二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。A、预B、再C、选择

题目

二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。

  • A、预
  • B、再
  • C、选择
相似考题

1.扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。()此题为判断题(对，错)。

2.表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。A、分凝度B、固溶度C、分凝系数D、扩散系数

3.假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

4.杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。

参考答案和解析
正确答案:C
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  • 第1题：

    在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）


    正确答案:恒定表面源扩散

  • 第2题：

    在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。

    • A、填隙扩散
    • B、杂质扩散
    • C、推挤扩散
    • D、自扩散

    正确答案:B

  • 第3题：

    如果磷在二氧化硅中扩散，对扩散率影响最大的因素是：（）。

    • A、扩散剂总量
    • B、压强
    • C、温度
    • D、浓度

    正确答案:D

  • 第4题：

    燃天然气的重型燃气轮机燃烧室的燃烧模式，低负荷阶段主要是（），高负荷阶段主要是（）。

    • A、扩散燃烧扩散燃烧
    • B、预混燃烧预混燃烧
    • C、扩散燃烧预混燃烧
    • D、预混燃烧扩散燃烧

    正确答案:C

  • 第5题：

    用试纸法进行机油质量检查时，油内杂质在试纸上形成颜色深浅不同的环形斑点，从内到外依次为：（）。

    • A、沉积环、油环、扩散环
    • B、油环、扩散环、沉积环
    • C、沉积环、扩散环、油环
    • D、油环、沉积环、扩散环

    正确答案:C

  • 第6题：

    判断题
    扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    单选题
    用试纸法进行机油质量检查时，油内杂质在试纸上形成颜色深浅不同的环形斑点，从内到外依次为：（）。
    A

    沉积环、油环、扩散环

    B

    油环、扩散环、沉积环

    C

    沉积环、扩散环、油环

    D

    油环、沉积环、扩散环


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    单选题
    二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度
    A

    ②④

    B

    ①③

    C

    ①④

    D

    ②③


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（）。
    A

    本征扩散

    B

    非本征扩散

    C

    互扩散

    D

    A+B


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    杂质在硅中有哪些扩散机制？

    正确答案： ①间隙式扩散；
    ②替位式扩散。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。

    正确答案： 余误差,高斯分布
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。

    • A、推挤扩散
    • B、杂质扩散
    • C、填隙扩散
    • D、自扩散

    正确答案:D

  • 第14题：

    He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。

    • A、活跃杂质
    • B、快速扩散杂质
    • C、有害杂质
    • D、扩散杂质

    正确答案:B

  • 第15题：

    扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    换电时先关机械泵，再关预阀，后关扩散泵。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    单选题
    杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
    A

     激活杂质后

    B

     一种物质在另一种物质中的运动

    C

     预淀积

    D

     高温多步退火


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    判断题
    二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    判断题
    杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
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  • 第20题：

    填空题
    杂质原子在其它晶格中扩散时的推动力为（），同种原子在自己晶格中自扩散的推动力为（）。

    正确答案： 缺陷浓度， 0。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
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  • 第22题：

    填空题
    扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。

    正确答案： 杂质浓度梯度、扩散温度、扩散时间,费克定律,预淀积,再分布扩散,余误差,高斯
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

    正确答案： 间隙式扩散机制,替代式扩散机制,激活杂质后
    解析： 暂无解析

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