pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。A、扩散层质量B、设计C、光刻

题目

pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。

  • A、扩散层质量
  • B、设计
  • C、光刻
相似考题

1.用万用表R×100挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿

2.当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()A.大于B.变窄C.等于D.小于E.变宽F.不变

3.PN结加反向电压，则（）A、有利于少子的扩散B、PN结电阻变小C、PN结变薄D、不利于多子的扩散

4.若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()

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  • 第1题：

    值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。（）


    正确答案:正确

  • 第2题：

    在PN节之间加（），多数载流子的扩散增强，有电流通过PN节，就形成了PN节导电。

    • A、直流电压
    • B、交流电压
    • C、正向电压
    • D、反向电压

    正确答案:C

  • 第3题：

    当PN结加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）

    • A、大于
    • B、变窄
    • C、等于
    • D、小于
    • E、变宽
    • F、不变

    正确答案:A,B,D,E

  • 第4题：

    PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。


    正确答案:错误

  • 第5题：

    PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（）。

    • A、其反向电流增大
    • B、其反向电流减小
    • C、其反向电流基本不变

    正确答案:C

  • 第6题：

    PN结反向工作时，流过的电流主要是（）

    • A、扩散电流
    • B、漂移电流
    • C、传导电流
    • D、扩散和漂移电流并存

    正确答案:B

  • 第7题：

    当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

    • A、大于
    • B、小于
    • C、等于
    • D、变宽

    正确答案:A

  • 第8题：

    JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。


    正确答案:导电沟道；感生电荷

  • 第9题：

    如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）

    • A、阻当层不变，反向电流基本不变
    • B、阻当层变厚，反向电流基本不变
    • C、阻当层变窄，反向电流增大
    • D、阻当层变厚，反向电流减小

    正确答案:B

  • 第10题：

    PN结反向电压的数值增大，但小于击穿电压时，（）。

    • A、其反向电流增加
    • B、其正向电流增加
    • C、其反向电流基本不变
    • D、其反向电流减小

    正确答案:C

  • 第11题：

    稳压管虽然工作在反向击穿区，但只要（）不超过允许值，PN结不会过热而损坏。

    • A、电压
    • B、反向电压
    • C、电流
    • D、反向电流

    正确答案:D

  • 第12题：

    在PN节之间加（），多数载流子扩散被抑制，反向电流几乎为零，就形成了PN节截止。

    • A、直流电压
    • B、交流电压
    • C、正向电压
    • D、反向电压

    正确答案:D

  • 第13题：

    稳压管是利用PN结的（）特性来实现稳压的。

    • A、正向电压
    • B、反向击穿电压
    • C、最大整流电流

    正确答案:B

  • 第14题：

    PN结外加（）电压时，电路中只有很小的电流。

    • A、直流
    • B、交流
    • C、正向
    • D、反向

    正确答案:D

  • 第15题：

    如果PN结的反向电流急剧增加，称为（）

    • A、反向导通
    • B、反向截止
    • C、反向击穿
    • D、反向饱和

    正确答案:C

  • 第16题：

    简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。


    正确答案: 特性：势垒区中的电场减小，由Vo变为（Vo+V）；势垒高度减小，由ev0变为e（Vo+V）；势垒区宽度w增大。反向饱和电流：是一个数值很小，且不随反向电压V变化而变化的电流。由n指向p。PN结的电压-电流特性：加上外加电压后，pn结上流过的电流。

  • 第17题：

    PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。

    • A、其反向电流增大
    • B、其反向电流减小
    • C、其反向电流基本不变

    正确答案:B

  • 第18题：

    PN结未加外部电压时，扩散电流（）漂流电流，加正向电压时，扩散电流（）漂流电流，其耗尽层（）；加反向电压时，扩散电流（）漂流电流，其耗尽层（）。


    正确答案:等于；大于；变薄；小于；变厚

  • 第19题：

    当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。

    • A、大于
    • B、小于
    • C、等于

    正确答案:B

  • 第20题：

    当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。


    正确答案:大于；窄；小于；宽

  • 第21题：

    稳压管是利用PN结的（）特性来实现稳压的。

    • A、正向电压
    • B、反向击穿电压
    • C、最大整流电流
    • D、方向截止

    正确答案:B

  • 第22题：

    用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。

    • A、PN结被击穿
    • B、PN结开路
    • C、只有发射极击穿
    • D、只有集电极击穿

    正确答案:A

  • 第23题：

    场效应晶体管的主要参数有（）

    • A、开启电压
    • B、低频跨导
    • C、漏源击穿电压
    • D、最大耗散功率
    • E、最大漏极电流

    正确答案:A,B,C,D,E

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