在制剂的贮藏过程中产生的降解物质
E.在制剂的制备和贮藏过程中产生的杂质答案：E解析： -
第2题：
在自然界中分布较广泛，在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质称为A:特殊杂质
B:一般杂质
C:基本杂质
D:有关杂质
E:有关物质答案：B解析：一般杂质是指在自然界中分布较广泛，在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质，检查方法收载在《中国药典》附录中。特殊杂质是指在特定药物的生产和贮藏过程中，根据其生产方法、工艺条件及该药物本身性质可能引入的杂质。之所以特殊，是因为它们随药物品种而异，特殊杂质的检查方法分列在质量标准备品种项下。 -
第3题：
在洗涤过程中，洗涤液的选择不但要考虑尽可能地把杂质除去，而且要考虑产品的（）和（）。
- A、质量、重量
- B、收率、重量
- C、性质、质量
- D、杂质、温度
正确答案:C -
第4题：
金属在锻造热变形过程中，由于杂质及化学成分不均匀性呈定向分布状态而形成热变形纤维组织。（）
正确答案:正确 -
第5题：
简述三大类岩石在地壳中的分布情况。
正确答案: （1）沉积岩分布在地壳的表层，呈厚薄不均地不连续分布；
（2）岩浆岩分布在地表与地下深处；
（3）变质岩则分布在地壳强烈变动区域或者岩浆岩周围。
（4）就地表分布面积而言，沉积岩占陆地面积的75％，岩浆岩和变质岩合占25％。
（5）就重量而言，沉积岩仅占地壳重量的5％，变质岩占6％，岩浆岩占89％。 -
第6题：
药典中规定的杂质检查项目，是指该药品在（）和（）过程中可能引入并需要控制的杂质。
正确答案:生产；储藏 -
第7题：
填空题根据绒毛在绒毛膜上的分布情况，哺乳动物的胎盘可分为四种类型，分别是（）、（）、（）、（）。正确答案： 散布状胎盘,叶状胎盘,环状胎盘,盘状胎盘解析： 暂无解析 -
第8题：
单选题影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；A①②④
B②④⑤
C①②④⑤
D①②③④⑤
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题简述四种情况下铸件和铸型的温度场分布特点。正确答案： （1）铸件在绝热铸型中凝固：导热系数远小于凝固金属的导热系数
（2）金属—铸型界面热阻为主的金属型中凝固：传热过程取决于涂料层的热物理性质
（3）厚壁金属型中的凝固：厚壁金属型中凝固金属和铸型的热阻都不可忽略，因而都存在明显的温度梯度
（4）水冷金属型中的凝固：凝固传热的主要热阻是凝固金属的热阻，铸件中有较大的温度梯度。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。正确答案： ①氧化温度；
②氧化时间；
③掺杂效应：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快
④硅片晶向：<111>硅单晶的氧化速率比<100>稍快
⑤反应室的压力：压力越高氧化速率越快
⑥氧化方式：湿氧氧化比干氧氧化速度快解析： 暂无解析 -
第11题：
填空题热氧化制备SiO2的方法可分为四种，包括（）、（）、（）、（）。正确答案： 干氧氧化,水蒸汽氧化,湿氧氧化,氢氧合成氧化解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途？正确答案： 1、原生氧化层
2、屏蔽氧化层
3、遮蔽氧化层
4、场区和局部氧化层
5、衬垫氧化层
6、牺牲氧化层
7、栅极氧化层
8、阻挡氧化层解析： 暂无解析 -
第13题：
在自然界中分布较广泛，在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质称为A.特殊杂质
B.一般杂质
C.基本杂质
D.有关杂质
E.有关物质答案：B解析：一般杂质是指在自然界中分布较广泛，在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质，检查方法收载在《中国药典》附录中。特殊杂质是指在特定药物的生产和贮藏过程中，根据其生产方法、工艺条件及该药物本身性质可能引入的杂质。之所以特殊，是因为它们随药物品种而异，特殊杂质的检查方法分列在质量标准各品种项下。 -
第14题：
简述在镀膜过程中产生杂质的原因和对策？
正确答案: 对策
1.电子枪周围没有打扫干净用吸尘器、百洁布等清冼电子枪部件
2坩锅没有清冼干净坩锅边缘用百洁布、酒精、纱布清冼干净
3镀膜时电子枪光斑不在中间而打到边缘镀膜时必须把电子枪光斑打到中间而不能打偏
4预熔材料不透彻把膜料充分地预熔透彻
5预熔膜料电流加得太快加电流要缓慢，不要加的太快
6.电子枪档板不干净每罩要更换电子枪档板，以及电子枪档板要清冼干净
7.膜料污染避免膜料相互污染，以及保存方法
8.膜料本身不纯更换其它品种膜料。 -
第15题：
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
正确答案:恒定表面源扩散 -
第16题：
简述电力需求在各大洲的分布情况。
正确答案: 随着经济布局调整，世界电力需求格局将发生重大变化，欧美发达经济体占全球电力需求总量的比重大幅下降，亚洲、非洲、南美洲电力需求所占比重大幅提升。长期以来，欧美发达国家占据了全球电力消费的主体。各大洲电力需求水平差距缩小，从整体趋势上来看是符合全球一体化发展的。这种收敛的快慢取决于地区电力需求自然增长的速度和电能替代其他能源的速度，但整体上发达国家和地区电力需求占全球比重下降的趋势不会改变。伴随经济快速发展，电力基础设施缺乏已经成为非洲发展的重大制约。根据IEA估计，撒哈拉以南非洲需要投资3000亿美元以上，才能在2030年前彻底告别缺电。近年来，中国、美国、欧洲等国家和地区纷纷加大了对非洲电力基础设施的投资。例如，中国在2013年3月提出将向非洲提供200亿美元贷款，其中相当部分投资通过电力建设为非洲经济助力。美国总统奥巴马在2013年7月访非时提出了“电力非洲”计划，将通过70亿美元投资帮助非洲大陆解决电力短缺难题。未来几十年中，随着全球经济和治理结构的改善，非洲通过电力基础设施建设，将推动电力普及程度大幅提髙，无电人口显著减少。 -
第17题：
简述车站站位选择的四种情况。
正确答案: 道路交叉口，横跨路口。斜交路口。车站结合地块同步设计。 -
第18题：
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；
- A、①②④
- B、②④⑤
- C、①②④⑤
- D、①②③④⑤
正确答案:A -
第19题：
问答题简述硅热氧化过程中有哪些阶段？正确答案： 第一阶段：反应速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子充足，硅原子不足。
第二阶段：扩散速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子不足，硅原子充足。解析： 暂无解析 -
第20题：
填空题SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。正确答案： 高温,杂质,氧化硅解析： 暂无解析 -
第21题：
判断题外延生长过程中杂质的对流扩散效应，特别是高浓度一侧向异侧端的扩散，不仅使界面附近浓度分布偏离了理想情况下的突变分布而形成缓变，且只有在离界面稍远处才保持理想状态下的均匀分布，使外延层有效厚度变窄。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题药典中规定的杂质检查项目，是指该药品在（）和（）过程中可能引入并需要控制的杂质。正确答案： 生产,储藏解析： 暂无解析 -
第23题：
填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。正确答案： 余误差,高斯分布解析： 暂无解析