解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。
题目
解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。
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第1题：
根据腐蚀的电化学机理，电化学保护方法可以分为阴极保护和阳极保护两。
正确答案:正确 -
第2题：
简述电泳涂装的电化学机理。
正确答案: 电泳涂装过程中伴随着电解、电泳、电沉积、电渗等四种电化学现象。 -
第3题：
乙烯和氢气、水、卤化氢所发生反应的化学机理不同。
正确答案:错误 -
第4题：
烃类热裂化发生的主要反应有（）和（），普遍认为其反应机理是（）
正确答案:分解；缩合；自由基机理 -
第5题：
随着现代科学技术的发展，人们逐渐用公认的（）机理来解释物质燃烧的本质。
- A、物理反应
- B、化学反应
- C、链锁反应
- D、氧化反应
正确答案:C -
第6题：
单选题二氧化碳灭火的机理其本质是（）。A物理作用
B化学反应
C链式反应
D物理作用和化学反应
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第7题：
填空题圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。正确答案： 方向性差，刻蚀速率慢，过刻蚀性能好,去胶,方向性好，刻蚀速率高,SiO2、Al、Si3N4,多晶硅解析： 暂无解析 -
第8题：
名词解释题过刻蚀正确答案： 刻蚀薄膜时，晶圆内的刻蚀速率和薄膜厚度并不完全均匀，主刻蚀后，会有少部分的薄膜留下，移除剩余薄膜的过程称为过刻蚀。解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题简述电泳涂装的电化学机理。正确答案： 电泳涂装过程中伴随着电解、电泳、电沉积、电渗等四种电化学现象。解析： 暂无解析 -
第10题：
填空题在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。正确答案： 化学作用,物理作用,化学作用与物理作用混合解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题简述反应离子刻蚀。正确答案： 通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选择性好的优点。目前，RIE已成为VLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题湿法刻蚀和干法刻蚀的区别？正确答案： 湿法刻蚀设备简单、工艺操作方便，一般的常规生产均能满足要求，但各向同性刻蚀性太强，难以控制线宽，而且刻蚀剂大多为腐蚀性较强的试剂，安全性较差；
物理性干法刻蚀方向性好、可获得接近垂直的刻蚀侧墙，但因为离子的溅击面太广，掩蔽层也遭到刻蚀，使得刻蚀选择性降低，另外，被击出的是非挥发性物质，容易再次淀积，使刻蚀速率降低；化学性干法刻蚀选择比高但却是各向同性刻蚀，线宽控制性差。解析： 暂无解析 -
第13题：
反应离子腐蚀是（）。
- A、化学刻蚀机理
- B、物理刻蚀机理
- C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
正确答案:C -
第14题：
900mm酸联轧酸洗除去氧化铁皮的机理是（）
- A、化学反应
- B、物理反应
- C、物理反应+化学反应
- D、以上都不对
正确答案:C -
第15题：
根据腐蚀的电化学机理，电化学保护方法可以分为阴极保护盒阳极保护两种。（）
正确答案:正确 -
第16题：
根据腐蚀的电化学机理，电化学保护方法可以分为阴极保护和阳极保护两种。
正确答案:正确 -
第17题：
单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。A有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
B在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
C变成刻蚀介质以形成一个凹槽
D在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么？正确答案： 它是采用材料填充高深宽比的间隙并且无空洞形成的基础。 3:1解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法？正确答案： 1.对不需要刻蚀的材料的高选择比
2.获得可接受的产能的刻蚀速率
3.好的侧壁剖面控制
4.好的片内均匀性
5.低的器件损伤
6.宽的工艺制造窗口解析： 暂无解析 -
第20题：
名词解释题刻蚀正确答案： 通过腐蚀，将光刻胶上图形完整整地转移到Si片上。解析： 暂无解析 -
第21题：
单选题随着现代科学技术的发展，人们逐渐用公认的（）机理来解释物质燃烧的本质。A物理反应
B化学反应
C链锁反应
D氧化反应
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。正确答案： 被刻蚀图形的侧壁形状,各向同性,各向异性解析： 暂无解析 -
第23题：
判断题根据腐蚀的电化学机理，电化学保护方法可以分为阴极保护和阳极保护两种。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析