恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。A、高斯B、余误差C、指数

题目

恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。

  • A、高斯
  • B、余误差
  • C、指数
相似考题

1.有限次测量结果的偶然误差是服从()A、正态分布B、t分布C、高斯分布D、泊松分布

2.高斯白噪声通过窄带理想带通滤波器后为窄带高斯噪声,后者包络的一维分布为( )。A.高斯分布B.莱斯分布C.瑞利分布D.均匀分布。

3.高斯白噪声通过线性系统输出分布为（）。A.高斯分布 B.瑞利分布 C.广义瑞利分布 D.均匀分布

4.CT成像中，假设X线通过人体后的光子与源射线成A、指数关系B、对数关系C、线性关系D、随机分布E、高斯分布

更多“恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。A、高斯B、余误差C、指数”相关问题

  • 第1题：

    下面那个判断不符合高斯扩散条件?( )

    A、x轴为正向平均风向，污染物浓度在y、z轴上的分布符合高斯分布
    B、地面是足够粗糙的
    C、源强是连续、均匀的
    D、扩散过程中污染物的质量是守恒的

    答案：B
    解析：
    高斯模式的另一个假设是，在全部空间中风速是均匀的、稳定的

  • 第2题：

    误差理论认为，偶然误差的分布服从统计学上的均匀分布。


    正确答案:错误

  • 第3题：

    热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。


    正确答案: 离子注入后会对晶格造成简单晶格损伤和非晶层形成；损伤晶体空位密度大于非损伤晶体，且存在大量间隙原子和其他缺陷，使扩散系数增大，扩散效应增强；故，虽然热退火温度低于热扩散温度，但杂质的扩散也是非常明显的，出现高斯展宽与拖尾现象。

  • 第4题：

    在线性回归模型中，随机误差μ被假定服从（）

    • A、正态分布
    • B、二项分布
    • C、指数分布
    • D、t分布

    正确答案:A

  • 第5题：

    根据流量与悬沙测验的误差研究情况，认为源误差和目标函数误差系列符合高斯正态分布规律，可用高斯（）描述。

    • A、偏态分布
    • B、学生氏分布
    • C、正态分布
    • D、多峰分布

    正确答案:C

  • 第6题：

    恒定表面浓度的条件下，在整个扩散期间，（）保持恒定表面浓度。

    • A、源蒸气
    • B、杂质和惰性气体混合物
    • C、水蒸气和杂志混合物
    • D、杂质、惰性气体、水蒸气混合物

    正确答案:A

  • 第7题：

    问答题
    影响扩散工艺中杂质分布的因素

    正确答案： 1、时间与温度，恒定表面源主要是时间。
    2、硅晶体中存在其他类型的点缺陷
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    误差理论认为，偶然误差的分布服从统计学上的均匀分布。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    下列关于无限空间高斯点源模型假设错误的是（）
    A

    风速均衡且大于1m/s

    B

    源强连续均匀

    C

    质量守恒

    D

    污染物在风向上呈高斯分布，其他方向按线性分布


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    多选题
    下列关于高斯烟羽模型的假设说法正确的是（）
    A

    在整个的扩散空间中，风速是均匀变化的

    B

    污染物的浓度在y，z轴上都是正态高斯分布

    C

    在扩散过程中污染物的质量是变化的

    D

    污染源的源强是连续的、均匀的


    正确答案： A,D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。

    正确答案： 杂质浓度梯度、扩散温度、扩散时间,费克定律,预淀积,再分布扩散,余误差,高斯
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）

    • A、高斯函数
    • B、余误差函数
    • C、指数函数
    • D、线性函数

    正确答案:B

  • 第14题：

    恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。

    • A、高斯
    • B、余误差
    • C、指数

    正确答案:B

  • 第15题：

    在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）


    正确答案:恒定表面源扩散

  • 第16题：

    偶然误差的分布特性，在数学上可用一个称之为（）。


    正确答案:高斯分布的正态概率密度函数来表示

  • 第17题：

    扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

    • A、内部的杂质分布
    • B、表面的杂质分布
    • C、整个晶体的杂质分布
    • D、内部的导电类型
    • E、表面的导电类型

    正确答案:A,E

  • 第18题：

    放射性样品的计数有一定的分布规律。当平均计数大于20时，下列何种分布适用（）

    • A、均匀分布
    • B、指数分布
    • C、对数分布
    • D、t分布
    • E、高斯分布

    正确答案:E

  • 第19题：

    单选题
    根据流量与悬沙测验的误差研究情况，认为源误差和目标函数误差系列符合高斯正态分布规律，可用高斯（）描述。
    A

    偏态分布

    B

    学生氏分布

    C

    正态分布

    D

    多峰分布


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    放射性样品的计数有一定的分布规律。当平均计数大于20时，下列何种分布适用（）。
    A

    均匀分布

    B

    指数分布

    C

    对数分布

    D

    t分布

    E

    高斯分布


    正确答案： E
    解析： 放射性核衰变和放射性计数测量的最基本分布是二项式分布，当平均计数增大时，逐步接近泊松分布和高斯分布。高斯分布的应用范围是平均计数大于20时。

  • 第21题：

    名词解释题
    恒定表面源扩散

    正确答案： 在整个扩散过程中，杂质不断进入硅中，而表面杂质浓度始终保持不变。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。

    正确答案： 高斯
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。

    正确答案： 余误差,高斯分布
    解析： 暂无解析

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