杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。

题目

杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。

相似考题

1.共析碳钢进行珠光体转变时,原子扩散情况是()。A、Fe原子扩散，C原子不扩散B、Fe原子扩散，C原子也扩散C、Fe原子不扩散，C原子扩散D、Fe原子不扩散，C原子也不扩散

2.两种物料加入搅拌槽后，其混合机理为主题对流扩散、涡流扩散和（）。

3.本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移 B、空穴，自由电子；漂移，扩散 C、空穴，自由电子；扩散，漂移 D、自由电子，空穴；漂移，扩散 E、自由电子，空穴；扩散，扩散

4.扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。()此题为判断题(对，错)。

更多“杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。”相关问题

  • 第1题：

    在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）


    正确答案:恒定表面源扩散

  • 第2题：

    固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。

    • A、自扩散机制
    • B、杂质扩散机制
    • C、空位机制
    • D、菲克扩散方程机制

    正确答案:C

  • 第3题：

    He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。

    • A、活跃杂质
    • B、快速扩散杂质
    • C、有害杂质
    • D、扩散杂质

    正确答案:B

  • 第4题：

    就Fe和C原子扩散来说，贝氏体转变属于（）

    • A、Fe和C原子均扩散
    • B、Fe和C原子均不扩散
    • C、Fe原子扩散，C原子不扩散
    • D、Fe原子不扩散，C原子扩散

    正确答案:D

  • 第5题：

    果蔬干制中扩散作用有两种，即（）扩散和内扩散。


    正确答案:外

  • 第6题：

    在晶体扩散模型中，（）和（）是最重要的两种扩散机制。


    正确答案:间隙机制；空位机制

  • 第7题：

    什么叫原子扩散和反应扩散 ？


    正确答案:原子扩散是一种原子在某金属基体点阵中移动的扩散。在扩散过程中并不产生新相，也称为固溶体扩散。扩散物质在溶剂中的最大浓度不超过固溶体在扩散温度下的极限浓度，原子扩散有自扩散，异扩散和互扩散三类。
    扩散过程不仅会导致固溶体的形成和固溶体成分的改变，而且还会导致相的多形性转变或化合物的形成。这种通过扩散而形成新相的现象称为反应扩散，也叫相变扩散。

  • 第8题：

    填空题
    杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较复杂，但主要可分为两种机构：替位式扩散和（）式扩散。

    正确答案： 间隙
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度
    A

    ②④

    B

    ①③

    C

    ①④

    D

    ②③


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。

    正确答案： 杂质浓度梯度、扩散温度、扩散时间,费克定律,预淀积,再分布扩散,余误差,高斯
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

    正确答案： 间隙式扩散机制,替代式扩散机制,激活杂质后
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。

    • A、推挤扩散
    • B、杂质扩散
    • C、填隙扩散
    • D、自扩散

    正确答案:D

  • 第14题：

    在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。

    • A、填隙扩散
    • B、杂质扩散
    • C、推挤扩散
    • D、自扩散

    正确答案:B

  • 第15题：

    固态金属根据扩散过程中是否发生浓度变化分为（）。

    • A、原子扩散与反应扩散
    • B、自扩散和互扩散
    • C、下坡扩散与上坡扩散

    正确答案:B

  • 第16题：

    液体混合时，在局部空间进行扩散引起的物质传递称为（）。

    • A、涡流扩散
    • B、分子扩散
    • C、原子扩散
    • D、主体对流扩散

    正确答案:A

  • 第17题：

    扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    怎样理解扩散原子对基体造成的晶格畸变越大，扩散则越容易。（）

    • A、扩散原子具有更低的能量，需要的扩散激活能变大，扩散系数变小，所以扩散容易；
    • B、扩散原子具有更高的能量，需要的扩散激活能变小，扩散系数变大，所以扩散容易；
    • C、基体原子具有更高的能量，造成的势垒变小，扩散系数变小，所以扩散容易。

    正确答案:B

  • 第19题：

    单选题
    钢的过冷A向B转变时（）
    A

    Fe、C原子都不扩散

    B

    Fe原子不扩散

    C

    C原子扩散；

    D

    Fe、C原子都扩散


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
    A

     激活杂质后

    B

     一种物质在另一种物质中的运动

    C

     预淀积

    D

     高温多步退火


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    杂质原子在其它晶格中扩散时的推动力为（），同种原子在自己晶格中自扩散的推动力为（）。

    正确答案： 缺陷浓度， 0。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。

    正确答案： 余误差,高斯分布
    解析： 暂无解析

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