硅外延生长工艺包括（）。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度，生长压力，生长速度D、尾气的处理

题目

硅外延生长工艺包括（）。

  • A、衬底制备
  • B、原位HCl腐蚀
  • C、生长温度，生长压力，生长速度
  • D、尾气的处理
相似考题

1.()是婴儿生长速度与年龄的关系。A、年龄越小，生长速度越慢B、年龄越小，生长速度越快C、年龄越大，生长速度越快D、18岁以后将停止生长

2.利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?

3.LED地材料制备包括什么?()A.外延片地制备B.衬底材料地制备C.外延片地生长D.衬底材料地生长

4.( )是婴儿生长速度与年龄段关系A、年龄越小,生长速度越慢B、年龄越小,生长速度越快C、年龄越大,生长速度越快D、18岁以后将停止生长

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  • 第1题：

    c－z法生产单晶硅棒工艺中,控制位错产生的工序是()。

    A.上述说法均不对

    B.缩颈生长与尾部生长

    C.等径生长

    D.放肩生长


    参考答案：B

  • 第2题：

    微生物的生长速度与温度有关，温度越高，生长速度越快。


    正确答案:错误

  • 第3题：

    温度和微生物生长的关系是在其最适温度范围内，生长速度随温度升高而（），发酵温度升高，生长周期就缩短。

    • A、无法确定
    • B、定量增加
    • C、降低
    • D、增加

    正确答案:D

  • 第4题：

    蔬菜生长发育的三基点温度包括（）。

    • A、生长最低致死温度
    • B、生长最低温度
    • C、生长最适温度
    • D、生长最高温度
    • E、生长最高致死温度

    正确答案:B,C,D

  • 第5题：

    下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）

    • A、加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长
    • B、加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长
    • C、加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长
    • D、加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长

    正确答案:D

  • 第6题：

    不属于生长温度的三个基本点的是（）。

    • A、最低生长温度
    • B、最适生长温度
    • C、最快生长温度
    • D、最高生长温度

    正确答案:C

  • 第7题：

    单选题
    化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。
    A

    1、2

    B

    2、4

    C

    1、4

    D

    1、2、4

    E

    1、2、3、4


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    多选题
    下列对生存温度、生长温度和发育温度范围描述正确的有（）。
    A

    生存温度＞生长温度

    B

    生长温度＞发育温度

    C

    生存温度＞发育温度

    D

    发育温度＞生长温度

    E

    生长温度＞生存温度


    正确答案： B,A
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    在最适生长温度下，微生物生长繁殖速度最快，此因生产单细胞蛋白的发酵温度应选择最适生长温度
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。

    正确答案： 相同,同质外延,异质外延
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。

    正确答案： CZ法,区熔法,硅锭
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    微生物的生长速度与温度有关，温度越高，生长速度越快。

    此题为判断题(对，错)。


    正确答案：×

  • 第14题：

    LED的材料制备包括什么（）。

    • A、外延片的制备
    • B、衬底材料的制备
    • C、外延片的生长
    • D、衬底材料的生长

    正确答案:B,C

  • 第15题：

    下列对生存温度、生长温度和发育温度范围描述正确的有（）。

    • A、生存温度＞生长温度
    • B、生长温度＞发育温度
    • C、生存温度＞发育温度
    • D、发育温度＞生长温度
    • E、生长温度＞生存温度

    正确答案:A,B,C

  • 第16题：

    在最适生长温度下，微生物生长繁殖速度最快，此因生产单细胞蛋白的发酵温度应选择最适生长温度


    正确答案:错误

  • 第17题：

    SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制（）。

    • A、反应温度在280℃~300℃之间
    • B、硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥
    • C、晶体生长速度
    • D、合成时加入少量的催化剂，可降低温度

    正确答案:C

  • 第18题：

    如何从石英砂制取硅？说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是（）

    • A、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
    • B、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
    • C、加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
    • D、加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长

    正确答案:A

  • 第19题：

    单选题
    不属于生长温度的三个基本点的是（）。
    A

    最低生长温度

    B

    最适生长温度

    C

    最快生长温度

    D

    最高生长温度


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）
    A

    加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长

    B

    加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长

    C

    加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长

    D

    加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    如何从石英砂制取硅？说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是（）
    A

    加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长

    B

    加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长

    C

    加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长

    D

    加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    温度和微生物生长的关系是在其最适温度范围内，生长速度随温度升高而（），发酵温度升高，生长周期就缩短。
    A

    无法确定

    B

    定量增加

    C

    降低

    D

    增加


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

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