例举硅片制造厂房中的7种玷污源。
题目
例举硅片制造厂房中的7种玷污源。
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第1题：
例举出硅片厂中使用的五种通用气体。
正确答案:氧气（O2）、氩气（Ar）、氮气（N2）、氢气（H2）和氦气（He）。 -
第2题：
光伏产业价值链有四个环节，分别为（）、硅片生产、电池制造、组件封装。
正确答案:晶硅制备 -
第3题：
问答题给出硅片制造中光刻胶的两种目的。正确答案： 1.将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中。
2.在后续工艺中保护下面的材料。解析： 暂无解析 -
第4题：
问答题一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什么意义？正确答案： 几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而 光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）.解析： 暂无解析 -
第5题：
问答题例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试（第十九章）正确答案： 硅片拣选测试中的三种典型电学测试：
（1）DC测试：第一电学测试是确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接性检查。这项检查保证了技术员的测试仪安装正常。
（2）输出检查：硅片挑选测试用来测试输出信号以检验芯片性能。主要验证输出显示的位电平（逻辑“1”或高电平，逻辑“0”或低电平），是否和预期的一致。
（3）功能测试：功能测试检验芯片是否按照产品数据规范的要求工作。功能测试软件程序测试芯片的所有方面，它将二进制测试图形加入被测器件并验证其输出的正确性。解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题列举用于硅片制造的5种常用掺杂。正确答案： 离子注入，热扩散，硅浆料，丝网印刷，激光解析： 暂无解析 -
第7题：
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第8题：
填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。正确答案： 硅衬底,微芯片,芯片解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题列出热氧化物的硅片制造的六种用途，并给出各种用途的目的。正确答案： 金属层间绝缘阻挡层：用做金属连线间的保护层。
注入屏蔽氧化层：用于减小注入够到和损伤。
势氧化层：做氧化硅缓冲层以减小应力。
掺杂阻挡层：作为掺杂或注入杂质到硅片中的掩蔽材料。
阻挡氧化层：保护有源器件和硅免受后续工艺的影响。
栅氧化层：用做MOS晶体管栅和源漏之间的介质。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题例举硅片制造厂房中的7种玷污源。正确答案： 硅片制造厂房中的七中沾污源：
（1）空气：净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的；
（2）人：人是颗粒的产生者，人员持续不断的进出净化间，是净化间沾污的最大来源；
（3）厂房：为了是半导体制造在一个超洁净的环境中进行，有必要采用系统方法来控制净化间区域的输入和输出；
（4）水：需要大量高质量、超纯去离子水，城市用水含有大量的沾污以致不能用于硅片生产。去离子水是硅片生产中用得最多的化学品
（5）工艺用化学品：为了保证成功的器件成品率和性能，半导体工艺所用的液态化学品必须不含沾污；
（6）工艺气体：气体流经提纯器和气体过滤器以去除杂质和颗粒；
（7）生产设备：用来制造半导体硅片的生产设备是硅片生产中最大的颗粒来源。解析： 暂无解析 -
第11题：
填空题在半导体制造业中，最早的互连金属是（），在硅片制造业中最普通的互连金属是（），即将取代它的金属材料是（）。正确答案： 铝,铝,铜解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第13题：
单晶硅硅片的制造过程？
正确答案: 首先将用CZ法得到的单晶硅铸模用专用切割机进行切割。目前太阳能电池用的铸模，仍以生产性能高的线形锯切割为主，然后对切割面进行研磨，使其表面平滑。由于切割面是被机械冲击过的，因此会残留结晶变形，使电气特性变坏，因此需用HF+HNO3进行腐蚀，使表面减薄10~20μm的程度。最终得到约为300μm厚的硅片。 -
第14题：
集成电路是指在一个半导体硅片上制造的电子电路。（）
正确答案:正确 -
第15题：
填空题列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。正确答案： 掺杂阻挡,表面钝化,金属层间介质解析： 暂无解析 -
第16题：
问答题什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么？正确答案： 硅化物是难熔金属与硅反应形成的金属化合物，是一种具有热稳定性的金属化合物，并且在硅/难熔金属的分界面具有低的电阻率。难熔金属硅化物的优点和其作用：
1、降低接触电阻，
2、作为金属与有源层的粘合剂。
3、高温稳定性好，抗电迁移性能好4、可直接在多晶硅上淀积难熔金属，经加温处理形成硅化物，工艺与现有硅栅工艺兼容。解析： 暂无解析 -
第17题：
判断题不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？正确答案： 主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子 注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题一般硅片的制造（wafer process）过程包含哪些主要部分？正确答案： ①前段（frontend）-元器件（device）的制造过程。
②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation）解析： 暂无解析 -
第20题：
填空题集成电路的制造分为五个阶段，分别为（）、（）、硅片测试和拣选、（）、终测。正确答案： 硅片的制备,硅片制造,装配和封装解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题为什么要用单晶进行硅片制造？正确答案： 半导体芯片加工需要纯净的单晶硅结构，这是因为单胞重复的单晶结构能够提供制作工艺和器件特性所需要的电学和机械性质。糟糕的晶体结构和缺陷导致微缺陷的形成。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。正确答案： 金属用于硅片制造的七个要求：
1.导电率：为维持电性能的完整性，必须具有高电导率，能够传导高电流密度。
2.粘附性：能够粘附下层衬底，容易与外电路实现电连接。与半导体和金属表面连接时接触电阻低。
3.淀积：易于淀积并经相对的低温处理后具有均匀的结构和组分（对于合金）。能够为大马士革金属化工艺淀积具有高深宽比的间隙。
4.刻印图形/平坦化：为刻蚀过程中不刻蚀下层介质的传统铝金属化工艺提供具有高分辨率的光刻图形；大马士革金属化易于平坦化。
5.可靠性：为了在处理和应用过程中经受住温度循环变化，金属应相对柔软且有较好的延展性。
6.抗腐蚀性：很好的抗腐蚀性，在层与层之间以及下层器件区具有最小的化学反应。
7.应力：很好的抗机械应力特性以便减少硅片的扭曲和材料失效，比如断裂、空洞的形成和应力诱导腐蚀。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题例举出硅片厂中使用的五种通用气体。正确答案： 氧气（O2）、氩气（Ar）、氮气（N2）、氢气（H2）和氦气（HE.解析： 暂无解析